专利名称：谐振型异或门振荡集成系统的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电路集成系统，具体是指一种谐振型异或门振荡集成系统。
背景技术：
电子设备是人们目前常用的生活工具，而大多数的电子设备中都具有异或门电路，以通过识别高、底电平来对电子设备进行控制。但目前市面上的异或门电路均为单纯的异或运算电路，其不 具有谐振保护功能、振荡功能和反接保护功能，因此当输入的电压出现脉冲时，不仅会极大的影响到异或门电路的正常使用，减少异或门电路的使用寿命，甚至还会击穿该异或门电路，给使用者造成安全隐患。
实用新型内容本实用新型的目的在于克服目前的异或门电路不具有谐振保护功能、振荡功能和反接保护功能的缺陷，提供一种结构简单，具有谐振保护功能、振汤功能和反接保护功能的一种谐振型异或门振荡集成系统。本实用新型通过以下技术方案来实现谐振型异或门振荡集成系统，其主要由异或门集成芯片Ul和异或门集成芯片U2，与异或门集成芯片Ul和异或门集成芯片U2的输入端均相连接的电阻R，与异或门集成芯片Ul和异或门集成芯片U2的输出端相连接的谐振保护电路，与异或门集成芯片Ul相并联的振荡电路，以及与异或门集成芯片U2相并联的反接保护电路组成。所述的谐振保护电路由场效应晶体管Q2，一端与场效应晶体管Q2的栅极相连接、另一端依次经电容C2、电容C4后与场效应晶体管Q2的漏极相连接的电容Cl，串接在电容Cl与电容C2的连接点与场效应晶体管Q2的漏极之间的电容C3，以及与电容C4相并联的电感L2组成；所述异或门集成芯片Ul的输出端与电容Cl和电容C2的连接点相连接，异或门集成芯片U2的输出端则与电容C2与电容C4的连接点相连接。所述的振荡电路由场效应晶体管Q1，一端与场效应晶体管Ql的栅极相连接、另一端与异或门集成芯片Ul的输入端相连接的耦合滤波电路，以及与场效应晶体管Q相并联的二极管D组成。所述的反接保护电路由一端与异或门集成芯片U2的输入端相连接、另一端经二极管D3、继电器K后与异或门集成芯片U2的输出端相连接的熔断器F，以及与继电器K相并联的二极管D4组成，继电器K的常开触点则与电阻R相串接。为了较好的实现本使用新型，所述电阻R的阻值为4. 7 KQ，所述的耦合滤波电路由相互并联的电感LI和低频滤波电容CT组成。所述的电容Cl、电容C2、电容C3及电容C4均为高压贴片电容。本实用新型与现有技术相比，具有以下优点及有益效果(I)本实用新型能彻底解决传统的异或门电路不具有谐振保护功能、振荡功能和反接保护功能的缺陷。[0012](2)本实用新型具有良好的滤波稳压功能，因此能有效过滤交流电源的一次谐波和二次谐波，延长电子设备的使用寿命。(3)本实用新型的性能非常稳定，便于制作和使用，且能最大程度的杜绝使用者的安全隐患。
图I为本实用新型的电路结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型作进一步地详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此。
实施例如图I所示，本实用新型的集成系统包括异或门集成芯片Ul和异或门集成芯片U2，与异或门集成芯片Ul和异或门集成芯片U2的输入端均相连接的电阻R，与异或门集成芯片Ul和异或门集成芯片U2的输出端相连接的谐振保护电路，与异或门集成芯片Ul相并联的振荡电路，以及与异或门集成芯片U2相并联的反接保护电路。如图所示，该谐振保护电路由场效应晶体管Q2，一端与场效应晶体管Q2的栅极相连接、另一端依次经电容C2、电容C4后与场效应晶体管Q2的漏极相连接的电容Cl，串接在电容Cl与电容C2的连接点与场效应晶体管Q2的漏极之间的电容C3，以及与电容C4相并联的电感L2组成；所述异或门集成芯片Ul的输出端与电容Cl和电容C2的连接点相连接，异或门集成芯片U2的输出端则与电容C2与电容C4的连接点相连接。所述的振荡电路则由场效应晶体管Q1，一端与场效应晶体管Ql的栅极相连接、另一端与异或门集成芯片Ul的输入端相连接的耦合滤波电路，以及与场效应晶体管Q相并联的二极管D组成。为了确保使用效果，该耦合滤波电路优先由相互并联的电感LI和低频滤波电容CT组成。所述的反接保护电路由一端与异或门集成芯片U2的输入端相连接、另一端经二极管D3、继电器K后与异或门集成芯片U2的输出端相连接的熔断器F，以及与继电器K相并联的二极管D4组成，继电器K的常开触点则与电阻R相串接。为了较好的实现本实用新型，所述电阻R的阻值优先为4. 7 KQ，而电容Cl、电容C2、电容C3及电容C4均为高压贴片电容。如上所述，便可较好的实现本实用新型。
权利要求1.谐振型异或门振荡集成系统，其特征在于，主要由异或门集成芯片Ui和异或门集成芯片U2，与异或门集成芯片Ul和异或门集成芯片U2的输入端均相连接的电阻R，与异或门集成芯片Ul和异或门集成芯片U2的输出端相连接的谐振保护电路，与异或门集成芯片Ul相并联的振荡电路，以及与异或门集成芯片U2相并联的反接保护电路组成。
2.根据权利要求I所述的谐振型异或门振荡集成系统，其特征在于所述的谐振保护电路由场效应晶体管Q2，一端与场效应晶体管Q2的栅极相连接、另一端依次经电容C2、电容C4后与场效应晶体管Q2的漏极相连接的电容Cl，串接在电容Cl与电容C2的连接点与场效应晶体管Q2的漏极之间的电容C3，以及与电容C4相并联的电感L2组成；所述异或门集成芯片Ul的输出端与电容Cl和电容C2的连接点相连接，异或门集成芯片U2的输出端则与电容C2与电容C4的连接点相连接。
3.根据权利要求I或2所述的谐振型异或门振荡集成系统，其特征在于所述的振荡电路由场效应晶体管Q1，一端与场效应晶体管Ql的栅极相连接、另一端与异或门集成芯片Ul的输入端相连接的耦合滤波电路，以及与场效应晶体管Q相并联的二极管D组成。
4.根据权利要求3所述的谐振型异或门振荡集成系统，其特征在于所述的耦合滤波电路由相互并联的电感LI和低频滤波电容CT组成。
5.根据权利要求3所述的谐振型异或门振荡集成系统，其特征在于，所述的反接保护电路由一端与异或门集成芯片U2的输入端相连接、另一端经二极管D3、继电器K后与异或门集成芯片U2的输出端相连接的熔断器F，以及与继电器K相并联的二极管D4组成，继电器K的常开触点则与电阻R相串接。
6.根据权利要求5所述的谐振型异或门振荡集成系统，其特征在于所述电阻R的阻值为4. 7 ΚΩ。
7.根据权利要求2所述的谐振型异或门振荡集成系统，其特征在于所述的电容Cl、电容C2、电容C3及电容C4均为高压贴片电容。
专利摘要本实用新型公开了一种谐振型异或门振荡集成系统，其特征在于，主要由异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2，与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输入端均相连接的电阻R，与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输出端相连接的谐振保护电路，与异或门集成芯片U1相并联的振荡电路，以及与异或门集成芯片U2相并联的反接保护电路组成。本实用新型能彻底解决传统的异或门电路不具有谐振保护功能、振荡功能和反接保护功能的缺陷。
文档编号H03K19/20GK202798663SQ20122042425
公开日2013年3月13日 申请日期2012年8月25日 优先权日2012年8月25日
发明者王艳 申请人:成都方拓科技有限公司