介质振荡器和介质振荡模块的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及微波混合集成电路领域，具体地，涉及一种介质振荡器和介质振荡模块。
【背景技术】
[0002]在现代微波通信系统中，微波振荡器是重要组成部件，是微波通信，微波测量及雷达技术中的重要部件，其性能优劣将直接影响整个通信系统的质量。采用低相位噪声的频率源，可以提高接收机的灵敏度，有利于降低对发射功率的需求，有利于提高雷达系统的分辨率；可以减少通信系统中的邻信道干扰，提高数字通信系统的稳定性。是微波频段的频率合成技术中一种重要技术，那便是取样锁相技术。取样锁相技术属于间接模拟频率合成技术，在频率源的发展早期就己经提出，但是由于当时的器件水平限制，特别是较高频率的窄脉冲形成技术很差，以致于IGHz以上的频率源很难用其实现。
[0003]随着器件水平的发展，目前窄脉冲产生频率能到24GHz以上，而且效率很高。这使得取样锁相技术成了一项可以再研宄的频率源技术。而介质振荡器(DRO)的低相位噪声、高频谱纯度和频率稳定度的特点，可以解决取样锁相技术相噪不好的问题，从而得到性能优良的微波频率源。除了微波固态器件外，在微波谐振电路和稳频技术方面也取在谐振器方面，出现的介质谐振器(DR)是其中的佼佼者。
[0004]因此一种频率稳定性高和近端相位噪声低介质振荡器(DRO)在微波本振源的应用将更加广泛。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型的目的是提供一种介质振荡器和介质振荡模块，该介质振荡器和介质振荡模块的频率稳定度高和近端相位噪声低。
[0006]为了实现上述目的，本实用新型提供了一种介质振荡器，该介质振荡器包括谐振电路，所述谐振电路的晶体管在11-13GHZ的K系数小于I，且被配置成产生预设微波信号；
[0007]放大电路，所述放大电路被配置成连接于所述谐振电路，以将所述预设微波信号衰减并放大；
[0008]滤波器电路，所述滤波器电路被配置成连接于所述放大电路，以滤除干扰信号，并将所述衰减并放大后的微波信号显示。
[0009]优选地，该放大电路包括:衰减器和功率芯片，其中，所述衰减器被配置成连接于所述谐振电路，以使所述预设微波信号衰减；
[0010]所述功率芯片被配置成连接于所述衰减器，以将衰减后的所述预设微波信号进行放大。
[0011]优选地，所述谐振电路的晶体管的型号为GaAs稳压管。
[0012]优选地，该介质振荡器还包括:二极管和微带线，所述二极管通过所述微带线与所述介质谐振器耦合。
[0013]优选地，所述衰减器的衰减为1dB ;
[0014]所述功率芯片的增益为25dB。
[0015]优选地，所述谐振电路的材料为介电常数为20-100的陶瓷。
[0016]本实用新型提供一种介质振荡模块，该模块包括:根据上述的介质振荡器和基板，所述介质振荡器设置于所述基板上。
[0017]优选地，所述基板包括:振荡电路基板、放大电路基板、滤波电路基板和输出过渡电路基板。
[0018]优选地，所述振荡电路基板或输出过渡电路基板的材料为介电常数为1-3的罗杰斯基板；
[0019]所述滤波电路基板为介电常数为9-10的陶瓷。
[0020]通过上述的实施方式，本实用新型的晶体管最主要的原因是它在12GHz左右的K系数小于1，也就是说管子本身是潜在不稳定的，振荡管更易振荡，适用于S波段到X波段的振荡器设计，本实用新型对机械振动和电源瞬变过程不敏感，并且在一到几十GHz频率范围内可直接产生所需要频率的振动无需倍频的目的。
[0021]本实用新型的其他特征和优点将在随后的【具体实施方式】部分予以详细说明。
【附图说明】
[0022]附图是用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的【具体实施方式】一起用于解释本实用新型，但并不构成对本实用新型的限制。在附图中:
[0023]图1是说明本实用新型的一种介质振荡器的原理图；以及
[0024]图2是说明本实用新型的一种介质振荡模块的结构图。
[0025]附图标记说明
[0026]I振荡电路基板2放大电路基板
[0027]3滤波电路基板4输出过渡电路基板。
【具体实施方式】
[0028]以下结合附图对本实用新型的【具体实施方式】进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的【具体实施方式】仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限制本实用新型。
[0029]本实用新型提供一种介质振荡器，该介质振荡器包括谐振电路，所述谐振电路的晶体管在11-13GHZ的K系数小于I，且被配置成产生预设微波信号；放大电路，所述放大电路被配置成连接于所述谐振电路，以将所述预设微波信号衰减并放大；滤波器电路，所述滤波器电路被配置成连接于所述放大电路，以滤除干扰信号，并将所述衰减并放大后的微波信号显不。
[0030]通过上述实施方式，为了得到低相噪的介质振荡器，首先需要选择具有低噪声性能的有源器件，在实际的介质振荡器(DRO)设计中常用的有源器件包括Gunn和Impatt 二极管、Si双极晶体管BJT、HBT异质结晶体管、GaAs场效应管，为了获得较为纯净的频谱和较高的相位噪声指标，对有源器件要求是截止频率高、噪声系数低、具有足够的环路增益，但是这些条件一般不能同时满足。Si双极晶体管优点是本身具有很好的低相噪性能，并且其参数有重复性；缺点是它的工作频率低，通常只能达到几个GHz。要想获得稳定的振荡，需要使用截止频率是工作频率的两到三倍以上的晶体管，在设计工作频率较高的振荡器时，不适合采用BJT作为有源器件。Gunn和Impatt 二极管的优点是工作频率可以非常高，最高可以工作在50GHz以上；缺点是它们的相噪性能比较差。适合于应用在对相噪要求不高，工作频率高的场合。HBT与BJT相噪性能相近，在很高的频率点上具有很高的功率增益，在DRO的设计中越来越受到重视。GaAs场效应管优点是工作频率可以做得很高，噪声系数也可以做得很好，缺点是它的拐角频率相对于BJT和HBT而言比较高，在C至Ku波段一直是使用最多的一种有源器件。本设计的DRO工作在X波段，所以选择FET管作为振荡管器件，FRT管即稳压管。在选取管子的时候应该尽量选取内反馈小的管子，亦为管子的S12尽可能的小，如果管子内反馈太大，将可能导致在管子内部产生自激而失去了介质的稳频作用。这里选用了 MITSUBISHI公司的MGF1908A是一款中功率GaAs场效应管，适用于S