专利名称：校正电路、驱动电路、发光器件和电流脉冲波形的校正方法
技术领域：
本发明涉及校正要施加到表面发射半导体激光器的电流脉冲波形的校正电路、以及驱动电路和包括该校正电路的发光器件，该表面发射半导体激光器从上表面发射激光。 本发明还涉及施加到半导体激光器的电流脉冲波形的校正方法。
背景技术：
表面发射半导体激光器不同于现有技术中的法布里-珀罗(Fabry-Perot)谐振器半导体激光器，表面发射半导体激光器在与基底正交的方向上发光，并且其中可以以二维阵列状态在相同基底上安排许多谐振器结构。因此，在数据通信、打印机等的技术领域，表面发射半导体激光器吸引了注意力。表面发射半导体激光器通常包括平台形(Mesa-shaped)谐振器结构，其中下部 DBR层、下部间隔层等、活性层(active layer)、上部间隔层、电流限制层、上部DBR层和接触层以此顺序层叠。在这样的半导体激光器中，通过谐振器结构的有效谐振器长度确定振荡波长，并且光输出的幅度将在对应于活性层的带隙(bandgap)的发射波长中最大。因此， 通常配置谐振器结构和活性层，使得谐振器结构的有效谐振器长度和活性层的发射波长彼此相等(参照JP-2008-306118(专利文献1))。
发明内容
在此描述了驱动电路和驱动电流校正方法。通过示例的方式，驱动电路包括输出驱动电流的电流源以及输出校正电流的校正电路。校正电流包括第一 RC时间常数电路。电流源的输出端子连接到校正电路的输出端子。
图1根据本发明的实施例的发光器件的示意性配置示例的图；图2是示出图1的激光器驱动电路的内部配置示例的图；图3A到3C是示出在图1的激光器驱动电路中生成的电流脉冲的示例的曲线图；图4A到4C是示出图1的半导体激光器器件的光输出波形的示例的曲线图；图5A到5E是用于说明图2的电流源的输出波形和图2的校正电路的输出波形的合成的波形图；图6是示出衰减(droop)的施加功率依赖性的示例的曲线图；图7是示出脉冲模式(pulse pattern)密度和衰减曲线之间关系的示例的曲线图；图8是示出图1的激光器驱动电路的另一内部配置示例的图；图9A到9C是指示由图8的激光器驱动电路生成的电流脉冲波形的示例的曲线图10是示出图1的半导体激光器器件的I-L特性的示例的曲线图；图IlA到IlE是用于说明图8的电流源的输出波形和图8的校正电路的输出波形的合成的波形图；图12是示出图1的半导体器件的示意性配置和热电路的示例的视图；图13是用于说明热等式中包括的变量的波形图；图14A是示出通过求解热等式获得的活性层温度的时间变化的曲线图，图14B是示出通过实际测量获得的活性层温度和光输出之间关系的曲线图14B，并且图14C是示出从图8获得的光输出的时间变化的曲线图；以及图15是示出光输出的时间变化中实际测量值和计算值的曲线图。
具体实施例方式通常，表面发射半导体激光器中的腔长度非常小，其是大约1 λ到2λ (λ是振荡波长)，因此，通过腔长度来固定振荡波长。因此，表面发射半导体激光器可以以不同于活性层的发射波长(最大增益的波长)的波长振荡。因此，取决于波长失谐△ λ的设计，可以任意地选择阈值电流将最小的器件温度。然而，最实际的，阈值电流将最小的器件温度是在从0°C到60°C范围内的值。当希望在高温侧获得足够的光输出时，需要将波长失谐Δ λ设计为高。例如，在从660nm到680nm的波段的表面发射半导体激光器中，其中活性层53包括红色材料(GaInP 或Alfe^nP)，当在大约50°C的器件温度Ttl处波长失谐Δ λ是19nm时，阈值电流变为最小。 顺便提及，阈值电流具有温度依赖性的事实意味着在固定电流下的光输出也具有温度依赖性。例如，在具有680nm的振荡波长的表面发射半导体激光器中，当在50°C和ImW的驱动状态下周围温度增加10°c时，光输出减少大约20%。即使当脉冲操作表面发射半导体激光器时，器件温度也在施加电流脉冲到器件的同时逐渐增加，并且光输出随同温度增加逐渐减少。这是称为“衰减(droop)”的现象，其在半导体激光器中是公知的。当施加的功率高时，该现象显著地出现，并且例如发现随着施加的功率从0. 6mff变为lmW，光输出的减少量增加，如图6所示。当以量化方式估计衰减时，例如，使用以下等式。ΔΡ = (P1-P2)/P1X100(% )在上面的等式中，ΔΡ代表衰减(光输出减少)量。Pl代表当从上升开始已经过去1微秒时获得的光输出，并且P2代表当光输出处于正常状态时获得的光输出。作为校正衰减的方法，例如，存在JP-A-2002_254697(专利文献2)中描述的方法。 在专利文献2的第0038段中有这样的描述，其中“随着热生成量高度趋于依赖于流到其的电流而不是激光发射的存在，在偏置电流连续流动的情况下，即使在发光部分为间歇时，在类似的包络曲线的情况下光量减少”。在专利文献2描述的发明中，进行基于该思想的校正。在阈值高以及开关电流低的驱动条件下，上面的断言似乎是正确的。然而，在实际驱动中预期各种脉冲模式，因此，应该考虑“热生成量依赖于发光模式”。特别地，在如表面发射半导体激光器的低阈值激光器中，开关电流超过偏置电流的驱动状态不是例外。特别地，随着开关电流在高温环境下驱动的情况下变得更高，根据发光模式的衰减曲线(光输出减少曲线)的变化变得更加显著。例如，如图7所示，随着脉冲模式变得密集，衰减曲线减少到右边。如上所述，当衰减曲线根据如发光模式、电流值和温度的驱动条件的差别变化时， 在现有技术方法中不容易精确校正衰减。鉴于以上，希望提供一种校正电路以及驱动电路和具有该校正电路的发光器件， 该校正电路能够根据驱动条件的差别校正衰减。还希望提供一种校正电流脉冲波形的方法，其能够根据驱动条件的差别校正衰减。在根据本发明实施例的校正电路、驱动电路、发光器件和电流脉冲波形的校正方法中，可以通过使用第一 RC时间常数电路减少其中光输出随着温度增加而减少的称为衰减的现象，因此，可以执行根据驱动条件的差别的衰减校正。在根据本发明实施例的校正电路、驱动电路、发光器件和电流脉冲波形的校正方法中，可以通过使用第一 RC时间常数电路和包括多个第三时间常数电路的第二 RC时间常数电路，校正从电流源输出的电流脉冲波形，使得半导体激光器的光输出的脉冲波形接近矩形形状，该第三时间常数电路随着时间削弱电流脉冲的脉冲高度值，结果，不但可以减少由于衰减导致的波形圆形畸变(rounding)，而且可以减少由于波长失谐Δ λ导致的光输出的波形圆形畸变。下文中，将参照
本发明的实施例。图1示出根据本发明实施例的发光器件1的示意性配置示例。发光器件1例如包括系统控制电路10、激光器驱动电路20和光学系统30，如图1所示。系统控制电路10通过激光器驱动电路20控制半导体激光器件31的驱动。光学系统30包括例如热敏电阻32、准直透镜33和物镜34。通过包括一个或多个表面发射半导体激光器(未示出)配置半导体激光器件31。通过包括例如在尽管未示出的基底上提供的激光器结构，配置半导体激光器件31中包括的表面发射半导体激光器(简称为半导体激光器)。激光器结构单元具有垂直腔结构，其中通过一对多层反射镜(未示出)包夹活性层，从上表面发射激光。活性层例如包括红色材料(GaInP或Alfe^nP)。此时，作为活性层的发射波长和表面发射半导体激光器的振荡波长之间的差的波长失谐△ λ 是15nm或更大。活性层可以包括其它材料，例如红外材料(例如，GaAs或AlGaAs)。在此情况下，波长失谐Δ λ是13nm或更大。热敏电阻32检测(测量)半导体激光器的基底附近的温度(或者半导体激光器的周围温度)。热敏电阻32的电阻值根据基底附近的温度(或者半导体激光器的周围温度)变化。因此，可以通过读取热敏电阻32的电阻值检测基底附近的温度(或者半导体激光器的周围温度)。准直透镜33是将从半导体激光器件31发射的激光成形为平行光的光学器件。物镜34是收集由准直透镜33形成为平行光的激光以及将光照射向未示出的要照射的物体的光学器件。激光器驱动电路20施加电流到半导体激光器，以允许半导体激光器发光。激光器驱动电路20包括例如电流源21和校正电路22，如图2所示。电流源21脉冲驱动半导体激光器，例如输出矩形电流脉冲(I。p_n_ (t))，如图3A所示。从电流源21输出的电流脉冲(I。p_n_(t))的脉冲高度值的符号是正的。另一方面，校正电路22校正衰减。校正电路22具有RC时间常数电路22A，通过使用RC时间常数电路22A，校正从电流源21输出的电流脉冲波形，使得半导体激光器的光输出的脉冲波形接近矩形形状。校正电路22根据RC时间常数电路22A的RC时间常数校正电流脉冲(I。p-n_(t))的波形，使得脉冲高度值随着时间改变(饱和)，例如如图3C所示。校正电路22输出具有与电流脉冲(I。p-n_(t))的脉冲高度值的符号相反符号的脉冲高度值的电流脉冲(ΔΙ_α))。电流脉冲(ΔΙ_α))具有根据RC时间常数电路22Α 的RC时间常数随着时间改变(饱和)的脉冲波形，如例如图:3Β所示。也就是说，电流脉冲 (AIdrp(t))的脉冲高度值的绝对值首先高，其逐渐减小并且最终变为零或接近零的值。RC时间常数电路22A具有第一时间常数电路(未示出)，其随着时间改变 (Iop-none(t))的脉冲高度值。第一时间常数电路的RC时间常数是在从1微秒到3微秒范围中的值。校正电路22通过使用第一时间常数电路校正电流脉冲(ΔΙ_α))的脉冲高度值，使得电流脉冲(I。p-n_(t))的脉冲高度根据第一时间常数电路的RC时间常数改变(饱和)。校正电路22通过使用上面的第一时间常数电路输出电流脉冲(Δ (t))，其中脉冲高度值随着时间改变(饱和)，如例如图3B所示。具体地，校正电路22输出由以下等式1 表示的电流脉冲(AIdrp(t))。[等式1]Δ Idrp (t) = Δ Ifflax drp (t) · exp (_t/Tthl)这里，Δ Ifflax drp代表输入脉冲时(t = 0)的校正电流。Tthl代表指示直到校正电流达到零的时间变化的时间常数，其对应于第一时间常数电路的RC时间常数。对应于校正电流的初始值的△〗_—的绝对值随着驱动电流变得更高而变得更高，如稍后所述。因此，Δ _ _α)具有与驱动电流ι。ρα)(校正之前)成比例的项。 Δ Ifflax drp(t)的绝对值随着半导体激光器的周围温度变得更高而变得更高，如稍后所述。因此，ΔΙ_—具有与半导体激光器的周围温度Ta成比例的项。根据以上，Δ Imaxttp⑴由以下等式2表示。[等式2]Δ Ifflax drp (t) = -A · {Iop-B · (Tx-Ta)}这里，A和B是分别指示驱动电流I。p (t)和周围温度Ta之间依赖性的正常数，并且其最优值根据器件而不同。例如，在其中I-L特性的线性极好的器件的情况下，对于A小的值是足够的。例如，当在I-L特性中阈值的温度依赖性高时，B的值优选地为高。Tx也是常数，并且其最优值根据波长失谐△ λ而不同。在波长失谐△ λ高的情况下，与其中波长失谐Δ λ低的情况相比，在高器件温度生成的衰减量低，因此，优选的是Tx的值高。关于波长失谐Δ λ的行为和由于温度变化的光输出，很少出现根据器件的变化。因此1^和8是其中不总是需要对于每个器件调整并且优选在每个器件中设置共同固定值的常数。另一方面，I-L特性的线性根据制造以及根据器件而不同，因此，优选的是A的值优选地根据每个器件调整。RC时间常数电路22Α还包括第二时间常数电路(未示出)，其在电流源21连续输出电流脉冲时调整从电流源21输出的电流脉冲的脉冲高度值的峰值。第二时间常数电路用于考虑当电流源21输出电流脉冲以允许半导体激光器发光时，在具有垂直腔结构的半导体激光器中(在活性层中)剩余的热因素，在该垂直腔结构中通过一对多层反射镜(未示出)包夹活性层。第二时间电路中的RC时间常数是对应于半导体激光器的大致热时间常数的值，具体地，在从1微秒到3微秒范围内的值。因此，校正电路22可以通过使用第二时间常数电流校正从电流源21输出的电流脉冲的脉冲高度值，以便对应于半导体激光器(活性层)的温度变化。假设半导体激光器(活性层)的温度变化是F (t)，并且半导体激光器的热时间常数(第二时间常数电路的RC时间常数)是Tth2，F(t)由以下等式3表示。并且等式中的 “t”表示从每次开(ON)或每次关(OFF)经过的时间。[等式3]
m=l l-exp(-t/Tth2)在开时
I exp(-t/Tth2)在关时图4A到4C示出光输出、器件温度和校正电流之间的关系示例。如图4A到4C所示，当输入第一脉冲时，半导体激光器的器件温度由于自发热而增加。接下来，输入第二脉冲。这里，随着作为从第一脉冲直到第二脉冲的时段的关时段T。ff变得更长，通过自发热生成的热量被释放，结果，半导体激光器的器件温度变得接近周围温度Ta。因此，要施加的校正电流根据关时段T。ff的长度增加(在负方向上)。根据上述，关于任意脉冲模式的校正电流△〗_—drp(t)由以下等式表示。[等式4]Δ Ifflax drp (t) = -A · {Iop-B · (Tx-Ta)I · {l_F(t)}当周围温度Ta低以及驱动电流I。p低时，上述等式的右侧可以具有正值。这指示校正电流Δ Imax 在这样的条件下可以在正方向给出。然而，在这样的条件下要生成的自发热小，因此，几乎不产生衰减。因此，不应在正方向上给出校正电流Δ Imax _(t)。当上述等式的右侧具有正值时，校正电流ΔΙΜΧ _α)设为零，如等式5所示。[等式5]Δ Ifflax drp (t) = 0…-A · {Iop-B · (Tx-Ta)} · {l_F(t)} > 0在激光器驱动电路20中，例如，电流源21和校正电路22的输出端相互连接，如图 2所示。因此，激光器驱动电路20输出通过将电流源21的输出叠加在校正电路22的输出上所获得的电流脉冲(I。p(t) = I。p-n_(t)+IA(t))。因此，例如，在当仅施加电流源21的输出到半导体激光器时、与从电流源21输出的电流脉冲的波形相比半导体激光器的光输出的脉冲波形圆形畸变的情况下，将通过将电流源21的输出叠加在校正电路22的输出上获得的电流脉冲施加到半导体激光器，这使得半导体激光器的光输出的脉冲波形能够接近矩形形状，如图5A所示。在具有上述配置的发光器件1中，从电流源21输出矩形电流脉冲(电流 I。p-n_(t))。同时，在校正电路22中，通过使用RC时间常数电路22A得到F(t)和Δ Imax drp(t)，F(t)指示对应于半导体激光器(活性层)中剩余的热因素的变化的变化(图5B)， Δ Ifflax drp(t)指示校正电流的初始值(图5C)。随后，当在校正电路22中开/关驱动半导体激光器时，Δ __α)的值保持在开时段的开始点α2η)，并且此外，得到用于根据使用该值作为开始点的“exp(-t/Tthl)”削弱该值的电流脉冲(AI_(t))(图5D)，然后，从校正电路22输出电流脉冲(AIdip(t))。此后，由激光器驱动电路20将通过将电流源21的输出叠加在校正电路22的输出上获得的电流脉冲(I。p(t) = Iop-none(t) + AIdrp(t))施加到半导体激光器器件31 (图5E)。因此，从半导体激光器器件31向外发射矩形光输出。
接下来，将说明根据实施例的发光器件1的优点。通常，因为谐振器结构小，所以由于电流施加的活性层的温度增加高，并且光输出随同表面发射半导体激光器中的温度增加减小。例如，在具有680nm的振荡波长的表面发射半导体激光器中，当周围温度从50°C和ImW的驱动状态增加10°C时，光输出减小大约 20%。即使当表面发射半导体激光器被脉冲操作时，与电流脉冲施加到器件同时，器件温度逐渐增加，并且光输出随同温度增加而逐渐减小。作为校正称为衰减的现象的方法，例如，存在在专利文献2中描述的方法。然而， 在专利文献2中描述的方法中，存在问题在于当衰减曲线根据如发光模式、电流值、温度等的驱动条件的差而变化时，难以精确校正衰减。另一方面，根据本发明的实施例，校正电路22包括给出校正电流的时间变化的第一时间常数电路(包括时间常数Tthl的电路)，以及在对应于校正电流的初始值的每个脉冲的开始给出最大电流Δ __α)的第二时间常数电路(包括时间常数Tth2的电路)。这里，最大电流Δ Imax dip⑴根据半导体激光器的周围温度Ta、驱动电流I。p(t)和半导体激光器(活性层)的温度变化F(t)而变化。此外，半导体激光器(活性层)的温度变化F(t) 根据时间常数Tth2变化。因此，即使当衰减曲线根据如发光模式、电流值、温度的驱动条件的差变化时，也可以精确校正衰减。在上面的实施例中，校正电路22不但校正衰减，而且同时校正上升。下文中，将在下面的修改示例中详细说明“上升校正”。校正电路22包括RC时间常数电路22B，通过使用RC时间常数电路22B校正从电流源输出的电流脉冲波形，使得来自半导体激光器的光输出的脉冲波形接近矩形形状。RC时间常数电路22B包括多个第三时间常数电路(未示出)，其随着时间削弱从电流源21输出的电流脉冲(电流I。p_tme(t))的脉冲高度值。各个第三时间常数电路的RC 时间常数相互不同。具体地，作为多个第三时间常数电路的至少一个的第四时间常数电路 (未示出)的RC时间常数是在从20纳秒到50纳秒范围中的值。另一方面，作为多个第三时间常数电路中不同于第四时间常数电路的时间常数电路的一个或多个第五时间常数电路(未示出)的RC时间常数是超过50纳秒的值(典型地，300纳秒到1500纳秒)。校正电路22通过使用多个第三时间常数电路进行校正，使得根据RC时间常数电路的RC时间常数，随着时间削弱从电流源21输出的电流脉冲的脉冲高度。校正电路22通过使用第三时间常数电路输出其中脉冲高度已经随着时间削弱的电流脉冲(电流Ia(t))，如例如图9B所
7J\ ο例如，假设RC时间常数电路22B包括两个第三时间常数电路，第三时间常数电路之一(第四时间常数电路)具有在从20纳秒到50纳秒范围中的RC时间常数Tai，并且另一第三时间常数电路(第五时间常数电路)具有超过50纳秒值(典型地从300纳秒到1500 纳秒范围中的值)的RC时间常数TA2。此时，校正电路22输出在以下等式6中示出的辅助电流IA(t)。[等式6]· g ⑴这里，“k”表示将辅助电流因子VaR换为电流值的常数。辅助电流因子Va由以下
10等式7表示。并且等式7中的“g(t) ”由以下等式8表示，其中“g(t) ”指示在随着时间削弱从电流源21输出的电流脉冲(电流I。p_n_(t))的脉冲高度值时的衰减。[等式7]Va = VrffseJVitjp-Vib-V0[等式8]
权利要求
1.一种驱动电路，包括电流源，其输出驱动电流；以及校正电路，其输出校正电流，所述校正电路包括第一 RC时间常数电路，其中，所述电流源的输出端子连接到所述校正电路的输出端子。
2.如权利要求1所述的驱动电路，其中所述驱动电路驱动发光器件，并且所述第一 RC时间常数电路校正从所述发光器件输出的光的减少。
3.如权利要求2所述的驱动电路，其中所述发光器件是表面发射半导体激光器。
4.如权利要求2所述的驱动电路，其中所述第一RC时间常数电路包括第一时间常数电路，所述第一时间常数电路导致所述校正电流的时间变化。
5.如权利要求4所述的驱动电路，其中所述第一时间常数电路的第一时间常数在1微秒到3微秒的范围中。
6.如权利要求4所述的驱动电路，其中所述第一RC时间常数电路还包括第二时间常数电路，所述第二时间常数电路校正所述发光器件的热因数。
7.如权利要求6所述的驱动电路，其中所述第二时间常数电路的时间常数在1微秒到 3微秒的范围中。
8.如权利要求6所述的驱动电路，其中所述第二时间常数电路通过调整所述驱动电流的脉冲高度值，校正所述发光器件的热因数。
9.如权利要求1所述的驱动电路，其中所述驱动电路驱动发光器件，并且所述第一 RC时间常数电路校正从所述发光器件输出的光的逐渐上升。
10.如权利要求9所述的驱动电路，其中所述发光器件是表面发射半导体激光器。
11.如权利要求9所述的驱动电路，其中所述第一RC时间常数电路包括多个第三时间常数电路，所述第三时间常数电路随着时间削弱所述驱动电流的脉冲高度。
12.如权利要求11所述的驱动电路，其中所述第三时间常数电路包括具有在20纳秒到50纳秒的范围中的时间常数的第四时间常数电路、以及具有大于50纳秒的时间常数的第五时间常数电路。
13.如权利要求11所述的驱动电路，其中所述第一RC时间常数电路还包括多个第六时间常数电路，所述第六时间常数电路校正所述发光器件的热因数。
14.如权利要求13所述的驱动电路，其中所述第六时间常数电路包括具有在20纳秒到50纳秒的范围中的时间常数的第七时间常数电路、以及具有大于50纳秒的时间常数的第八时间常数电路。
15.如权利要求1所述的驱动电路，其中所述校正电路还包括第二RC时间常数电路。
16.如权利要求15所述的驱动电路，其中所述驱动电路驱动发光器件，并且所述第一 RC时间常数电路校正从所述发光器件输出的光的减少。
17.如权利要求15所述的驱动电路，其中所述第二RC时间常数电路校正从所述发光器件输出的光的逐渐上升。
18.如权利要求16所述的驱动电路，其中所述第二RC时间常数电路校正从所述发光器件输出的光的逐渐上升。
19.如权利要求18所述的驱动电路，其中所述发光器件是表面发射半导体激光器。
20.—种驱动电流校正方法，包括输出驱动电流；输出校正电流，所述校正电流由包括第一 RC时间常数电路的校正电路输出；并且将所述驱动电流叠加在所述校正电流上。
21.如权利要求20所述的驱动电流校正方法，其中所述驱动电流驱动发光器件，并且所述第一 RC时间常数电路校正从所述发光器件输出的光的减少。
22.如权利要求21所述的驱动电流校正方法，其中所述发光器件是表面发射半导体激光器。
23.如权利要求21所述的驱动电流校正方法，其中所述第一RC时间常数电路包括第一时间常数电路，所述第一时间常数电路导致所述校正电流的时间变化。
24.如权利要求23所述的驱动电流校正方法，其中所述第一时间常数电路的第一时间常数在1微秒到3微秒的范围中。
25.如权利要求23所述的驱动电流校正方法，其中所述第一RC时间常数电路还包括第二时间常数电路，所述第二时间常数电路校正所述发光器件的热因数。
26.如权利要求25所述的驱动电流校正方法，其中所述第二时间常数电路的时间常数在1微秒到3微秒的范围中。
27.如权利要求25所述的驱动电流校正方法，其中所述第二时间常数电路通过调整所述驱动电流的脉冲高度值，校正所述发光器件的热因数。
28.如权利要求20所述的驱动电流校正方法，其中所述驱动电路驱动发光器件，并且所述第一 RC时间常数电路校正从所述发光器件输出的光的逐渐上升。
29.如权利要求观所述的驱动电流校正方法，其中所述发光器件是表面发射半导体激光器。
30.如权利要求观所述的驱动电流校正方法，其中所述第一RC时间常数电路包括多个第三时间常数电路，所述第三时间常数电路随着时间削弱所述驱动电流的脉冲高度。
31.如权利要求30所述的驱动电流校正方法，其中所述第三时间常数电路包括具有在 20纳秒到50纳秒的范围中的时间常数的第四时间常数电路、以及具有大于50纳秒的时间常数的第五时间常数电路。
32.如权利要求30所述的驱动电流校正方法，其中所述第一RC时间常数电路还包括多个第六时间常数电路，所述第六时间常数电路校正所述发光器件的热因数。
33.如权利要求32所述的驱动电流校正方法，其中所述第六时间常数电路包括具有在 20纳秒到50纳秒的范围中的时间常数的第七时间常数电路、以及具有大于50纳秒的时间常数的第八时间常数电路。
34.如权利要求20所述的驱动电流校正方法，其中所述校正电路还包括第二RC时间常数电路。
35.如权利要求34所述的驱动电流校正方法，其中所述驱动电路驱动发光器件，并且所述第一 RC时间常数电路校正从所述发光器件输出的光的减少。
36.如权利要求34所述的驱动电流校正方法，其中所述第二RC时间常数电路校正从所述发光器件输出的光的逐渐上升。
37.如权利要求35所述的驱动电流校正方法，其中所述第二RC时间常数电路校正从所述发光器件输出的光的逐渐上升。
38.如权利要求37所述的驱动电流校正方法，其中所述发光器件是表面发射半导体激光器。
39.一种驱动电路，包括用于输出驱动电流的部件；用于输出校正电流的部件，所述校正电流由包括第一 RC时间常数电路的校正电路输出；以及用于将所述驱动电流叠加在所述校正电流上的部件。
全文摘要
在此描述了一种驱动电路和驱动电流校正方法。该驱动电路包括输出驱动电流的电流源，以及输出校正电流的校正电路。该校正电路包括第一RC时间常数电路。该电流源的输出端子连接到该校正电路的输出端子。
文档编号H03K3/011GK102208907SQ20111007181
公开日2011年10月5日 申请日期2011年3月24日 优先权日2010年3月31日
发明者仲埜博文, 兴边孝一, 前田修, 大尾桂久, 汤胁武志, 荒木田孝博 申请人:索尼公司