专利名称：多路功率mosfet驱动输出短路保护电路的制作方法
技术领域：
多路功率M0SFET驱动输出短路保护电路
所属技术领域
本实用新型涉及一种短路保护电路，尤其是应用于多路功率MOSFET驱动输出电路的短路保护。
背景技术：
在很多控制设备会用到多路功率M0SFET驱动输出电路，由于功率M0SFET通常只能承受毫秒级的负载短路，因此功率MOSFET驱动输出的短路保护非常重要。目前，常用的功率M0SFET驱动输出短路保护方案有选用带短路保护的功率M0SFET、每路功率MOSFET加自恢复保险丝等。前一方案主要缺点是带短路保护的功率MOSFET成本高，并且这类功率M0SFET的器件型号规格少，选型比较困难；后一方案的缺点是自恢复保险丝的短路切断速度较慢、切断电流的离散性较大，保护不可靠，并且每路都要加自恢复保险丝，成本高、占线路板面积大。
发明内容
为了解决常规多路功率MOSFET驱动输出短路保护电路存在的成本高、器件选型困难、短路切断速度慢、保护不可靠等问题，本实用新型提供一种多路功率MOSFET驱动输出集中短路保护的方案，具有电路简单、成本低、保护可靠的特点。 本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是由电源电压检测电路、带复位输入脚的寄存器锁存驱动电路、功率MOSFET输出电路组成。其中，电源电压检测电路由电阻分压、电压检检测芯片构成。在电源电压检测电路中，负载总电源经由电阻分压，然后输入到电压检测芯片，电压检测芯片的输出经过由小信号MOSFET管构成的电平匹配电路连接到寄存器复位脚，寄存器锁存输出连接到多路功率M0SFET，这多路功率M0SFET的驱动输出负载共用电源。当有功率MOSFET驱动输出负载短路时，将引起负载总电源电压的快速下降，此电压下降经分压电路传送到电压检测芯片，电压检测芯片迅速改变输出状态，经电平匹配电路产生短路复位信号，复位寄存器的各路输出，即迅速关闭所有功率MOSFET。从负载短路到关闭功率MOSFET的过程小于lms，由于功率MOSFET具有承受毫秒级的大脉冲电流能力，因此可以可靠的保护功率MOSFET。 本实用新型的有益效果是，可以可靠的保护多路功率M0SFET，免遭负载短路而损坏，并具有电路简单、成本低、保护可靠的特点。
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。 图1是本实用新型多路功率MOSFET驱动输出短路保护电路一种实施例的电路原理图。
具体实施方式
在图1中，U1是电压检测芯片，U2是具有复位脚的寄存器芯片，根据输出路数可以是多个寄存器芯片，Q2 Q2n是多个功率MOSFET，驱动RL0 RLn多路负载，这些负载共用电源VCC1。电阻Rl、 R2串联对负载总电源VCC1进行分压，分压输出连接到电压检测芯片Ul，电压检测芯片Ul的短路复位输出信号连接到由小信号M0SFET管Ql和电阻R3构成的电平匹配电路，电平匹配电路输出连接到寄存器芯片U2的复位脚，寄存器芯片U2的锁存输出经电阻R4 R4n连接到功率MOSFET Q2 Q2n，功率M0SFET驱动负载RL0 RLn，负载RL0 RLn连接到电源VCC1 。
权利要求一种多路功率MOSFET驱动输出短路保护电路，其特征在于该保护电路由电源电压检测电路、带复位输入脚的寄存器锁存驱动电路、功率MOSFET输出电路组成，通过对负载总电源电压的监测，检出功率MOSFET的驱动输出负载短路所引起的电源电压下降，检出的负载短路信号连接至寄存器复位脚，快速复位寄存器来关闭所有功率MOSFET的输出，实现多路功率MOSFET驱动输出短路保护。
2. 根据权利要求1所述的多路功率MOSFET驱动输出短路保护电路，其特征是电源电压检测电路由电阻分压、电压检测芯片构成，电源电压经电阻分压后输入到电压检测芯片，当电源电压因功率MOSFET驱动输出短路引起电源电压下降时输出短路信号。
3. 根据权利要求1所述的多路功率MOSFET驱动输出短路保护电路，其特征是功率MOSFET输出电路所驱动的多路负载共用电源。
专利摘要一种多路功率MOSFET驱动输出短路保护电路，由电源电压检测电路、带复位输入脚的寄存器锁存驱动电路、功率MOSFET输出电路组成，通过对负载总电源电压的监测，检出功率MOSFET的驱动输出负载短路所引起的电源电压下降，检出的负载短路信号连接至寄存器复位脚，快速复位寄存器来关闭所有功率MOSFET的输出，实现多路功率MOSFET驱动输出短路保护。本实用新型的有益效果是，可以可靠的保护多路功率MOSFET，免遭负载短路而损坏，并具有电路简单、成本低、保护可靠的特点。
文档编号H03K19/007GK201523373SQ20092019046
公开日2010年7月7日 申请日期2009年7月29日 优先权日2009年7月29日
发明者陈小强 申请人:杭州科强智能控制系统有限公司