专利名称：具有减小的互调失真的开关装置的制作方法
技术领域：
本发明一般涉及电路领域。具体而言，本发明属于高频开关电路领域。
背景技术：
高频开关装置，例如具有多个输入和共用输出的高频开关装置，可被用在例如蜂 窝手持装置等的移动通信装置中，以便提供多于一种频率的运行。例如，高频开关装置可被 用在运行在使用全球移动通信系统(GSM)通信标准的系统中的蜂窝手持装置中，从而能够 通过有选择地将对应的输入耦合到共用输出使得蜂窝手持装置在900. 0MHz的低带频率或 是1800.0MHz的高带频率的系统中运行。对于高频开关装置，例如用于移动通信装置中的 高频开关装置，存在减小互调失真(MD)的持续需求。 传统的高频开关装置可包含两个或多于两个的开关臂，其中，各个开关臂可包含 耦合在开关的共用输出与输入之间的多个场效应管(FET)。各个开关臂可耦合到控制电压 输入，其可提供高电压以使能开关臂以及低电压以解除使能开关臂。在一种方法中，IMD可 通过增多各个开关臂中的FET的数量来减小。然而，增多各个开关臂中的FET的数量不受 欢迎地增多了由开关装置消耗的半导体芯片面积以及开关装置中的信号损耗。在另一种方 法中，MD失真可通过使用电荷泵以增大用于使能开关臂的高电压来减小。然而，此方法可 不受欢迎地增大开关装置的成本。
发明内容
具有减小的互调失真的开关装置实质上结合附图中的至少一幅来示出和/或介 绍，如权利要求中更为完整地示出的那样。
图1示出了示例性通信系统，其包含根据本发明一实施例的示例性开关装置； 图2示出了根据本发明一实施例的示例性开关装置； 图3A示出了根据本发明一实施例的示例性开关装置的示例性LC电路 图3B示出了根据本发明一实施例的示例性开关装置的示例性LC电路 图3C示出了根据本发明一实施例的示例性开关装置的示例性LC电路 图3D示出了根据本发明一实施例的示例性开关装置的示例性LC电路 图4示出了根据本发明另一实施例的示例性开关装置。
具体实施例方式
本发明指向一种具有减小的互调失真的开关装置。下面的说明包含关于本发明实 施的具体信息。本领域技术人员将会明了，本发明可以以不同于本申请具体讨论的方式实 现。另外，本发明的某些具体细节没有讨论，以便不使本发明变得模糊。本申请中没有介绍 的具体细节属于本领域普通技术人员的常识范围内。
本申请中的附图及其伴随的详细介绍指向本发明仅仅为示例性的实施例。为了保 持简明性，本发明的使用本发明原理的其他实施例不在本申请中具体介绍，且不由附图具 体示出。 图1示出了根据本发明一实施例的通信系统100的框图。本领域普通技术人员 可以明了的某些细节和特征排除在图1以外。通信系统100包含开关装置102，其包含开 关臂104和106 ;天线108 ;传输线110 ;双工器112和114 ;功率放大器116和118 ;低噪音
放大器(LNA) 120和122。通信系统100可为例如无线通信系统，可使用GSM、宽带码分多址 (W-CDMA)或其他合适的通信标准。开关装置102可以为高频开关装置，例如RF开关装置， 并可被配置为在开关臂104被选择时将双工器112耦合到天线108，或在开关臂106被选择 时将双工器114耦合到天线108。在其他的实施例中，开关装置102可包含两个以上的开关臂。 如图1所示，天线108通过传输线110在节点124上耦合到开关臂104和106的 输出，该节点构成开关装置102的共用输出。如图1所示，开关臂104的输入经由线126被 耦合到双工器112的天线端口，双工器112的发送端口耦合到功率放大器116的输出，双工 器112的接收端口耦合到LNA 120的输入。如图1所示，开关臂106的输入经由线128耦 合到双工器114的天线端口，双工器114的发送端口 114耦合到功率放大器118的输出，双 工器114的接收端口 114耦合到LNA 122的输入。功率放大器116和118可各自提供具 有不同频率的RF信号，用于特定通信频带中的运行。例如，功率放大器116可提供用于在 GSM低频带中的运行的900. OMHz信号，功率放大器118可提供用于GSM高频带中的运行的 1800. OMHz信号。 在通信系统100的运行过程中，开关装置102的任一开关臂104被选择即被使能 且开关臂106被解除使能，或者反之。当开关臂104被使能且开关臂106被解除使能时， 由功率放大器116输出的发送信号130从开关装置102的输入经由开关臂104被耦合到 天线108。开关装置102的MD(互调失真)性能——例如三阶互调失真(MD3)性能—— 可受到带外阻塞器信号(out-of-band blocker signal)的不利影响，例如带外阻塞器信号 132(也被简称为"阻塞器信号132")。阻塞器信号132可从天线108经由传输线110耦合 到开关装置102的输出，可与开关臂104中的发送信号130结合并构成IMD3结果。如果 MD3结果在LNA 120的接收频带内，MD3结果可干扰经由开关臂104和双工器112从天线 108耦合到LNA 120的接收信号134。 开关装置102等开关装置所产生的MD3结果可受到可在例如天线108的天线和 开关装置之间发生的相移的影响。例如，MD3结果可以以天线和开关装置之间的某些程度 的相移减小，例如45. 0度、105. 0度、180. 0度，而IMD3结果可以以其他程度的相移增大，例 如0.0度、75.0度、150.0度。然而，在特定的应用中，例如在通信系统100中，天线108等 天线与开关装置102等开关装置之间的相移通过例如传输线110等将天线耦合到开关装置 的传输线的阻抗固定。 在本发明一实施例中，开关装置102可在至少两种可选择相移模式中的一种中运 行。当第一相移模式被选择时，例如，被选择的开关臂的第一相移开关支路(图1未示出) 可被使能，被选择的开关臂的第二相移开关支路(图1未示出)可被解除使能。例如，当 第二相移模式被选择时，被选择的开关臂的第一相移开关支路可被解除使能，第二相移开关支路可被解除使能。开关装置102的所选择的开关臂的第一相移开关支路可包含移相器
(图1未示出)，其可将开关装置的相位移动预定的量，例如45. 0度。所选择的开关臂的第
二相移开关支路可包含多个串联耦合的FET，其提供大约为0. 0度的相移。换句话说，第二
相移开关支路中的串联耦合FET不会显著移动或改变开关装置的相位。 在当前实施例中，IMD3可通过选择所选择开关臂的提供带外阻塞信号——例如阻
塞器信号132——的最大衰减量的特定相移模式来减小。例如，如果所选择开关臂的第一
相移开关支路提供与第二相移开关支路相比较大的阻塞器信号衰减，第一相移模式可被选
择，反之亦然。因此，本发明的开关装置102的一实施例可通过适当地选择至少两个相移
模式中的一个以使能开关装置的所选择开关臂的对应相移开关支路来有利地对于减小的
IMD3调谐，即增加的IMD3特性。本发明的开关装置的实施例进一步在下面结合图2、4来介绍。 图2示出了根据本发明一实施例的开关装置202的原理图。在图2中，开关装置 202和开关臂204、206分别对应于图1的通信系统100中的开关装置102以及开关臂104、 106。开关装置202包含开关臂204，其包含开关组(switching block) 208和相移开关支 路210以及212 ;开关臂206，其包含开关组214以及相移开关支路216以及218。开关装 置202也包含信号输入220、222以及信号输出224 (其在本申请中也被称为"共用输出"，并 对应于图1中的公用输出节点124)以及控制电压输入226、228、230、232、234、236。开关装 置202可在一个半导体芯片上制造。 如图2所示，开关臂204和206耦合在开关装置202的信号输出224和相应的信 号输入220、222之间。在开关臂204中，开关组208的第一端子在节点238上耦合到信号 输出224，开关组208的第二端子在节点240上耦合到相移开关支路210和212的第一端 子，相移开关支路210与212的第二端子在节点242上被耦合到信号输入220。因此，相移 开关支路210和212并联耦合在节点240与242之间。 另外如图2所示，开关组208包含多个FET，例如FET 242，其在节点238和240之 间串联耦合在一起。开关组208中的各个FET可为例如NFET。在当前实施例中，开关组208 可包含4个FET。在其他的实施例中，开关组208可包含两个或多于两个的串联耦合FET。 在开关组208中，电阻器244等电阻器在节点248上将各个FET的栅极耦合到到控制电压 输入226，电阻器246等电阻器耦合在各个FET的漏极与源极之间。开关组208也包含电容 器250，其耦合在FET 242的漏极与栅极之间。 进一步如图2所示，相移开关支路210包含移相器252，其具有耦合到FET 254的 源极的输出端子以及耦合到FET 256的漏极的输出端子。在相移开关支路210中，电阻器 244等电阻器将FET 254与FET 256各自的栅极在节点258上耦合到控制电压输入228，电 阻器246等电阻器耦合在FET 254与FET 256各自的漏极与源极之间。移相器252可以为 例如LC电路，其可以为低通滤波器，例如Pi型或T型低通滤波器。LC电路可包含电感器和 电容器的布置，其值被选择为提供希望程度的相移，例如45. 0度的相移。在其他的实施例 中，移相器252可包含一个移相部件，例如电感器或电容器。相移开关支路210还包含电容 器，例如电容器250，其被耦合在FET 256的源极与栅极之间。FET 254和256各自可以为 例如NFET。在其他的实施例中，相移开关支路210可包含两个或多于两个的串联耦合FET， 其进一步耦合到移相器252的输入和/或输出端子。
另外如图2所示，相移开关支路212包含FET 260与262，其串联耦合在节点240 和242之间。在相移开关支路212中，电阻器244等电阻器将FET 260和262各自的栅极 耦合到节点264上的控制电压输入230，电阻器246等电阻器耦合在FET 260与262各自的 漏极与源极之间。相移开关支路212也包含电容器250等电容器，其被耦合在FET 262的 栅极与源极之间。FET 260与262各自可以为例如NFET。在当前实施例中，相移开关支路 212可包含两个串联耦合FET。在一个实施例中，相移开关支路212可包含两个以上的串联 耦合FET。 进一步如图2所示，在开关臂206中，开关组214的第一端子在节点238上耦合到 信号输出224，开关组214的第二端子在节点266上耦合到相移开关支路216和218的第一 端子，相移开关支路216和218的第二端子在节点268上耦合到信号输入222。另外如图2 所示，开关组214包含多个FET，例如FET 270，其在节点238和266之间串联耦合在一起。 开关组214的各个FET可以为例如NFET。在当前实施例中，开关组214可包含四个FET。 在其他的实施例中，开关组214可包含两个或两个以上的串联耦合FET。在开关组214中， 电阻器272等电阻器将各个FET的栅极耦合到节点274上的控制电压输入232，电阻器276 等电阻器耦合在各个FET的漏极与源极之间。开关组214还包含电容器278，其耦合在FET 270的漏极与源极之间。 另外如图2所示，相移开关支路216包含移相器280，其具有耦合到FET 282的源 极的输出端子以及耦合到FET 284的漏极的输出端子。在相移开关支路216中，电阻器272 等电阻器将FET 282和284各自的栅极耦合到节点286上的控制电压输入234，电阻器276 等电阻器耦合在FET 282和284各自的漏极与源极之间。移相器280可为例如LC电路，其 可为低通滤波器，例如Pi型或T型低通滤波器。LC电路可包含电容器和电感器的布置，其 值被选择为提供希望程度的相移，例如45. 0度相移。在其他的实施例中，移相器280可包 含移相部件，例如电感器或电容器。 在当前实施例中，移相器280可提供与相移开关支路210中的移相器252相同程 度的移相。在另一实施例中，移相器280可提供与移相器252相比不同程度的移相。相移 开关支路216还包含电容器，例如电容器278，其被耦合在FET 284的栅极与源极之间。FET 282和284各自可以为例如NFET。在其他的实施例中，相移开关支路216可包含两个或两 个以上的串联耦合FET，其进一步耦合到移相器280的输入和/或输出端子。
另外如图2所示，相移开关支路218包含FET 288与290，其串联耦合在节点266 和268之间。在相移开关支路218中，电阻器272等电阻器将FET 288和290各自的栅极 耦合到节点292上的控制电压输入236，电阻器276等电阻器耦合在FET 288与290各自的 漏极与源极之间。相移开关支路218也包含电容器278等电容器，其被耦合在FET 290的 栅极与源极之间。FET 288与290各自可以为例如NFET。在当前实施例中，相移开关支路 218可包含两个串联耦合FET。在一个实施例中，相移开关支路218可包含两个以上的串联 耦合FET。 在开关臂204中，控制电压输入226、228、230各自可接收高控制电压(VH)，以便 选择即使能相应的开关组208以及相移开关支路210和212，或接收低控制电压(VL)，以便 解除使能相应的开关组208以及相移开关支路210和212。类似地，在开关臂206中，控制 电压输入232、234、236各自可接收VH以选择或接收VL以解除使能相应的开关组214以及相移开关支路216和218。 VH可以为例如大约3. 0伏和大约7. 0伏之间，VL可以为例如大 约0. 0伏。控制电压输入228、230、234、236在本申请中也被称为"相位选择端子"并为其 实例。 开关装置202的运行现在将参照图1的通信系统100进行讨论，其中，天线108通 过传输线IIO耦合到开关装置202的信号输出224，来自功率放大器116的发送信号130经 由双工器112被耦合到开关装置202的信号输入220。对于下面的讨论，开关装置处于开关 臂204被选择即被使能且开关臂206被解除选择即解除使能的运行状态。然而，下面的讨 论也适用于开关臂206被选择且开关臂204被解除使能的开关装置202的运行状态。
开关臂204可通过向控制电压输入226施加VH即高控制电压从而使能开关组208 以及通过选择两个相移模式中的一个来选择。例如，第一相移模式可通过将VH施加到第一 相位选择端子即控制电压输入228从而使能相移开关支路210以及通过将VL即低控制电 压施加到第二相位选择端子即控制电压输入230从而解除使能相移开关支路212来选择。 例如，第二相移模式可通过将VL施加到第一相位选择端子以便解除使能相移开关支路210 以及通过将VH施加到第二相位选择端子从而使能相移开关支路212来选择。
如上面所讨论的，作为从天线108被耦合到信号输出224的例如图1的阻塞器信 号132等带外阻塞器信号与耦合到信号输入220的发送信号130之间交互的结果由开关装 置202产生的MD3(三阶互调失真)受到天线108和信号输出220之间的相移的影响。例 如，天线108和信号输出220之间45. 0度的相移可产生较低水平的MD3，而75. 0度的相移 可产生较高水平的頂D3。在当前实施例中，开关装置202可通过选择导致阻塞器信号132 的较大衰减的相移模式来调谐，并由此提供较低水平的MD3。在第一相移模式中，相移开关 支路210被使能，由此导致由移相器252所提供的预定量的相移被加到天线108和信号输 出220之间的已有量的相移。在第二相移模式中，相移开关支路212被使能，由此将基本上 为0. 0度的相移加到天线108和信号输入220之间的已有相移。 当开关臂204被选择时，开关臂206可通过将VL施加到控制电压输入232、234、 236以便解除使能相应的开关组214以及相移开关支路216、218来解除使能。当开关臂204 被选择时，信号输入220被耦合到信号输出224，使得信号输入220上的RF信号——例如 发送信号130——被允许经过相移开关支路210或相移开关支路212(取决于选择哪一相 移模式)以及开关组208到信号输出224。信号输出224上的RF信号在节点238上提供 峰值RF电压(Vrf)，其在开关组214的各个FET的栅极/漏极和栅极/源极结之间均分。 开关组214(或开关组208，当开关臂206被选择时)需要足够数量的串联耦合FET来防止 开关组中的FET的栅极/漏极以及栅极/源极结上的电压导致FET偏置电压达到剪断电压 (pinch-offvoltage)并由此增大谐波产生且降低MD性能。 传统的开关装置可包含两个开关臂，其中，各个开关臂可包含多个串联耦合FET。 在一种方案中，頂D3可通过增多各个开关臂中的FET的数量在传统开关装置中减少。然而， 这种方法可不受欢迎地增大芯片尺寸并增大开关装置中的信号损耗。在另一方案中，电荷 泵可被使用，以便增大用于使能所选择的开关臂的控制电压，其可通过防止解除使能的开 关臂中的FET上的偏置电压达到剪断电压来减小MD3。然而，电荷泵可增大成本和芯片尺 寸，并可需要复杂的技术来实现。 通过提供可选择的相移模式来对于减小的IMD调谐开关装置，本发明的开关装置有利地实现了增加的MD3性能，同时，避免了不希望的效应，例如增大的成本、芯片面积以 及信号损耗和实现复杂度，它们可能由于使用传统的方案来减少传统开关装置中的頂D3 而导致。 图3A显示出根据本发明一实施例的LC电路300的原理图。LC电路300示出了移 相器的实现，例如移相器252和280，其用在本发明的开关装置的一实施例的相移开关支路 中，例如图2的开关装置202中。LC电路300为Pi型低通滤波器，其具有输入端子302和 输出端子304，并包含电感器306和电容器308及310，其中，电感器306以Pi型配置被耦 合在电容器308和310之间。电感器306和电容器308以及310的值可被选择为提供本发 明的开关装置的一实施例中的希望的相移。 图3B显示出根据本发明一实施例的LC电路320的原理图。LC电路320示出了移 相器的实现，例如移相器252和280，其用在本发明的开关装置的一实施例的相移开关支路 中，例如图2中的开关装置202。 LC电路320为Pi型低通滤波器，其具有输入端子322和 输出端子324，并包含电容器326和电感器328及330，其中，电容器326以Pi型配置被耦 合在电感器328和330之间。电容器326和电感器328以及330的值可被选择为提供本发 明的开关装置的一实施例中的希望的相移。 图3C显示出根据本发明一实施例的LC电路350的原理图。LC电路350示出了移 相器的实现，例如移相器252和280，其用在本发明的开关装置的一实施例的相移开关支路 中，例如图2中的开关装置202。 LC电路350为T型低通滤波器，其具有输入端子352和输 出端子354，并包含电容器360和电感器356及358，其中，电容器360以T型配置被耦合在 电感器356和358之间。电容器360和电感器356以及358的值可被选择为提供本发明的 开关装置的一实施例中的希望的相移。 图3D显示出根据本发明一实施例的LC电路370的原理图。LC电路370示出了移 相器的实现，例如移相器252和280，其用在本发明的开关装置的一实施例的相移开关支路 中，例如图2中的开关装置202。 LC电路370为T型低通滤波器，其具有输入端子372和输 出端子374，并包含电容器376及378和电感器380，其中，电感器380以T型配置被耦合在 电容器376和378之间。电容器376以及378和电感器380的值可被选择为提供本发明的 开关装置的一实施例中的希望的相移。 图4显示出根据本发明一实施例的开关装置400的原理图。在图4中，开关装置 400的开关组408和414以及非相移开关支路412和418分别对应于图2中的开关装置202 的开关组208与214、非相移开关支路212与218。另外，除了各个相移开关支路提供的相 移量以外，开关装置400中的相移开关支路420和422各自对应于开关装置202的相移开 关支路210，开关装置400中的相移开关支路424和426各自对应于开关装置202中的相 移开关支路216。开关装置400可在通信系统中使用，例如图1中的通信系统100，以便有 选择地将两个或两个以上的双工器——例如双工器112和114——耦合到天线，例如天线 108。开关装置400也可在需要具有减小的IMD3的高频开关装置的其他应用中使用。
开关装置400包含开关臂404和开关臂406，开关臂404包含开关组408和相移开 关支路412、420和422，开关臂406包含开关组414以及相移开关支路418、424、426。开关 装置400还包含信号输入428和430 ;信号输出432，其在本申请中也被称为"共用输出"; 控制电压输入434、436、438、440、442、444、446、448。控制电压输入436、438、440、444、446、
9448在本申请中也被称为"相位选择端子"。开关装置400可在一个半导体芯片上制造。
如图4所示，开关臂404和406耦合在开关装置400的信号输出432和相应的信 号输入428以及430之间。在开关臂404中，开关组408耦合在节点450和452之间，相移 开关支路412、420、422并联耦合在节点452以及节点454上的信号输入428之间。相移 开关支路420和422包含相应的移相器462和460，其可提供不同程度的相移。在开关臂 406中，开关组414耦合在节点450和456之间，相移开关支路418、424、426并联耦合在节 点456以及节点458上的信号输入430之间。相移开关支路424和426包含相应的移相器 466和464，其可提供不同程度的相移。移相器460、462、464、466各自可包含例如LC电路， 例如相应的附图3A、3B、3C、3D中的LC电路300、320、350或370。在其他的实施例中，移相 器460、462、464、466各自可包含移相部件，例如电感器或电容器。 与开关装置202形成对比的是，开关装置400包含各个开关臂中附加的相移开关 支路。因此，在运行中，相比于开关装置202，可在开关装置400中选择附加相移模式，以便 减小开关装置中的頂D。在开关装置400中，开关臂404可通过将VH即高控制电压施加到 控制电压输入434以使能开关组408以及通过选择三种相移模式中的一种来选择。例如，第 一移相模式可通过将VH施加到第一相位选择端子即控制电压输入436从而使能相移开关 支路412而选择，第二相移模式可通过将VH施加到第二相位选择端子即控制电压输入438 以使能相移开关支路422来选择，或者，第三相移模式可通过将VH施加到第三相位选择端 子即控制电压输入440以使能相移开关支路420来选择。当特定的相移模式被选择时，未 被选择的相移开关支路可通过将VL施加到未被选择的相移开关支路的相应的相位选择端 子来解除使能。 第一相移模式可提供大约0. 0度的相移，第二相移模式可提供由相移开关支路 422中的移相器460决定的相移，第三相移模式可提供由相移开关支路420中的移相器462 决定的相移。通过使用具有附加移相器的附加相移开关支路，开关装置400可提供相比于 图2中的开关装置202较小的相位调节步进。结果，开关装置400的相位可得到更为精细 的调谐，以实现减小的MD，例如MD3。开关装置400也提供与上面关于开关装置200讨论 的类似的优点。在其他的实施例中，本发明的开关装置可包含三个以上的移相模式。
因此，如在图1、2、4的实施例中所讨论的，本发明提供了一种开关装置，例如高频 开关装置，其具有有着多个可选择相移模式的可选择的开关臂。通过适当地选择所选择的 开关臂的相移模式中的一种，本发明的开关装置的相位可被调谐为有利地减小开关装置中 的MD3。 由上面的对本发明的介绍，可以明了，在不偏离其范围的情况下，多种技术可用于 实现本发明的构思。另外，尽管特别参照特定实例介绍了本发明，本领域技术人员将会明 了，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可在形式和细节上作出改变。因此，所介绍的 实施例被认为是在所有方面是说明性而不是限制性的。应当明了，本发明不限于这里介绍 的特定实施例，而是能够在不脱离本发明的范围的情况下具有许多重新布置、修改和替代。
因此，已经介绍了具有减小的互调失真的开关装置。
权利要求
一种具有在至少两种相移模式之间进行选择以减小开关装置中的互调失真的相位选择端子的开关装置，所述开关装置包含第一相位选择端子，用于通过使能第一相移开关支路中的第一移相器来选择所述开关装置的第一相移模式；第二相位选择端子，用于通过使能第二相移开关支路来选择所述开关装置的第二相移模式；其中，所述互调失真通过选择所述第一与第二相移模式中的一种来减小。
2. 根据权利要求l的开关装置，其还包含串联耦合在所述开关装置的输出和所述第一 与第二相移开关支路之间的多个FET。
3. 根据权利要求1的开关装置，其中，所述第一移相器被耦合在所述第一相移开关支 路中的两个FET之间。
4. 根据权利要求1的开关装置，其中，所述第一移相器包含LC电路。
5. 根据权利要求l的开关装置，其中，所述第二相移开关支路包含至少两个串联耦合 的FET。
6. 根据权利要求1的开关装置，其中，所述开关装置的输入被耦合到双工器。
7. 根据权利要求l的开关装置，其中，所述开关装置的输出被耦合到天线。
8. —种具有减小的互调失真的开关装置，所述开关装置包含 第一开关臂，其被耦合到所述开关装置的共用输出和第一输入；所述第一开关臂包含并联耦合的多个相移开关支路，所述多个相移开关支路中的第一 个包含第一移相器；其中，所述多个相移开关支路中的一个被选择，从而减小所述开关装置的所述互调失真。
9. 根据权利要求8的开关装置，其中，所述第一开关臂还包含串联耦合在所述共用输 出和所述多个相移开关支路之间的多个FET。
10. 根据权利要求8的开关装置，其中，所述第一移相器被耦合在所述第一相移开关支 路中的两个FET之间。
11. 根据权利要求8的开关装置，其中，所述多个相移支路中的第二个包含串联耦合的 多个FET。
12. 根据权利要求8的开关装置，其中，所述第一移相器包含LC电路。
13. 根据权利要求8的开关装置，其中，所述第一移相器选自电容器和电感器。
14. 根据权利要求8的开关装置，其中，所述第二相移开关臂中的第二个包含第二移相器。
15. 根据权利要求8的开关装置，其还包含耦合到所述开关装置的所述共用输出以及 第二输入的第二开关臂。
16. 根据权利要求8的开关装置，其中，所述共用输出被耦合到天线。
17. —种通信系统，其包含开关装置，其被耦合在天线和至少一个双工器之间，所述开关装置包含第一开关臂，其被耦合到所述开关装置的共用输出和第一输入；所述第一开关臂包含并联耦合的多个相移开关支路，所述多个相移开关支路中的第一个包含第一移相器；其中，所述多个相移开关支路中的一个被选择，从而减少所述开关装置的互调失真。
18. 根据权利要求17的通信系统，其中，所述通信系统使用选自GSM和W-CDMA的通信 标准。
19. 根据权利要求17的通信系统，其中，所述第一移相器耦合在所述第一相移开关支 路中的两个FET之间。
20. 根据权利要求17的通信系统，其中，所述第一移相器包含LC电路。
全文摘要
根据一示例性实施例，具有在至少两种相移模式中间进行选择以减小开关装置中的互调失真的相位选择端子的开关装置包含通过使能耦合到开关装置的输入的第一相移开关支路中的第一移相器来选择开关装置的第一相移模式的第一相位选择端子。开关装置还包含第二相位选择端子，其通过使能耦合到开关装置输入的第二相移开关支路来选择开关装置的第二相移模式。开关装置中的互调失真通过选择第一与第二相移模式中的一种来减小。开关装置还可包含串联耦合在开关装置的输出和第一与第二相移开关支路之间的多个FET。
文档编号H03K17/00GK101743691SQ200880024531
公开日2010年6月16日 申请日期2008年7月3日 优先权日2007年7月13日
发明者D·普里科霍德克, G·A·特卡琴科, O·克利马舍夫, R·A·卡特, S·C·斯普林克尔, S·纳博金 申请人:斯盖沃克斯瑟路申斯公司