专利名称：一种易于调试的宽带镜频抑制混频器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种混频器，尤其涉及一种新型的易于调试的宽带镜频抑制混频器。
背景技术：
图I为镜频抑制混频器的结构图，图中I代表混频器。图2是图I中的A的放大图，图中，2表示90°微带移相线，3表示威尔金森功分器。镜频抑制混频器是利用两路信号相位差来抑制镜频的，射频正交耦合器和中频正交耦合器实现两路信号的相位差，信号 的相位需要精确的设计，因此正交耦合器的设计对整个镜频抑制混频器非常重要，通常射频正交耦合器是用威尔金森功分器加一节90°微带移相线组成，以实现功率分配和相位正交。用微带实现相位差不仅带宽有限，而且由于加工误差，实际电路测试效果与仿真效果之间会有一定的差距，通常要通过调试实际电路来改善测试效果，而调试两路信号之间的相位非常重要，微带移相线不易于调节，这给实际电路的调试带来了困难。以往的镜频抑制混频器采用90°微带移相线实现两路射频信号正交，这种结构带宽受限，且不易于实际电路相位的调节。
实用新型内容为了解决现有技术中问题，本实用新型提供了一种易于调试的宽带镜频抑制混频器，其包括射频正交耦合器、中频正交耦合器、混频器及本振同相功分器，射频信号通过射频正交耦合器进入混频器，本振信号通过本振同相功分器进入混频器，射频信号和本振信号经过混频器后进入中频正交耦合器，由中频正交耦合器输出中频信号，所述射频正交耦合器包括威尔金森功分器，所述威尔金森功分器的两个输出端口分别设有-45°微带超材料移相线和45°微带超材料移相线。作为本实用新型的进一步改进，所述微带超材料移相线由N个微带超材料单元结构串联而成，N为正整数。作为本实用新型的进一步改进，所述微带超材料单元由特性阻抗的为Ztl的微带线加载电容和电感组成，电容和阻抗的为Ztl的微带线为各为两个，连接顺序为电容、阻抗的为Z0的微带线、电容，两个阻抗的为Ztl的微带线之间连接电感的一端，电感的另一端接地。本实用新型的有益效果是本实用新型提出的新型结构的镜频抑制混频器采用±45°丽移相线实现射频信号正交，不仅使工作频带变宽，还易于实际电路的调式，实用性较强。
图I是现有镜频抑制混频器的结构不意图；图2是图I中的A的结构放大图；[0011]图3是本实用新型易于调试的宽带镜频抑制混频器的射频正交耦合器；图4是本实用新型结构示意图MM单元结构。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型做进一步说明。混频器可用于微波通信、遥感、雷达、侦查、电子对抗以及微波测量系统中，它可以将微波射频信号降到低中频来进行处理，作为微波射频系统中必不可少的部分，混频器的各项性能指标对整个微波射频系统有十分重要的影响，通信系统中镜频信号的干扰会使整个收发系统的性能变坏甚至不能工作。为了抑制镜频信号，镜频抑制混频器被运用在很多通信系统中。本实用新型提出一种新型的易于调试的宽带镜频抑制混频器，主要是对图I和图2中所示的射频正交耦合器做了改变，如图3和图4。图3中，33代表威尔金森功分器，44代表-45°丽移相线，55代表45°丽移相线。微带超材料(丽)可以实现相位超前也可以实现相位滞后，因此这里用±45°的MM移相线分别加在威尔金森功分器的两个输出端口，以代替90°的微带移相线实现两路信号相位正交。图中所示MM移相线由N (N为正整数)个MM单元结构串联而成，N视具体情况而定，±45°的MM移相线可以在宽带范围内实现相位随频率的变化一致，因此可以实现宽带范围内两路信号正交。且改变MM移相线上加载的集总参数电容或电感就可以改变相位，因此在实际电路调试中操作方便。一种易于调试的宽带镜频抑制混频器，其包括射频正交耦合器、中频正交耦合器、混频器及本振同相功分器，射频信号通过射频正交耦合器进入混频器，本振信号通过本振同相功分器进入混频器，射频信号和本振信号经过混频器后进入中频正交耦合器，由中频正交稱合器输出中频信号，所述射频正交稱合器包括威尔金森功分器，所述威尔金森功分器的两个输出端口分别设有-45°微带超材料移相线和45°微带超材料移相线。所述微带超材料移相线由N个微带超材料单元结构串联而成，N为正整数。所述微带超材料单元由特性阻抗的为Ztl的微带线加载电容和电感组成，电容和阻抗的为Ztl的微带线为各为两个，连接顺序为电容、阻抗的为Ztl的微带线、电容，两个阻抗的为Ztl的微带线之间连接电感的一端，电感的另一端接地。以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种易于调试的宽带镜频抑制混频器，其包括射频正交耦合器、中频正交耦合器、混频器及本振同相功分器，射频信号通过射频正交耦合器进入混频器，本振信号通过本振同相功分器进入混频器，射频信号和本振信号经过混频器后进入中频正交耦合器，由中频正交耦合器输出中频信号，其特征在于所述射频正交耦合器包括威尔金森功分器，所述威尔金森功分器的两个输出端口分别设有-45°微带超材料移相线和45°微带超材料移相线。
2.根据权利要求I所述的一种易于调试的宽带镜频抑制混频器，其特征在于所述微带超材料移相线由N个微带超材料单元结构串联而成，N为正整数。
3.根据权利要求2所述的一种易于调试的宽带镜频抑制混频器，其特征在于所述微带超材料单元由特性阻抗的为Ztl的微带线加载电容和电感组成，电容和阻抗的为Ztl的微带线为各为两个，连接顺序为电容、阻抗的为Ztl的微带线、电容，两个阻抗的为Ztl的微带线之间连接电感的一端，电感的另一端接地。
专利摘要本实用新型提供了一种易于调试的宽带镜频抑制混频器，其包括射频正交耦合器、中频正交耦合器、混频器及本振同相功分器，射频信号通过射频正交耦合器进入混频器，本振信号通过本振同相功分器进入混频器，射频信号和本振信号经过混频器后进入中频正交耦合器，由中频正交耦合器输出中频信号，所述射频正交耦合器包括威尔金森功分器，所述威尔金森功分器的两个输出端口分别设有-45°微带超材料移相线和45°微带超材料移相线。本实用新型提出的新型结构的镜频抑制混频器采用±45°MM移相线实现射频信号正交，不仅使工作频带变宽，还易于实际电路的调式，实用性较强。
文档编号H03D7/16GK202721649SQ20122043311
公开日2013年2月6日 申请日期2012年8月29日 优先权日2012年8月29日
发明者黎民 申请人:成都创吉科技有限责任公司