弹性波装置及其制造方法

专利名称：弹性波装置及其制造方法
技术领域：
本发明涉及弹性表面波(SAW:surface acoustic wave)装置及压电薄膜谐振器 (FBAR.Film Bulk Acoustic Resonator)等弹性波装置及其制造方法。
背景技术：
公知有以小型化等为目的的所谓的晶圆封装的弹性波装置。在该弹性波装置中， 配置于元件基板的表面上的激励电极收容于振动空间内并被树脂密封。换言之，激励电极由罩部件覆盖。另外，与激励电极连接的柱状的端子竖立设置于元件基板的表面。柱状的端子的前端侧部分(元件基板的表面的相反侧的部分)从罩部件露出。而且，弹性波装置通过将柱状端子的露出部分与电路基板的软钎焊等而安装于电路基板上。专利文献1公示有一种弹性波装置，其柱状的端子的前端侧部分的直径比根侧部分(元件基板的表面侧的部分)的直径大的锥状(倒锥状)。弹性波装置有时由于重力及落下冲击等，而被作用向从电路基板离开的方向的力。这时，弹性波装置的端子由于前端侧部分被固定于电路基板，所以能够施加从罩部件抽出的方向的力。因此，优选提供能够抑制端子从罩部件抽出的弹性波装置及其制造方法。专利文献1 日本专利特开2007-208665号公报

发明内容
本发明一实施方式的弹性波装置具有基板，其传播弹性波；柱状的端子，其配置于所述基板的表面上，高度方向的至少第一区域的其所述表面侧的截面积比其所述表面的相反侧的截面积大；激励电极，其配置于所述基板的表面上，且与所述端子电连接；罩部件，其覆盖所述端子的所述第一区域的侧面。本发明一实施方式的弹性波装置的制造方法包括在传播弹性波的基板的表面上配置激励电极的工序；形成与所述激励电极电连接，配置于所述表面上，且高度方向的至少第一区域的所述表面侧的截面积比所述表面的相反侧的截面积大的柱状的端子的工序；在所述激励电极上形成中空的振动空间，并且形成覆盖所述端子的侧面的罩部件的工序。发明效果根据所述的弹性波装置，能够抑制弹性波装置的端子从罩部件抽出。


图1(a)及(b)是表示本发明实施方式的SAW装置的示意的俯视图及剖面图；图2(a) (d)是用于说明图1(a)及图1(b)的SAW装置的制造方法的示意的剖面图；图3(a) (d)是表示图2(d)的继续部分的示意的剖面图；图4(a)及(b)是表示图3(d)的继续部分的示意的剖面图5(a) (c)是表示本发明第一 第三变形例的SAW装置的示意的剖面图；图6(a) (d)是说明本发明第四变形例的SAW装置的制造方法的示意的剖面图；图7是表示本发明第五变形例的SAW装置的示意的剖面图。
具体实施例方式〈SAW装置的构造〉图1 (a)是表示本发明实施方式的SAW装置1的示意的俯视图。图1 (b)是图1 (a) 的rt-Ib线的示意的剖面图。另外，图1(a)及(b)是为了容易地理解SAW装置1而示意性表示SAW装置1的图，在实施时，可以适当地设定SAW装置1的各部分的大小、数量、形状等。SAW装置1具有压电基板3、配置于压电基板3上的SAW元件5、用于保护SAW元件5的保护层7及罩部件9、用于将SAW元件5与未图示的电子电路电连接的连接用导体 11、连接强化层13及端子15。压电基板3为例如钽酸锂单晶、铌酸锂单晶等具有压电性的长方体状的单晶基板。压电基板3具有第一表面3a、其背面侧的第二表面北。另外，在图1(a)及图1(b)中， 例示了仅在第一表面3a上配置有电极等的情况，但是，也可以在第二表面北上配置电极寸。SAff元件5具有形成于压电基板3的第一表面3a的多对梳状电极(IDT电极)6。 梳状电极6具有向与压电基板3的SAW的传播方向(图1 (a)及图1 (b)的纸面左右方向) 正交的方向延伸的多个电极指。一对梳状电极6以各电极指相互啮合的方式形成。另外，图1(a)及图1(b)为示意图，因此，仅表示由具有两根电极指的梳状电极6 和具有三根电极指的梳状电极6构成的一对梳状电极6。实际上，也可以设置多对具有比上述多的电极指的梳状电极。另外，多个SAW元件5也可以以串联连接及并联连接等方式连接，构成梯型SAW滤波器或双重模式SAW谐振器滤波器等。在SAW元件5的两端也可以设置具有梳状电极的反射器(也可以当作SAW元件5的一部分。)。SAW元件5例如由Al-Cu 合金等Al合金形成。保护层7覆盖SAW元件5，有助于防止SAW元件5的氧化等。保护层7例如由具有绝缘性并且质量轻的材料形成为不对SAW的传播产生影响的程度。例如，保护层7由氧化硅、氮化硅、硅等构成。罩部件9从保护层7的上方覆盖SAW元件5。但是，罩部件9在SAW元件5上构成容易使SAW伝播的振动空间17。换言之，罩部件9具有构成振动空间17的内壁19a的壁部 19、构成振动空间17的顶部21a的盖部21。构成壁部19的层的厚度(壁部19距第一表面3a的高度)及盖部21的厚度可以适当地设定。例如，该厚度为数Pm 30μπι。壁部19及盖部21例如形成大致同等的厚度。壁部19和盖部21可以由分体的材料形成，也可以由不同的材料形成。壁部19或盖部21例如由通过照射紫外线及可见光线等光而固化的光固化性材料形成。换言之，壁部 19及盖部21由负型光致抗蚀剂形成。光固化性材料为例如通过丙烯酸基或甲基丙烯酸基等的自由基聚合而固化的树脂，更具体而言为氨酯丙烯酸酯系、聚酯丙烯酸酯系、环氧丙烯酸酯系的树脂。
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如图1(b)所示，振动空间17形成为剖面为大致矩形状，并且，盖部21侧的角部由曲面构成。换言之，构成振动空间17的内壁19a随着从基板3的第一表面3a的离开而向内方倾斜。振动空间17的平面形状(俯视情况下第一表面3a的形状)可以适当地设定。 例如，振动空间17的平面形状形成为矩形状。振动空间17的大小可以适当地设定。连接用导体11用于连接SAW元件5和端子15。连接用导体11例如与SAW元件5 相同，形成于压电基板3的第一表面3a上。连接用导体11没有特别图示，但是，在第一表面3a上以适当的图案形成，并与SAW元件5连接。另外，连接用导体11在端子15的配置位置形成为具有与端子15的第一表面3a侧的端面同等以上的宽度。连接用导体11例如由与SAW元件5相同的材料形成，并且，形成为与SAW元件5相同的厚度。连接强化层13用于增强较薄地形成的连接用导体11，强化连接用导体11和端子 15的连接。连接强化层13在端子15的配置位置与连接用导体11层叠。另外，连接强化层 13形成为具有与端子15的第一表面3a侧的端面同等以上的宽度。连接强化层13例如由连接用导体11和连接强化层13以达到与保护层7大致同等的厚度的方式形成，并从保护层7露出。连接强化层13例如由铬及镍形成。端子15设置于连接强化层13上。因此，端子15经由连接强化层13及连接用导体11与SAW元件5电连接。另外，端子15形成为柱状，相对于第一表面3a竖立设置。而且，端子15的前端侧部分从罩部件9露出，能够与未图示的电路基板等连接。端子15例如由焊锡、Cu、Au、Ni形成。端子15具有构成柱状部分的根侧部分且侧面被壁部19覆盖的第一柱部23、构成柱状部分的前端侧部分且侧面被盖部21覆盖的第二柱部25、从盖部21露出的凸台27。第一柱部23及第二柱部25分别形成为第一表面3a侧的直径比第一表面3a的相反侧的直径大的锥状。换言之，端子15至少在其局部(第一区域)，使第一表面3a侧的截面积比第一表面3a的相反侧的截面积大。另外，即可将第一柱部23认作第一区域，也可将第二柱部25认作第一区域。第一柱部23的第二柱部25侧的端面的直径比第二柱部25的第一柱部23侧的端面的直径小，在第一柱部23和第二柱部25的边界形成有第一表面3a 的相反侧的直径比第一表面3a侧的直径大的台阶四。第一柱部23及第二柱部25例如形成为大致同一大小及形状。更具体而言，第一柱部23及第二柱部25的与第一表面3a相反侧的端面的形状及直径彼此大致同样，另外， 锥面倾斜彼此大致相同。凸台27的面积例如形成为比第二柱部25的与第一表面3a相反侧的端面大，外周部层叠于罩部件9上。另外，第一表面3a的俯视情况下的第一柱部23、第二柱部25及凸台27的形状可以适当地设定。例如这些形状为圆形。另外，第一表面3a的俯视情况下的第一柱部23、第二柱部25及凸台27的大小与第一表面3a的俯视情况下的振动空间17的大小相比小。作为一例，第一表面3a在俯视情况下，相对于振动空间17的大小500 μ mX500 μ m，端子15的直径为100 μ m。〈SAW装置的制造方法>图2(a) 图4(b)是用于说明SAW装置1的制造方法的示意的剖面图。SAff装置1的制造方法大致包括SAW元件5的形成工序(图2 (a))、罩部件9的形成工序(图2(c) 图3(d))、端子15的形成工序(图4(a)及图4(b))。具体如下。如图2 (a)所示，首先，在压电基板3的第一表面3a上形成SAW元件5及连接用导体11。具体而言，首先，利用溅射法、蒸镀法或CVD(ChemiCal Vapor Deposition)法等薄膜形成法，在压电基板3的第一表面3a上形成金属层。其次，对于金属层，通过使用了缩小投影式曝光机(逐次移动式曝光装置)和RIE (Reactive Ion Etching)装置的光刻法等进行构图。由此，形成SAW元件5及连接用导体11。在形成SAW元件5及连接用导体11后，如图2 (b)所示，形成保护层7及连接强化层13。保护层7及连接强化层13哪一个都可以最先形成。例如，首先，以覆盖SAW元件5 及连接用导体11之上的方式利用CVD法或蒸镀法等薄膜形成法形成成为保护层7的薄膜。 其次，以连接用导体11中在端子15的配置位置的部分露出的方式，利用光刻法除去薄膜的一部分。由此，形成保护层7。再次，利用蒸镀法等在连接用导体11的露出部分及保护层7 上形成金属层，并且，利用光刻法等除去保护层7上的金属层。由此，形成连接强化层13。在形成保护层7及连接强化层13时，如图2(c) 图3(a)所示，形成壁部19。具体而言，首先，如图2(c)所示，在保护层7及连接强化层13上形成构成壁部19 的壁部构成层31。壁部构成层31例如通过粘贴由负型光致抗蚀剂形成的薄膜而形成。其次，如图2(d)所示，经由光掩模33向壁部构成层31照射紫外线等光。S卩，进行曝光处理。光掩模33例如通过在透明基板35上形成遮光层37而构成。遮光层37配置于与应除去壁部构成层31的位置对应的位置。即，配置于与振动空间17的配置位置及端子 15的配置位置对应的位置。另外，曝光即可以是投影式曝光，也可以是接近式曝光，还可以密接式曝光。之后，如图3(a)所示，进行显影处理，使壁部构成层31中照射了光的部分残留，除去未被照射光的部分。由此，在壁部构成层31形成成为振动空间17的开口部39、配置第一柱部23的第一孔部41。S卩，形成壁部19。在此，在壁部构成层31的被照射光的区域的缘部，被照射的光向壁部构成层31的未照射光的区域发散，因此，光不能充分到达第一表面3a侧。因此，对于壁部构成层31的被照射光的区域的缘部，第一表面3a侧不能被充分固化而被除去。其结果，第一孔部41形成为越靠向第一表面3a侧直径越大的锥状(顺锥状)。同样，开口部39也形成为越靠近第一表面3a侧直径越大的锥状(顺锥状)。但是，开口部39比第一孔部41大，在俯视情况下缘部为直线状等，因此，形成开口部39的区域与形成第一孔部41的区域相比，光容易发散。因此，在剖面图中，第一孔部41的整体成为锥状，与之相对，开口部39中，仅与第一表面3a侧相反的一侧的部分成为锥状。另外，在剖面图中，开口部39的锥面成为上下压缩了第一孔部41的锥面的形状，由此，与第一孔部 41的锥面相比曲率变大，作为曲面容易被识别。在形成第一孔部41及开口部39后，如图3(b) 图3(d)所示，形成盖部21。具体而言，首先，如图3(b)所示，在壁部19上形成构成盖部21的盖部构成层43。 盖部构成层43例如通过粘贴由负型光致抗蚀剂形成的薄膜而形成。通过形成盖部构成层 43，壁部19的开口部39(图3(a))被堵塞，构成振动空间17。另外，优选壁部构成层31和盖部构成层43通过加热而接合。其次，如图3(c)所示，经由光掩模45向盖部构成层43照射紫外线等光。S卩，进行曝光处理。光掩模45与光掩模33相同，通过在透明基板47上形成遮光层49而构成。遮光层49配置于与应除去盖部构成层43的位置对应的位置。即，配置于与端子15的配置位置对应的位置。光掩模45例如成为在光掩模33中除去了遮光层37中与振动空间17对应的部分的构成。另外，曝光也可以是投影式曝光，也可以是接近式曝光，还可以密接式曝光。之后，如图3(d)所示，进行显影处理，使盖部构成层43中被照射了光的部分残留， 除去未被照射光的部分。由此，在盖部构成层43形成配置第二柱部25的第二孔部51。艮口， 形成盖部21。通过形成盖部21，由壁部19和盖部21完成罩部件9。另外，第一孔部41及第二孔部51连接，构成合体孔部53。形成罩部件9后，如图4(a)及图4(b)所示，形成端子15。具体而言，首先，如图 4(a)所示，形成镀敷用底层55及镀敷用抗蚀层57。镀敷用底层55以覆盖罩部件9的方式形成。另外，镀敷用底层55也形成在由连接强化层13构成的合体孔部53的底面及由罩部件9构成的合体孔部53的内周面。镀敷用底层阳是例如通过闪镀法用Ti-Cu合金等形成的合适的一例。在利用闪镀法形成镀敷用底层55时，不需要在镀敷形成部位形成用于流过电流的配线图案。因此，能够实现SAW 装置1的小型化。镀敷用抗蚀层57形成于镀敷用底层55上。镀敷用抗蚀层57例如以旋涂等方法形成于基板上。在镀敷用抗蚀层57上，在合体孔部53上形成凸台用孔部59。凸台用孔部 59的直径比合体孔部53的直径大，另外，深度(镀敷用抗蚀层57的厚度)为凸台27的厚度以上。凸台用孔部59例如通过光刻形成。接着，如图4(b)所示，对经由凸台用孔部59露出的镀敷用底层55实施镀敷。由此，向合体孔部53内及凸台用孔部59填充金属。而且，利用向第一孔部41填充的金属形成第一柱部23，利用向第二孔部51填充的金属形成第二柱部25，利用向凸台用孔部59填充的金属形成凸台27。另外，在凸台用孔部59，不需要填充金属至镀敷用抗蚀层57的表面， 只要填充金属至凸台用孔部59的适当的深度即可。镀敷法可以适当地选择，但是，优选电镀法。之所以选择电镀法，是因为柱状端子15的高度的自由度高，另外，与镀敷用底层55 的密接性良好。之后，除去镀敷用抗蚀层57，并且，除去镀敷用底层55中未从凸台用孔部59露出的部分。由此，如图1(b)所示，形成SAW装置1。另外，在图1(b)中，镀敷用底层55的残留的部分的图示省略。镀敷用抗蚀层57例如可通过丙酮、IPA等有机溶剂、二甲基亚砜等碱性有机溶溶剂除去。镀敷用底层阳的Cu例如可利用氯化亚铁及磷酸和过氧化氢水的混合液除去。另外，镀敷用底层55的Ti例如可用希氟酸或氨和过氧化氢水的混合液除去。另外，上述的工序在所谓的晶片工艺中实现。S卩，以通过分割而成为压电基板3的母基板为对象进行上述的工序，一并形成多个的SAW装置。根据以上的实施方式，SAW装置1具有传播弹性波的压电基板3、配置于压电基板3的第一表面3a上的梳状电极6。另外，SAff装置1具有相对于第一表面3a竖立设置且与梳状电极6电连接的柱状的端子15 ；在梳状电极6上形成中空的振动空间17，并且覆盖端子15的侧面的罩部件9。而且，端子15在竖立设置方向的至少一部分，第一表面3a侧的直径比与第一表面3a相反一侧的直径大。因此，在对端子15施加将端子15从罩部件9 抽出的方向的力时，端子15与罩部件9卡合，抑制端子15的抽出。S卩，SAW装置1的耐久性提高。端子15具有第一表面3a侧的直径比与第一表面3a相反一侧的直径大的锥部(第一柱部23及第二柱部25)。因此，在对端子15施加将端子15从罩部件9抽出的方向的力时，端子15遍及较宽的面积与罩部件9卡合。其结果能够抑制在罩部件9施加局部的负荷。 而且，能够抑制罩部件9的破损及由该破损产生的端子15的抽出。端子15作为锥部具有第一柱部23、和同第一柱部23的与第一表面3a的相反侧连续的第二柱部25，第一柱部23的第二柱部25侧的直径比第二柱部25的第一柱部23侧的直径小。因此，对于抽出，可以在发挥与后述的第二变形例(参照图5(b))同样的卡止力的同时，使与第一表面3a平行的剖面的截面积的在立设方向的变化比第二变形例小。其结果是，能够减小端子15的最大截面积相对于端子15的最小截面积(对端子15的电阻的影响)之比，能够实现端子15的小径化。另外，在对端子15施加押入方向的力时，其力的一部分向罩部件9传递，因此，能够减轻连接强化层13的负担。其结果是，容易实现提高耐久性、连接强化层13的薄型化及省略。第一柱部23和第二柱部25的边界(台阶29)距第一表面3a的位置与振动空间 17的顶部21a距第一表面3a的位置一致。因此，对端子15施加押入方向的力时，能够抑制该力自台阶四向盖部21的传递，进而，抑制盖部21挠曲，顶部21a与振动空间17的底面 (保护层7)接触。另一方面，从台阶四向壁部19传递的押入方向的力施加给壁部19的距第一表面3a的高度方向的整体，能够使向壁部19传递的力分散于广阔的范围内。另外，在由分别不同的工序(不同的层)形成壁部19及盖部21的情况下，对于各层只要形成单纯的形状的孔部(第一孔部41及第二孔部51)即可，换言之，不需要在开口方向的中途形成缩径的孔部，容易形成合体孔部53。振动空间17的内壁19a及顶部21a形成为拱形状。因此，盖部21能够抑制挠曲。 其结果是，例如能够减小振动空间17的高度，实现SAW装置1的小型化。SAW装置1的制造方法具有在传播弹性波的压电基板3的第一表面3a上配置梳状电极6的工序(图2(a))。另外，该制造方法具有与梳状电极6电连接，相对于第一表面3a 竖立设置，且在竖立设置方向的至少一部分形成第一表面3a侧的直径比与第一表面3a相反的一侧的直径大的柱状的端子15的工序(图4(a)及图4(b))。另外，该制造方法具有在梳状电极6上形成中空的振动空间17，并且形成覆盖端子15的侧面的罩部件9的工序(图 2(c) 图3(d))。因此，能够形成抑制端子15的抽出的SAW装置1。形成罩部件9的工序具有形成成为罩部件9的罩部件构成层(壁部构成层31及盖部构成层43)的工序(图2(c)及图3(b))。另外，形成罩部件9的工序具有在罩部件构成层形成合体孔部53的工序(图2(d)及图3(a)，以及图3 (c)及图3 (d))。合体孔部53在端子15的竖立设置方向的至少一部分，第一表面3a侧的直径比与第一表面3a相反一侧的直径大。而且，在形成端子15的工序(图4(b))中，向合体孔部53内填充导电性材料(金属)，形成端子15。因此，在立设方向的至少一部分，容易形成第一表面3a侧的直径比与第一表面3a 相反一侧的直径大的端子15。而且，与后述的第四变形例(参照图6(a) 图6(d))的形成方法比较，仅形成端子15的柱部，因此，不需要设置之后除去的抗蚀层，使制造方法简单化。
在形成合体孔部53的工序中，通过负型光刻而除去罩部件构成层(壁部构成层31 及盖部构成层4 的一部分，形成合体孔部53。因此，积极的利用用于曝光的光散射这种本来不希望出现的现象，在端子15的竖立设置方向的至少一部分，能够形成第一表面3a侧的直径比与第一表面3a相反侧的直径大的合体孔部53。其结果是，不需要追加用于将合体孔部53的一部分进行扩径的特别的工序，制造方法简单化。形成罩部件构成层的工序具有形成构成振动空间17的壁部19的壁部构成层31 的工序(图2(c))、和在壁部构成层31上形成构成振动空间17的盖部21的盖部构成层43 的工序(图3(b))。形成合体孔部53的工序具有在形成盖部构成层43的工序之前，通过负型光刻除去壁部构成层31的一部分，而形成成为振动空间17的开口部39、第一孔部41 的工序(图2(d)及图3(a))。第一孔部41为成为合体孔部53的表面侧部分且第一表面 3a侧的直径比第一表面3a的相反侧的直径大的孔部。另外，形成合体孔部53的工序具有 在形成盖部构成层43的工序之后，通过负型光刻除去盖部构成层43的一部分而形成第二孔部51的工序(图3 (c)及图3 (d))。第二孔部51为成为合体孔部53的与第一表面3a相反一侧的部分且第一表面3a侧的直径比与第一表面3a相反一侧的直径大，且第一表面3a 侧的直径比第一孔部41的与第一表面3a的相反侧的直径大的孔部。因此，如上述，可形成端子15的两个锥部(第一柱部23及第二柱部25)的合体孔部53通过单纯形状的第一孔部41及第二孔部51的形成而能够实现。该合体孔部53在开口方向的一部分缩径。另外，在以上的实施方式中，SAW装置1为本发明的弹性波装置的一例，压电基板3 为本发明的基板的一例，第一表面3a为本发明的基板的表面的一例。另外，梳状电极6为本发明的激励电极的一例，第一柱部23为本发明的第一锥部的一例，第二柱部25为本发明的第二锥部的一例。本发明不限于以上的实施方式，也可以以各种形态实施。弹性波装置不限于SAW装置。例如弹性波装置也可以是压电薄膜谐振器。在弹性波装置中，保护层(7)及连接强化层(13)也可以省略，相反，也可以形成其它适当的层。例如，在实施方式中，也可以设置在壁部19上或盖部21上层叠且被与基准电位连接的端子15 支承的金属层(平板)。该情况下，可通过金属层增强对于盖部21的挠曲的强度。端子不限于锥状。可以通过适当的形状，在竖立设置方向的至少一部分，实现表面侧的直径比表面的相反侧的直径大的端子。图5(a)是表示第一变形例的端子115的示意的剖面图。端子115具有竖立设置于连接强化层13上的第一柱部123、竖立设置于第一柱部123上的第二柱部125、设置于第二柱部125上的凸台27。第一柱部123及第二柱部125形成圆柱状。另外，第一柱部123 的直径比第二柱部125的直径大。根据第一变形例，与实施方式同样，端子115与罩部件109卡合，能够抑制抽出。 另外，在罩部件109的壁部119及盖部121，在开口方向只要形成具有均一的直径的孔部即可，因此，孔部的形成方法的选择的自由度提高。另外，在端子具有锥部的情况下，锥部的数量不限于两个。锥部的数量可以是一个，也可以是三个以上。图5(b)是表示第二变形例的端子215的示意的剖面图。端子215具有竖立设置
10于连接强化层13上的柱部223、设置于柱部223上的凸台27。柱部223为端子15中的侧面被罩部件9覆盖的部分的整体，另外，形成为一个锥状。另外，要形成这样的柱部223，例如，只要以使在壁部221形成的孔部的直径比在壁部219形成的孔部的直径小的方式进行负型光刻即可。根据第二变形例，与实施方式相同，端子215与罩部件209卡合，抑制抽出。另外， 在被覆端子215及罩部件209的端子215的部分，能够抑制产生角部，因此，能够抑制产生应力集中，从而耐久性提高。另外，端子在侧面被罩部件被覆的部分的整体不必形成锥部。图5(c)是表示第三变形例的端子315的示意的剖面图。端子315具有竖立设置于连接强化层13上的第一柱部23、竖立设置于第一柱部23上的第二柱部125、设置于第二柱部125上的凸台27。第一柱部23为与实施方式相同，形成为锥状，第二柱部125与第一变形例相同，形成为圆柱状。根据第三变形例，与实施方式相同，端子315与罩部件309卡合，抑制抽出。另外， 在盖部121中由于不需要形成锥状的孔部，因此，孔部的形成方法的选择的自由度高。其结果是，将壁部19的形成材料和盖部121的形成材料设定为不同的材料等也变得容易。另外， 与第三变形例相反，第一柱部可以形成为圆柱状，第二柱部可以形成为锥状。第一锥部23和第二锥部125的台阶四距表面3a的位置也可以不与振动空间17 的顶部21a距表面3a的位置一致。另外，使台阶的位置和顶部的位置不一致的制造方法也可以适当地选择。例如，在实施方式中，通过两层光致抗蚀层31、43构成罩部件，但是，也可以利用比其更多的多层的光致抗蚀层构成罩部件，在适当的位置形成锥的台阶。在实施方式中，在形成罩部件的工序之后进行形成端子的工序，但是，也可以在形成端子的工序之后形成罩部件。图6(a) 图6(d)为用于说明第四变形例的SAW装置401的制造方法的示意的剖面图。在第四变形例中，在形成端子415后，形成罩部件409(图6(d))。具体如下。首先，如图6(a)所示，在压电基板3的第一表面3a上，在SAW元件(图示省略) 上形成构成振动空间417的内轮廓部419。内轮廓部419构成罩部件409的内侧部分。内轮廓部419例如由感光性树脂形成。其次，如图6(b)所示，形成形成有孔部453的端子用抗蚀层457，向孔部453填充导电性材料，由此，形成端子415。孔部453及端子415例如与第二变形例相同，整体形成锥状。之后，如图6(c)所示，除去端子用抗蚀层457。由此，露出端子415的侧面。而且，如图6 (d)所示，内轮廓部419及端子415被树脂密封。密封树脂的上表面侧部分被研磨直到露出端子415(直到虚线所示的位置)。利用被研磨的密封树脂形成构成罩部件409的外侧部分的外轮廓部421。另外，在罩部件之前形成端子的情况下，端子的形成方法不限于在形成于抗蚀层上的孔部填充导电性材料的方法。例如，也可以通过使用透过孔的直径彼此不同的多个掩模进行多次介有掩模的金属的蒸镀，在适当的位置形成扩径的端子。在罩部件等形成孔部，在孔部填充导电性材料并形成端子的情况下，孔部的形成不限于由光刻进行。例如，孔部也可以利用激光的烧蚀加工形成。另外，该情况下，通过例如将激光的照射角度相对于基板的表面倾斜，可形成锥面。另外，在通过光刻形成填充成为端子的导电性材料的孔部的情况下，锥面的形成不限于利用负型光刻的光的发散。例如，在正型或负型光刻中，通过使光相对于基板的表面倾斜照射，能够形成锥面。另外，在负型光刻中，通过缩小投影系一边使光的直径缩径一边对抗蚀层进行照射，由此，能够形成表面侧扩径的锥状的孔部。在实施方式中，对于端子的锥部，表面侧的直径比与表面的相反一侧的直径大。但是，端子的锥部也可以以与表面相反一侧的直径比表面侧的直径大的方式形成。图7是表示第五变形例的SAW装置501的示意的剖面图。端子515的第一柱部523及第二柱部525分别形成为与第一表面3a相反一侧的直径比第一表面3a侧的直径大的锥状。第一柱部523的第二柱部525侧的端面的直径比第二柱部525的第一柱部523侧的端面的大，在第一柱部523和第二柱部525的边界形成有第一表面3a侧的直径比与第一表面3a的相反一侧的直径大的台阶529。换言之，端子515 具有与第一表面3a相反一侧的截面积比第一表面3a侧的截面积大的第三锥部(第一柱部52 、与第三锥部连续且与第一表面3a相反一侧的截面积比第一表面3a侧的截面积大的第四锥部(第二柱部52 。另外，将第三锥部的第四锥部侧的截面积和第四锥部的第三锥部侧的截面积进行比较，第三锥部的第四锥部侧的截面积这一方大。另外，第一柱部523 及第二柱部525也可以是彼此相同的大小及形状，也可以是彼此不同的大小及形状。由于这样的构成，台阶5 从第一表面3a侧对于罩部件509卡合，由此，能够抑制端子515的抽出。SAW装置501的制造方法与实施方式的SAW装置1的制造方法大致相同。但是，在 SAW装置501的制造方法中，代替负型光刻，通过正型光刻形成壁部519及框架部521。通过正型光刻形成填充成为端子515的金属的第一孔部541及第二孔部551时， 与实施方式相同，通过光的发散，第一孔部541及第二孔部551成为锥状。但是，所谓负型是光的照射区域和被照射区域互逆，因此，第一孔部541及第二孔部551与实施方式的第一孔部41及第二孔部51向逆方向扩径。另外，通过正型光刻形成振动空间517，由此，内壁519a及顶部521a也与第一实施方式的内壁19a及顶部21a为互逆的形状，即，第一表面3a成为越靠相反侧直径越大的形状。另外，如上述，锥状的孔部通过倾斜照射光等可形成，因此，通过负型光刻也可以形成第一孔部541及第二孔部551。振动空间不限于由与壁部分体形成的盖部堵塞罩部件的壁部的开口部而构成。例如，也可以在基板上形成与振动空间同一形状的抗蚀剂，在其上形成成为罩部件的罩部件构成层，之后，经由设置于罩部件构成层的貫通孔除去抗蚀剂，由此，构成振动空间。振动空间也可以不形成为拱形状。另外，在振动空间形成为拱形状的情况下，拱形不限于是通过内壁的顶部侧部分倒角为曲面状而形成。例如，拱形也可以通过内壁整体由平面状的锥面构成来形成。另外，第一锥部和第二锥部的边界距第一表面3a的位置和振动空间17的顶部距第一表面3a的位置未必是一致的，两者的位置也可以错开。另外，第一锥部和第二锥部的其倾斜角(各锥部与压电基板的第一表面3a构成的角)也可以相互不同。例如，也可以以第一锥部的倾斜角比第二锥部的倾斜角大的方式形成第一柱部23和第二柱部25。这样，通过使第一锥部的倾斜角和第二锥部的倾斜角不同， 在对端子15施加押入方向的力时，能够使向壁部19传递的力分散到更大的范围内。符号说明
P-SAW装置(弹性波装置)、
3…压电基板(基板)、
3a…第一表面(表面)、
6…梳状电极(激励电极)、
9…罩部件、
15…端子
权利要求
1.一种弹性波装置，其具有 基板，其传播弹性波；柱状的端子，其配置于所述基板的表面上，在高度方向的至少第一区域中，其所述表面侧的截面积比其与所述表面相反一侧的截面积大；激励电极，其配置于所述基板的表面上，且与所述端子电连接； 罩部件，其覆盖所述端子的所述第一区域的侧面。
2.如权利要求1所述的弹性波装置，其中，所述端子具有锥部，该锥部的所述表面侧的直径比与所述表面相反一侧的直径大。
3.如权利要求2所述的弹性波装置，其中， 所述端子的所述锥部具有第一锥部、同该第一锥部的与所述表面相反一侧连续的第二锥部，所述第一锥部的在所述第二锥部侧的截面积比所述第二锥部的在所述第一锥部侧的截面积小。
4.如权利要求3所述的弹性波装置，其中，所述罩部件具有在俯视情况下包围所述激励电极的壁部和堵塞所述壁部的上方的盖部，所述第一锥部和所述第二锥部的边界距所述表面的距离与所述盖部的内表面距所述表面的距离一致。
5.如权利要求4所述的弹性波装置，其中，所述壁部的内侧面随着从所述基板的所述表面的离开而向内方倾斜。
6.如权利要求1所述的弹性波装置，其中， 所述端子具有与所述表面相反一侧的截面积比所述表面侧的截面积大的第三锥部， 同该第三锥部的与所述表面相反一侧连续且与所述表面相反一侧的截面积比所述表面侧的截面积大的第四锥部，所述第三锥部的在所述第四锥部侧的截面积比所述第四锥部的在所述第三锥部侧的截面积大。
7.一种弹性波装置的制造方法，其包括在传播弹性波的基板的表面上配置激励电极的工序；形成与所述激励电极电连接，配置于所述表面上，且高度方向的至少第一区域的所述表面侧的截面积比与所述表面相反一侧的截面积大的柱状的端子的工序；在所述激励电极上形成中空的振动空间，并且形成覆盖所述端子的侧面的罩部件的工序。
8.如权利要求7所述的弹性波装置的制造方法，其中，形成所述罩部件的工序包括 形成构成所述罩部件的罩部件构成层的工序；在所述罩部件构成层中，在所述高度方向的至少一部分形成所述表面侧的直径比与所述表面相反一侧的直径大的孔部的工序，在形成所述端子的工序中，向所述孔部内填充导电性材料，形成所述端子。
9.如权利要求8所述的弹性波装置的制造方法，其中，在形成所述孔部的工序中，通过负型光刻除去所述罩部件构成层的一部分而形成所述孔部。
10.如权利要求9所述的弹性波装置的制造方法，其中， 形成所述罩部件构成层的工序包括形成构成所述振动空间的壁部的壁部构成层的工序；在所述壁部构成层上形成构成所述振动空间的盖部的盖部构成层的工序，形成所述孔部的工序包括在形成所述盖部构成层的工序之前，通过负型光刻除去所述壁部构成层的一部分，形成构成所述振动空间的开口部和构成所述孔部的表面侧部分且所述表面侧的直径比与所述表面相反一侧的直径大的第一孔部的工序；在形成所述盖部构成层的工序之后，通过负型光刻除去所述盖部构成层的一部分，形成构成所述孔部的表面的相反侧部分且所述表面侧的直径比与所述表面相反一侧的直径大，且所述表面侧的直径比所述第一孔部的与所述表面相反一侧的直径大的第二孔部的工序。
全文摘要
本发明提供一种SAW装置(1)，其具有传播弹性波的压电基板(3)、配置于压电基板(3)的第一表面(3a)上的梳状电极(6)。另外，SAW装置(1)具有相对于第一表面(3a)配置且与梳状电极(6)电连接的柱状的端子(15)、覆盖端子(15)的侧面的罩部材(9)。端子(15)在高度方向的第一区域，第一表面(3a)侧的直径比第一表面(3a)的相反侧的直径大。
文档编号H03H9/25GK102227874SQ20098014773
公开日2011年10月26日 申请日期2009年11月24日 优先权日2008年11月28日
发明者深野彻, 西井润弥 申请人:京瓷株式会社