弹性波装置及其制造方法

专利名称：弹性波装置及其制造方法
技术领域：
本发明涉及表面弹性波(SAW =Surface Acoustic Wave)装置和压电薄膜谐振器 (FBAR =Film Bulk Acoustic Resonator)等弹性波装置及其制造方法。
背景技术：
公知一种具有基板、和在基板的主面上设置的弹性波元件的弹性波装置。专利文献1公开了一种通过用树脂覆盖基板的侧面和背面(与设置了弹性波元件的主面相反侧的主面)，从而实现了耐冲击性的提高的弹性波装置。弹性波装置在从制造后到被安装为止的期间的搬运时等，有时会从基板侧方受到冲击。另外，专利文献1虽然提及了耐冲击性，但并非尤其着眼于来自基板侧方的冲击。其结果是，专利文献1的弹性波装置没有成为特别适合来自基板侧方的冲击的形态。因此，优选提供一种能够提高来自基板侧方的耐冲击性的弹性波装置及其制造方法。专利文献1 日本特开2008-5464号公报

发明内容
本发明的一个实施方式所涉及的弹性波装置，具有基板；和在该基板的一个主面设置的弹性波元件。在上述基板的侧面设置有与上述一个主面相比更靠近另一个主面侧而从该侧面突出的突出部。本发明的一个实施方式所涉及的弹性波装置的制造方法，具有第1切断工序，将在一个主面设置了多个弹性波元件的晶片的上述一个主面侧部分通过第1刀片切断来形成对多个弹性波装置进行划分的槽部；和第2切断工序，通过刀刃厚度比第1刀片薄的第2 刀片，沿着上述槽部将上述晶片的另一个主面侧部分切断来将上述晶片分离。根据上述结构以及步骤，在弹性波装置的搬运时等，在对弹性波装置的侧面施加了冲击的情况下，容易在突出部产生碰撞。另一方面，关于弹性波装置的性能维持，与另一个主面侧部分的形状维持相比，设置了弹性波元件的一个主面侧部分的形状维持起支配作用。因此，弹性波装置作为整体提高了来自基板侧方的耐冲击性。由此，弹性波元件的形状维持和盖子与基板之间的贴紧性维持得到提高。


图1是表示本发明的第1实施方式所涉及的SAW装置的外观的立体图。图2是将图1的SAW装置的一部分切断显示的概略立体图。图3是图1的III-III线上的概念性的剖面图。图4中的图4(a) 图4(d)是说明图1的SAW装置的制造方法的剖面图。图5中的图5(a) 图5(c)是表示图4(d)的后续的剖面图。图6中的图6(a) 图6(d)是表示图5(c)的后续的剖面图。
图7中的图7(a) 图7(c)是表示第1 第3变形例所涉及的突出部的剖面图。
具体实施例方式以下，针对本发明的实施方式所涉及的SAW装置，参照附图进行说明。另外，以下说明中采用的图是示意图，附图上的尺寸比例等不一定与实际一致。(SAW装置的构成)图1是本发明的实施方式所涉及的SAW装置1的外观立体图。SAff装置1由所谓的晶片级封装(WLP)形式的SAW装置构成。SAW装置1作为整体形成为大致长方体状。在长方体的一面露出有多个端子3。多个端子3的数目以及配置位置根据SAW装置1内部的电子电路的构成而适当设定。在本实施方式中，例示出将6个端子3沿着一面的外周而排列的情况。SAW装置1经由多个端子3中的任意一个来进行信号的输入。所输入的信号通过 SAW装置1被滤波。然后，SAW装置1经由多个端子3中的任意一个来输出滤波后的信号。 关于SAW装置1，例如通过在使露出有多个端子3的面与未图示的电路基板等的安装面对置并载置于该安装面的状态下进行树脂密封，从而在将端子3与安装面上的端子相连接的状态下进行安装。图2是表示将SAW装置1的一部分切断来显示的立体图。另外，图3是图1的 III-III线上的剖面图。SAff装置1具有基板5、和在基板5上设置的SAW元件7。另外，SAW装置1具有 以SAW元件7的保护等为目的而将SAW元件7覆盖的盖子9、将基板5的侧面覆盖的树脂膜 11、在基板5的SAW元件7侧的相反侧设置的背面电极13、以及层叠于背面电极13的树脂层15。基板5由压电基板构成。具体而言，例如，基板5是钽酸锂单晶、铌酸锂单晶等具有压电性的单晶基板。基板5大致形成为薄型的长方体状，具有第1主面5a、其背面侧的第2主面恥(图;3)、以及与第1主面fe以及第2主面恥的侧方(外周侧)面对的侧面5c。 在侧面5c形成有与侧面5c相比更向外侧突出的突出部5d。突出部5d沿着第2主面恥的外周被设置为遍布该外周的整周。换言之，突出部 5d既能够看作通过将侧面5c的第2主面恥侧部分扩径而形成，也能够看作在将压电基板 3的第1主面如侧沿着外周的整周而刻凿时，由未被刻凿而剩下的部分而形成。突出部5d 的剖面形状(图3所示的剖面形状)大致为矩形。另外，在将侧面5c沿上下方向二等分为第1区域(第1主面如侧的区域)和第2区域(第2主面恥侧的区域)时，突出部5d设置于第2区域内。基板5的一边的长度为例如0. 5mm 2mm。基板5的厚度为例如0. 2mm 0. 5mm。 突出部5d的突出量为例如5 10 μ m。突出部5d的厚度为例如25 50 μ m。SAW元件7用于对输入到SAW装置1的信号进行滤波。SAW元件7被设置在第1 主面5a。SAW元件7具有一对梳齿状电极(IDT电极)17。各梳齿状电极17具有在基板5 中的SAW的传播方向(X方向)延伸的母线17a(图2)、和从母线17a向与上述传播方向正交的方向(Y方向)延伸的多个电极指17b。梳齿状电极17之间按照各自的电极指17b相互咬合的方式被设置。
另外，由于图2以及图3是示意图，因此示出了具有数根电极指17b的一对梳齿状电极17。实际上，也可以设置具有比这更多的电极指的多对梳齿状电极。另外，多个SAW元件7也可以以串联连接或并联连接等方式连接，由梯形SAW滤波器或双重模式SAW谐振器滤波器等构成。SAW元件7由例如Al-Cu合金等Al合金而形成。盖子9具有在第1主面fe的俯视图中包围SAW元件7的框部19、和将框部19 的开口堵住的盖部21。并且，通过由第1主面5a(严格来说，后述的保护膜29)、框部19以及盖部21所包围的空间，形成用于使SAW的传播变得容易的振动空间S。另外，振动空间S 可以以适当数目以及形状来设置，在本申请中，例示设置了两个振动空间S的情况。框部19通过在大致固定厚度的层形成一个以上的成为振动空间S的开口而构成。 在本实施方式中，设置有两个振动空间S。框部19的厚度(振动空间S的高度)为例如数 μπι 30μπι。盖部21由层叠在框部19上的大致固定厚度的层构成。盖部21的厚度为例女口μ m 30 μ m。盖子9的平面形状例如与基板5的平面形状相同，在本实施方式中为矩形。盖子 9具有例如与第1主面fe大致同等的宽度，将第1主面fe的大致整个面覆盖。但是，盖子 9比第1主面fe窄一些，在侧面5c与盖子9的侧面9c之间形成段差。该段差遍布第1主面5a的全周而形成。该段差的大小为例如5 20 μ m。框部19以及盖部21由例如感光性的树脂形成。感光性的树脂为例如，通过丙稀基或异丁烯基等的游离基聚合而硬化的、聚氨酯丙烯酸酯系、聚酯丙烯酸酯系、环氧丙烯酸酯系的树脂。框部19以及盖部21既可以由相同材料形成，也可以由相互不同的材料形成。在本例中，为了方便说明而明示了框部19与盖部21之间的边界线，但在现实的产品中，框部 19和盖部21也可以由同一材料形成，形成一体。树脂膜11将侧面5c中比突出部5d更靠近第1主面fe侧的部分以及盖子9的侧面9c覆盖。树脂膜11，按照由基板5、盖子9以及树脂膜11构成的SAW装置1的外形成为长方体状的方式，且按照填埋因突出部5d而引起的段差、以及基板5与盖子9之间的段差的方式而设置。即，树脂膜11，将侧面5c中比突出部5d更靠近第1主面fe侧的部分的整个面以及侧面9c的整个面覆盖，另外，树脂膜11的外周面lie与突出部5d的顶面k为平坦面，树脂膜11的第1主面如侧的端面Ila与盖子9的上表面9a为平坦面。树脂膜11由例如酚醛清漆系树脂、环氧树脂、双酚树脂、或者聚酰亚胺树脂形成。 树脂膜11与基板5相比，杨氏模量低。S卩，树脂膜11比基板5柔软，易吸收冲击。背面电极13将第2主面恥的整个面覆盖。背面电极13的厚度为例如1 μ m 数 μ m。背面电极13由例如Al-Cu合金等Al合金而形成。因温度变化等而在基板5充电的电荷流向背面电极13，从而抑制SAW元件7的热电破坏。树脂层15将第2主面恥(背面电极13)的整个面覆盖。树脂层15的厚度为例如 25 μ m 50 μ m。树脂层15由例如环氧树脂等热硬化性树脂形成。树脂层15与树脂膜11 同样地，杨氏模量比基板5更低。端子3竖立在第1主面5a，经由在盖子9形成的孔部9h而在盖子9的上表面9a 露出。具体而言，孔部9h在振动空间S的外侧向第1主面如所面对的方向贯通框部19以及盖部21。
在第1主面fe设置有与SAW元件7连接的布线23 (图2)、和与布线23连接的多个衬垫25。端子3通过被设置在衬垫25上，从而与SAW元件7连接。如图3所示，在第1主面如上设置有导体层27、和将导体层27覆盖的保护膜四。导体层27构成SAW元件7、布线23 (图2)的至少一部分、以及衬垫25的至少一部分。导体层27由例如Al-Cu合金等Al合金形成，其厚度为例如100 300nm。保护膜四有助于导体层27的抗氧化等。保护膜四由例如具有绝缘性，并且对 SAW的传播没有影响的程度的质量轻便的材料形成。例如，保护膜四由氧化硅(Si02等)、 氮化硅、硅等形成。保护膜四的厚度为例如导体层27的厚度的1/10程度(IOnrn 30nm)、 或者为与导体层27的厚度同等程度以上(IOOnm 300nm)。保护膜四例如遍布第1主面fe的大致整个面而被设置，盖子9被层叠在保护膜四上。另外，树脂膜11的第1主面fe上的部分也层叠在保护膜四上。另一方面，在端子 3的配置位置，将保护膜四去除，衬垫25从保护膜四露出。另外，盖子9严格来说不直接设置在第1主面fe上，而是设置在保护膜四等上。 在本例中，在像这样将规定的部件或层等间接设置在基板5的主面，而不直接设置在基板5 的主面的情况下，有时也表述为将这些规定的部件或层等设置在基板5的主面。关于层叠一词也同样。除此以外，也可以还在第1主面fe上设置在导体层27或者保护膜四上层叠的绝缘膜；经由该绝缘膜而层叠在导体层27上，构成布线23的一部分的其他导体层；以及构成衬垫25的上层部分，强化衬垫25与端子3之间的连接的连接强化层等。(SAW装置的制造方法)图4(a) 图6(d)是说明SAW装置1的制造方法的剖面图。制造工序从图4(a) 至图6(d)依次进行。以下所说明的工序在所谓的晶片工序中实现。S卩，以通过分割而成为基板5的母基板(晶片31)为对象，进行薄膜形成和光刻法等，之后，通过被切割从而同时形成多个SAW 装置1。但是，在图4(a) 图5(c)中，仅图示与一个SAW装置1相对应的部分。另外，在图6(a) 图6(d)中，仅图示与三个SAW装置1相对应的部分。导体层和绝缘层等随着工序的进行而形状发生变化，但变化前后采用共同的符号。同样地，对晶片31的第1主面以及第2主面也赋予基板5的第1主面fe以及第2主面恥的符号。如图4 (a)所示，首先，在基板5的第1主面fe上形成导体层27。具体而言，首先， 通过溅射法、蒸镀法或者CVD (ChemicAl Vapor D印osition 化学气相沉积)法等薄膜形成法，在第1主面fe上形成成为导体层27的金属层。接着，通过使用了缩小投影曝光机(光刻机(st印per))和RIE(Reactive Ion Etching 反应性离子蚀刻)装置的光刻法等来对金属层进行图案形成(patterning)。由此，形成了包含SAW元件7、布线23的至少一部分以及衬垫25的至少一部分的导体层27。接着，如图4(b)所示，形成保护膜四。具体而言，首先，成为保护膜四的薄膜通过CVD法或者蒸镀法等薄膜形成法而形成。接着，按照导体层27中构成衬垫25的部分露出的方式，通过光刻法将薄膜的一部分去除。由此形成保护膜四。形成保护膜四后，如图4(c)所示，形成成为框部19的薄膜。薄膜例如通过粘贴由感光性树脂形成的膜(film)，或者通过与保护膜四等采用同样的薄膜形成法而形成。形成成为框部19的薄膜后，如图4(d)所示，通过光刻法将薄膜的一部分去除，形成成为振动空间S的开口以及孔部9h的下方侧部分。另外，沿着切割线形成槽，还形成框部19的侧面。即，由薄膜形成框部19。另外，光刻法可以是正型以及负型中的任意一者。形成框部19后，如图5(a)所示，通过与框部19的形成方法同样的方法形成盖部 21。具体而言，首先，形成成为盖部21的薄膜。薄膜例如通过粘贴由感光性树脂形成的膜而形成。通过将薄膜层叠在框部19，从而框部19的开口被堵塞，构成振动空间S。接着，通过光刻法将薄膜的一部分去除，形成孔部9h的上方侧部分。另外，沿着切割线形成槽，还形成盖部21的侧面。即，由薄膜形成盖部21。另外，光刻法可以是正型以及负型中的任意一者。形成盖部21后，如图5(b)所示形成端子3。具体而言，首先，基底层33遍布盖子 9的上表面9a以及孔部9h的内部而形成。基底层33是金属层，例如通过溅射法而形成。接着，在基底层33上形成抗蚀层37。关于抗蚀层37，例如通过旋涂法等方法在基板上形成薄膜，并将该薄膜通过光刻法进行图案形成从而形成该抗蚀层37。通过图案形成将薄膜的一部分去除，由此基底层33在孔部9h及其周围部分露出。之后，通过电镀法在基底层33的露出部分使金属析出。由此形成实心部35。形成实心部35后，如图5(c)所示，将基底层33的被抗蚀层37覆盖的部分以及抗蚀层37去除。由此形成端子3。即，由基底层33构成端子3的表面侧部分，由实心部35构成端子3的内部侧部分(大部分)。另外，在图3中，省略了基底层33的图示。之后，在第2主面恥依次形成背面电极13以及树脂层15(图5(c))。具体而言， 背面电极13通过溅射法、蒸镀法或者CVD法等薄膜形成法而形成。树脂层15通过例如在将树脂片贴紧在背面电极13之后，进行热硬化而形成。另外，树脂层15也可以通过浇注 (potting)法或印刷法而形成。形成树脂层15后，如图6(a)所示，将晶片状的SAW装置1的树脂层15和切割胶带39粘接。接着，如图6(b)所示，通过第1刀片41将晶片31的第1主面如侧部分沿着切割线而切断。由此形成对多个SAW装置1进行划分的槽部31a。形成槽部31a后，如图6 (c)所示，将构成树脂膜11的树脂填充在槽部31a。树脂的填充例如采用分配器43来进行。另外，所填充的树脂通过加热而硬化。进行了树脂的填充以及硬化后，如图6(d)所示，通过比第1刀片41刀刃厚度薄的第2刀片45，沿着槽部31a而将晶片状的SAW装置1从第1主面fe侧进行切断。具体而言，将填充在槽部31a的树脂、晶片31的第2主面恥侧部分、背面电极13以及树脂层15 在槽部31a的大致中央处进行切断。由此，多个SAW装置1被相互分离。另外，因第1刀片41以及第2刀片45的刀刃厚度差而形成突出部5d。例如，在第1刀片41的刀刃厚度为50 μ m，第2刀片的刀刃厚度为40 μ m的情况下，突出部5d的突出量为(50-40)/2 = 5 μ m。另外，第1刀片41为例如固定磨粒式的刀片，具有多个固定磨粒41a、和对多个固定磨粒41a进行保持的接合材料41b。同样地，第2刀片45具有多个固定磨粒45a、对多个固定磨粒4 进行保持的接合材料45b。
磨粒的材质、粒径、磨粒的密度、接合材料的材质、刀刃厚度可以适当选择，第1刀片41与第2刀片45除了刀刃厚度以外的一部分条件可以是共同的。例如，第1刀片41以及第2刀片45在磨粒的材质、粒径、以及磨粒的密度上是共同的，而接合材料的种类不同。 接合材料41b选择适于压电基板(基板幻的切断的材料，接合材料4 选择适于树脂(树脂膜11以及树脂层15中的至少一方)的切断的材料。根据以上实施方式，SAff装置1具有基板5、以及在基板5的第1主面fe设置的 SAW元件7。在基板5的侧面5c，在与第1主面fe相比更靠近第2主面5b侧的位置，设置有突出部5d。因此，在SAW装置1的搬运时等，在对侧面5c施加冲击的情况下，与侧面5c的第 1主面如侧部分相比，在突出部5d更容易产生碰撞。另一方面，关于SAW装置1的性能维持，与第2主面恥侧部分的形状维持相比，第1主面fe侧部分的形状维持起支配作用。因此，SAW装置1作为整体能够提高对来自基板5侧方的冲击的耐冲击性。具体而言，通过强化第1主面fe侧部分对来自基板5侧方的冲击的保护，从而SAW元件7的形状维持(滤波器精度维持)或盖子9与基板5(保护膜29)之间的贴紧性维持(导电层的抗氧化效果) 提高。另外，专利文献1没有公开对于来自侧面的冲击，与第2主面恥侧相比优先保护第 1主面5a侧的思路。突出部5d沿着第2主面恥的外周而设置。因此，能够强化第1主面fe侧对来自与第1主面fe平行的各个方向的冲击的保护。另外，如参照图6(b)以及图6(d)所说明的那样，能够以通过采用刀刃厚度不同的第1刀片41以及第2刀片45来形成突出部5d等、 改变切割时的切削宽度的简单方法来形成突出部5d。SAW装置1具有树脂膜11，该树脂膜11比基板5更柔软，覆盖比侧面5c的突出部 5d更靠近第1主面fe侧的部分，并且从第1主面fe侧与突出部5d相抵接。因此，通过树脂膜11吸收对侧面5c的冲击，能够强化对SAW装置1的第1主面fe侧部分的保护。另外，所谓比基板5更柔软的树脂膜11，是指以杨氏模量来进行比较更为柔软的情况。即，树脂膜11比基板5的杨氏模量更小。另外，突出部5d发挥限制树脂膜11向第2主面恥侧的移动的制动器(stopper)的作用，抑制树脂膜11从侧面5c的剥离。树脂膜11也可以按照其侧面位于比突出部5d更靠近内侧的位置的方式而形成。 换言之，也可以按照与树脂膜11的侧面相比更向外突出的方式形成突出部5d。这样，在具有与侧面平行的面的物体从基板5的侧方与SAW装置1发生碰撞的情况下，能够抑制因该物体与突出部5d发生碰撞而导致较大的冲击传递至SAW装置1的第1主面5a，另一方面， 在不会触碰突出部5d这样的点状物体从基板5的侧方与SAW装置1发生碰撞的情况下，能够通过树脂膜11缓和碰撞时的冲击，抑制向SAW装置1的第1主面fe传递较大的冲击。SAff装置1具有设置在第1主面fe上、且将SAW元件7密封的盖子9。盖子9的侧面9c通过位于比基板5的侧面5c更靠近内侧的位置，从而形成段差。树脂膜11从基板 5的侧面5c跨越盖子9的侧面9c而设置，并且从第1主面fe侧与上述的段差相抵接。因此，盖子9与基板5 (严格来说，保护膜29)之间的接缝被树脂膜11覆盖，抑制了水分从接缝浸入或者盖子9从基板5剥离。进而，盖子9与基板5之间的段差发挥限制树脂膜11向第2主面恥侧的移动的制动器的作用，抑制了树脂膜11从侧面9c或侧面5c的剥离。另外，SAW装置1的制造方法包括第1切断工序(图6 (b))，将在第1主面fe设置了多个SAW元件7的晶片31的第1主面fe侧部分通过第1刀片41切断来形成对多个SAW 装置1进行划分的槽部31a。另外，该制造方法包括第2切断工序(图6(d))，通过刀刃厚度比第1刀片41更薄的第2刀片45沿着槽部31a将晶片31的第2主面恥侧部分切断来分离晶片31。因此，能够简单地形成突出部5d。另外，由于在两个工序中采用互不相同的刀片， 因此能够采用适于各个工序的刀片。例如，在第1切断工序(图6(b))中，通过利用粒径大的第1刀片41进行切削来高速地进行切断，在第2切断工序(图6(d))中，通过利用粒径小的第2刀片45进行切削，从而能够抑制在刀片贯通晶片时所容易产生的缺口的发生。SAW装置1的制造方法还包括在第1切断工序(图6(b))之后、且在第2切断工序 (图6(d))之前，在槽部31a填充树脂的工序(图6(c))。因此，能够简单地构成上述那样的覆盖比侧面5c的突出部5d更靠近第1主面fe侧的部分，并且贴紧突出部5d的树脂膜 11。SAW装置1的制造方法进一步包括在第1切断工序(图6(b))之前，在晶片31的第2主面恥形成树脂层15的工序(图5 (c))。在第1切断工序(图6 (b))中，不切断树脂层15，在第2切断工序(图6(d))中，切断树脂层15。因此，通过选择适于压电基板的切断的刀片作为第1刀片41，选择适于树脂层15的切断的刀片作为第2刀片45，从而能够抑制第2主面恥上的缺口或裂纹的发生。图7(a) 7(c)是表示突出部5d的第1 第3变形例的剖面图。第1 第3变形例的突出部5d按照越靠近第2主面恥侧则越向外扩大的方式形成锥状。换言之，第1 第3变形例的突出部5d越靠近第2主面恥侧(越位于与第2主面恥接近的位置)则越突出。更具体而言，在图7(a)所示的第1变形例中，突出部5d的剖面形状形成为大致直角三角形。在图7(b)所示的第2变形例中，突出部5d的剖面形状形成为大致梯形。在图 7(c)所示的第3变形例中，突出部5d的第1主面fe侧的一部分的剖面形状形成为大致矩形(长方形)，第2主面恥侧的一部分的剖面形状形成为大致梯形。突出部5d的锥面(5e) 相对于侧面5c的倾斜角(锥面与侧面5c平行时作为0° )为例如5° 40°。另外，在第1 第3变形例中，突出部5d可以沿着第2主面釙的外周而设置、以及可以设置从第1主面fe侧与突出部5d相抵接的树脂膜11等方面与实施方式相同。第1变形例的突出部5d，与实施方式的突出部5d相比较，能够缓和突出部5d的第1主面fe侧的根部上的应力集中，另一方面，能够使碰撞的发生位置集中在第2主面恥侧。另外，第2以及第3变形例的突出部5d，与实施方式的突出部5d相比较，能够使碰撞的发生位置集中在第2主面恥侧。第1 第3变形例的突出部5d可通过例如使第2刀片 45的整体或者外周缘成为锥状等而形成。(实施例)关于实施方式以及第1变形例的基板5，设定具体的尺寸等来进行与冲击有关的模拟计算。具体而言如下。[模拟条件]基板5的基本尺寸Lx (参照图2) =0. 6mmLy (参照图 2) = 0. 8mm
Lz (參照图 2) = 0. 2mm突出部5d的尺寸dl(參照图2以及图7(a)) = 0. 0075mmd2 (參照图 2 以及图 7 (a)) = 0. 0375mm基板5的杨氏模量230GPa (假设LiTaO3)基板5的泊松比0. 3 (假设LiTaO3)基板5 的密度7450kg/m3 (假设 LiTaO3)所假设的情况假设基板5向Y方向(參照图2)落下而与)(Z平面(与Y方向正 交的面)发生碰撞状況。假设碰撞时的速度为3. 2m/s，碰撞时的加速度为9. 8m/2 (重力加 速度)。[计算方法]采用有限要素法按时序计算基板5的应カ分布。S卩，当基板5向Y方向落下吋，突出部5d与)(Z平面发生碰撞而在突出部5d产生 应力。该应カ随着时间的经过而向基板5整体传播。对该样态进行再现，调查了基板5的 各部在各时间点的应力。[评价方法]提取了在第1主面如产生的最大应力。理由如上所述，因为关于SAW装置1的性能維持，可以认为与第2主面恥侧部分 的形状維持相比，第1主面fe侧部分的形状維持起支配作用，另外，可以认为与应カ的平均 值相比最大值的影响更大。另外，在第1主面如产生的最大应カ在第1主面fe内的发生位置以及发生时间 点因模拟条件而不同。[模拟結果]实施方式的突出部5d的情况下第1主面内的最大应カ2. 8X IO8Pa第1变形例的突出部5d的情况下第1主面内的最大应カ2. 5X IO8Pa根据模拟结果确认如下与突出部5d为矩形的情况相比，突出部5d为越靠近第2 主面恥侧则越突出的锥状的情况下，在第1主面如产生的应カ的最大值更小。本发明并非限定于以上实施方式以及变形例，可以以各种形态实施。弾性波装置并非限定于SAW装置。例如，弾性波装置可以是压电薄膜谐振器。另 夕卜，弾性波装置也可以是利用了弾性边界波的弾性边界波装置。在弾性波装置中，也可以省略树脂膜(11)、背面电极(13)、树脂层(15)、保护膜 (四)，相反也可以形成其他适当的层等。另外，在弾性边界波装置的情况下，能够不设置振 动空间S地制作弾性波装置。另外，突出部5d的形状并不限于上述形状。例如，可以按照从压电基板3的第1 主面3a向第2主面北逐渐扩大的方式形成突出部5d。換言之，也可以按照当从侧面看压 电基板3吋，其形状成为大致梯形的方式，设置突出部5d。晶片的切断不限于采用刀片来进行。例如切断可以采用激光来进行。另外，例如， 也可以第1切断ェ序采用刀片进行，第2切断ェ序采用激光进行等对多种方法进行组合。
另外，在SAW装置中，比侧面(5c)的突出部(5d)更靠近一个主面(5a)侧的部分、 以及突出部的面对基板侧方的面(5e)是否由刀片所切割出的剖面构成，可通过例如基于 SEM(Scanning Electron Microscope 扫描型电子显微镜)的表面观察来进行确定。例如， 在晶片被刀片切断的情况下，在侧面形成与通过采用磨粒进行切削所形成的主面平行的直线状(严格来讲为弧状)的槽，因此可通过SEM来观察该槽。第2切断工序(图6(d))的切断，既可从一个主面如侧(在第1切断工序中被切断的一侧)进行，也可从另一个主面恥侧进行。在成为树脂膜11的树脂的填充工序(图6(c))中，树脂也可以不填充至盖子9的上表面9a为止。例如，树脂既可以填充至基板5的一个主面fe以下为止，也可以填充至盖子的上表面以下为止。符号说明1…SAW装置(弹性波装置)、5…基板、5a···第1主面(一个主面)、5b…第2主面 (另一个主面)、5c…侧面、5d···突出部、7…SAW元件(弹性波元件)。
权利要求
1.一种弹性波装置，具有基板；和在该基板的一个主面设置的弹性波元件，在上述基板的侧面设置有与上述一个主面相比更靠近另一个主面侧而从该侧面突出的突出部。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于，在将上述基板的侧面在厚度方向二等分为一个主面侧的第1区域和另一个主面侧的第2区域时，上述突出部被设置在上述第2区域。
3.根据权利要求2所述的弹性波装置，其特征在于，上述突出部沿着上述另一个主面的外周遍布该外周的整周而设置。
4.根据权利要求1 3中任一项所述的弹性波装置，其特征在于，上述突出部被设置为随着靠近与上述另一个主面接近的位置而向外扩大的锥状。
5.根据权利要求1 4中任一项所述的弹性波装置，其特征在于，还具有树脂膜，该树脂膜比上述基板柔软，覆盖上述基板的侧面的比上述突出部更靠近上述一个主面侧的部分，并且从上述一个主面侧与上述突出部相抵接。
6.根据权利要求5所述的弹性波装置，其特征在于，还具有在上述一个主面上设置的、将上述弹性波元件密封的盖子，上述盖子的侧面通过位于比上述基板的侧面更靠近内侧的位置，从而形成段差，上述树脂膜从上述基板的侧面跨越上述盖子的侧面而设置，并且从上述一个主面侧与上述段差相抵接。
7.根据权利要求1 6中任一项所述的弹性波装置，其特征在于，上述基板的侧面的比上述突出部更靠近上述一个主面侧的面、以及上述突出部的与上述基板的侧方面对的面是由刀片切割出的剖面所构成的剖面。
8.一种弹性波装置的制造方法，具有第1切断工序，将在一个主面设置了多个弹性波元件的晶片的上述一个主面侧部分通过第1刀片切断来形成对多个弹性波装置进行划分的槽部；和第2切断工序，利用刀刃厚度比第1刀片薄的第2刀片，沿着上述槽部将上述晶片的另一个主面侧部分切断来将上述晶片分离。
9.根据权利要求8所述的弹性波装置的制造方法，其特征在于，还具有在上述第1切断工序之后，且在上述第2切断工序之前，在上述槽部填充树脂的工序。
10.根据权利要求8或9所述的弹性波装置的制造方法，其特征在于，还具有在上述第1切断工序之前，在上述晶片的上述另一个主面形成树脂层的工序，在上述第1切断工序中，不将上述树脂层切断，在上述第2切断工序中，将上述树脂层切断。
全文摘要
本发明的弹性波装置具有基板、和在基板的一个主面设置的弹性波元件。在基板的侧面设置有与上述一个主面相比更靠近另一个主面侧而从该侧面突出的突出部。
文档编号H03H3/08GK102577119SQ20108004226
公开日2012年7月11日 申请日期2010年11月26日 优先权日2009年11月27日
发明者大久保佳洋 申请人:京瓷株式会社