专利名称：一种可控硅控制电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及控制电路，更具体地说，涉及一种可控硅控制电路。
背景技术：
可控硅在控制系统中是一种常用的器件，用于实现多种负载的控制，运用 简单、可靠。目前可控硅分为三象限和四象限两种，四象限可控硅可工作一至 四象限，但可控硅工作在第四象限时，触发端的电流一般要比工作在一至三象 限时的触发电流大一倍，造成能耗的增加，成本的上升。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述可控硅工作在四 象限时工作效率低缺陷，提供一种工作在二、三象限的可控硅控制电路。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是构造一种可控硅控制电
路，包括双向可控硅，其特征在于，所述可控硅的触发端与MCU输入/输出口 之间连接有电容C1，可控硅的触发端与地之间还连接有二极管D1，所述二极 管D1的正极与可控硅的触发端相连、负极与地相连。
在本实用新型所述的可控硅控制电路中在所述MCU输入/输出口与电容 Cl之间还连接有限流电阻R1。
在本实用新型所述的可控硅控制电路中所述C1的电容值为1微法，所述电阻R1的阻值为100欧姆。
在本实用新型所述的可控硅控制电路中在所述可控硅的触发端与地之间 还连接有抗干扰电阻R2。
在本实用新型所述的可控硅控制电路中所述电阻R2的阻值为1K-10K欧姆。
在本实用新型所述的可控硅控制电路中所述电阻R2的阻值为10K欧姆。 在本实用新型所述的可控硅控制电路中所述述二极管Dl的型号为 IN4148。
实施本实用新型的可控硅控制电路，具有以下有益效果由于本实用新型 的可控硅控制电路使得可控硅工作在二、三象限，降低能耗，减少成本； 由于本实用新型的可控硅控制电路采用脉冲驱动比电平驱动更省电，所以 适用于节能控制；当系统出现故障时I/01 口输出一持续的电平时，因为有耦 合电容C1的存在，电压无法耦合到可控硅触发端，可控硅触发端无触发电压， 自动关断，提高了电路的安全控制。
下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中 图1是本实用新型的可控硅控制电路的电路图。
具体实施方式
结合图l描述本实用新型的可控硅控制电路的工作原理，原理如下Rl 为触发端的限流电阻，Cl为耦合及储能电容；Dl为嵌位二极管；R2为抗干 扰电阻；TR1为双向可控硅；负载为可控硅TR1所驱动的负载。在此电路中，I/Ol采用脉冲驱动，当I/Ol输出为一高电平脉冲时，Cl将脉冲耦合到TR1 的触发端，但因为二极管D1将触发端的电压嵌位在0.7V，嵌位电压的范围 0.3-0.7V，所以可控硅的触发端和GND间只有0.7V电压无法满足可控硅的导 通压降要求，可控硅无法导通从而使可控硅无法工作在一、四象限。
因为前一个正脉冲使电容C1进行了上正下负的充电，当1/01输出为一低 电平脉冲时，Cl开始经Rl — MCU内部的GND —可控硅的GND — TR1 — Cl，经过以上回路储能电容Cl给可控硅一触发电压使可控硅TR1导 通并工作在二、三象限。本实用新型的可控硅控制电路使得可控硅工作在二、 三象限，降低能耗，减少成本。其中可控硅控制电路采用脉冲驱动比电平 驱动更省电，适用于节能控制。当系统出现故障时I/01 口输出一持续的电平， 因为有耦合电容C1的存在，电压无法耦合到可控硅触发端，可控硅触发端无 触发电压，自动关断，提高了电路的安全控制。
权利要求1、一种可控硅控制电路，包括双向可控硅，其特征在于，所述可控硅的触发端与MCU输入/输出口之间连接有电容C1，可控硅的触发端与地之间还连接有二极管D1，所述二极管D1的正极与可控硅的触发端相连、负极与地相连。
2、 根据权利要求1所述的可控硅控制电路，其特征在于，在所述MCU输入/输出口与电容Cl之间还连接有限流电阻R1。
3、 根据权利要求2所述的可控硅控制电路，其特征在于，所述C1的电容值为1微法，所述电阻R1的阻值为100欧姆。
4、 根据权利要求1所述的可控硅控制电路，其特征在于，在所述可控硅的触发端与地之间还连接有抗干扰电阻R2。
5、 根据权利要求4所述的可控硅控制电路，其特征在于，所述电阻R2的阻值为1K-10K欧姆。
6、 根据权利要求5所述的可控硅控制电路，其特征在于，所述电阻R2的阻值为IOK欧姆。
7、 根据权利要求1一6中任何一项所述的可控硅控制电路，其特征在于，所述述二极管D1的型号为IN4148。
专利摘要本实用新型涉及一种可控硅控制电路，包括可控硅，所述可控硅的触发端与MCU输入/输出口之间连接有电容C1，可控硅的触发端与地之间还连接有二极管D1，所述二极管D1的正极与可控硅的触发端相连、负极与地相连。由于本实用新型的可控硅控制电路使得可控硅工作在二、三象限，降低能耗，减少成本；由于本实用新型的可控硅控制电路采用脉冲驱动比电平驱动更省电，所以适用于节能控制；当系统出现故障时I/O1口输出一持续的电平时，因为有耦合电容C1的存在，电压无法耦合到可控硅触发端，可控硅触发端无触发电压，自动关断，提高了电路的安全控制。
文档编号H03K17/72GK201266915SQ20082009614
公开日2009年7月1日 申请日期2008年8月4日 优先权日2008年8月4日
发明者刘建伟, 汪显方, 勇 王, 白清利, 董晓勇 申请人:深圳和而泰智能控制股份有限公司