专利名称：一种模数转换器及电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及模拟电路设计领域，特别涉及一种模数转换器及电子设备。
背景技术：
随着集成电路技术的高速发展，通信系统对高性能模数转换器(ADC)的需求越来越高，ADC前端的采样保持(S/H)电路就要满足高速、高线性、高精度的要求，而采样开关的性能优劣通常决定了 S/H电路接收信号的精度。高线性高速的采样开关会有效的降低电荷注入和时钟馈通等非线性因素对采样输入的影响，从而提高采样精确性。栅压自举开关电路如
图1、图2所示，他们分别包括了一个电容和一个开关组。其中图1是开关组断开状态，图2是开关组导通状态，Vin是采样输入信号，Vout是采样输出， Cbat是充放电电容，VDD是电源电压高电平，GND是电源电压低电平。图1所示的是栅压自举开关电路开关组断开状态，NMOS开关管接地，同时Cbat被充电至电源电压VDD ；在下一个时钟相位的控制下自举开关开关组导通，如图2所示，Cbat 两端与NMOS开关管的栅源相连，使得NMOS管的栅源电压Vgs即Vg-Vin等于VDD。MOS采样开关的导通电阻表达式为
权利要求
1.一种模数转换器，其特征在于，包括，第二晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管和充放电电容，其中，第二晶体管，其漏极连接电源电压VDD，栅极连接第二时钟信号，源极连接第六晶体管的源极和充放电电容的上极板，第二时钟信号为当时钟输入信号为第一电平状态时，使得漏极与源极导通，当时钟输入信号为第二电平状态时，使得漏极与源极断开的电平信号；第四晶体管，其源极连接采样输入信号Vin，栅极连接第四时钟信号，漏极连接充放电电容的下极板，第六时钟信号为当时钟输入信号为第一电平状态时，使得漏极与源极断开， 当时钟输入信号为第二电平状态时，使得漏极与源极导通的电平信号，第四晶体管为N型晶体管；第五晶体管，其漏极连接采样输入信号Vin，栅极连接第五时钟信号，源极连接充放电电容的下极板，第五时钟信号为当时钟输入信号为第一电平状态时，使得漏极与源极断开， 当时钟输入信号为第二电平状态时，使得漏极与源极导通的电平信号，第五晶体管为P型晶体管；第六晶体管，其栅极与源极短接且连接第六时钟信号，漏极连接第十二晶体管的源极， 第六时钟信号为当时钟输入信号为第一电平状态时，使得漏极与源极断开，当时钟输入信号为第二电平状态时，使得漏极与源极导通的电平信号；第十晶体管，其栅极连接第十时钟信号，第十晶体管的源极连接地GND，第十晶体管的漏极连接充放电电容的下极板，第十时钟信号为当时钟输入信号为第一电平状态时，使得漏极与源极导通，当时钟输入信号为第二电平状态时，使得漏极与源极断开的电平信号；第十一晶体管，其源极、漏极分别连接采样输入信号Vin和采样输出信号Vout，栅极连接第六晶体管漏极；第十二晶体管，其栅极连接第十二时钟信号，第十二晶体管的漏极连接地GND，第十二时钟信号为当时钟输入信号为第一电平状态时，使得漏极与源极导通，当时钟输入信号为第二电平状态时，使得漏极与源极断开的电平信号。
2.根据权利要求1所述的模数转换器，其特征在于，第二晶体管、第四晶体管、第十晶体管、第十一晶体管和第十二晶体管为NMOS晶体管，第五晶体管和第六晶体管为PMOS晶体管。
3.根据权利要求2所述的模数转换器，其特征在于，第一电平状态为电源电压VDD，第二电平状态为地GND。
4.根据权利要求3所述的模数转换器，其特征在于，还包括第十三晶体管，其栅极连接第十三时钟信号，源极连接电源电压VDD，漏极连接第十二晶体管的源极，十三时钟信号与第十二时钟信号为同一时钟信号，第十三晶体管为PMOS晶体管。
5.根据权利要求4所述的模数转换器，其特征在于，还包括第一电容，其上极板连接第二晶体管的栅极，下极板连接时钟输入信号；第一晶体管，其栅极、漏极连接电源电压VDD，源极连接第二晶体管的栅极，第一晶体管为NMOS晶体管。
6.根据权利要求5所述的模数转换器，其特征在于，还包括第九晶体管，其栅极连接第十一晶体管的栅极，漏极连接第四晶体管源极，源极连接充放电电容的下极板，第九晶体管为NMOS晶体管。
7.根据权利要求6所述的模数转换器，其特征在于，还包括第三晶体管，其栅极连接第三时钟信号，源极连接电源电压VDD，漏极连接第六晶体管栅极，第三时钟信号为当时钟输入信号为第一电平状态时，使得漏极与源极导通，当时钟输入信号为第二电平状态时，使得漏极与源极断开的电平信号，第三晶体管为PMOS晶体管。
8.根据权利要求7所述的模数转换器，其特征在于，还包括第七晶体管，其栅极连接第六晶体管漏极，漏极连接第六晶体管栅极，源极连接采样输入信号Vin，第七晶体管为NMOS晶体管。
9.根据权利要求8所述的模数转换器，其特征在于，还包括第八晶体管，其栅极连接电源电压VDD，漏极连接第十二晶体管源极，源极连接第六晶体管漏极，第八晶体管为NMOS晶体管。
10.一种电子设备，其特征在于，本体上包括如权利要求1至9任一权利要求所述的模数转换器。
全文摘要
本发明提供一种模数转换器及电子设备，属于模拟电路设计领域，模数转换器中的栅压自举开关电路，两个晶体管采用传输门TG连接方式并与输入信号Vin连接，由于两个晶体管采用TG连接方式，可以有效的抑制电荷注入和时钟馈通对输入信号Vin的影响，提高采样的精度。
文档编号H03M1/12GK102571091SQ201210015980
公开日2012年7月11日 申请日期2012年1月18日 优先权日2012年1月18日
发明者于光文, 朱樟明 申请人:成都启臣微电子有限公司