专利名称：一种易于调试的单平衡混频器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及混频器，尤其涉及易于调试的单平衡混频器。
背景技术：
传统的单平衡混频器由两只二极管与3dB定向耦合器组成，二极管通过微带线与3dB定向耦合器匹配。如图I:图中1Φ (表示微带移向线)和λ g/4变阻器作为耦合器和二极管之间的匹配电路。图I中，I表示λ g/4变阻器，2表示射频接地，3表示中频接地，fs表不射频输入表不本振输入，f0表不中频输出。已有技术问题及缺陷描述在单平衡混频器实际的设计过程中，由于加工误差、两只二极管不完全一致以及仿真模型过于理想等因素，会造成仿真结果与实际电路的测试结果有差异，通常是实测结果比仿真结果要差，因此为了得到理想的测试效果就有必要对实 际的混频器做调试，通过对匹配电路的调节可以改善混频器的效果。图I中微带结构的匹配电路在实际中不易调节，因此很难改善混频器电路的测试效果。传统结构的单平衡混频器采用微带线实现耦合器与二极管之间的匹配，不易于实际电路的调试，很难改善混频器的效果。
实用新型内容为了使单平衡混频器的实际电路便于调试，提出一种易于调试的单平衡混频器结构。一种易于调试的单平衡混频器，其包括一个3dB变阻定向耦合器和两只二极管，二极管与耦合器之间由微带超材料组成的移相线进行匹配，射频信号和本振信号分别从3dB变阻定向耦合器的两个相互隔离的端口输入，经过3dB变阻定向耦合器后通过微带超材料组成的移相线，进入二极管混频，混频后产生的中频信号从中频输出端口输出，在二极管的输出端接有信号短路线，本振信号输入端接有中频短路线。作为本实用新型的进一步改进，所述微带超材料组成的移相线包括N个MM单元组成，N为正整数，丽微带超材料。作为本实用新型的进一步改进，所述丽单元由特性阻抗的为Ztl的微带线加载电容和电感组成，电容和阻抗的为Ztl的微带线为各为两个，连接顺序为电容、阻抗的为Ztl的微带线、电容，两个阻抗的为Ztl的微带线之间连接电感的一端，电感的另一端接地。本实用新型的有益效果是新型结构的单平衡混频器采用MM移相线实现耦合器与二极管之间的匹配，通过该变移相线上的集总参数电容电感值就可以调节匹配，改善混频器的效果，操作简单、灵活，具有较强的实用性。
图I是传统单平衡混频器结构示意图；图2是本实用新型单平衡混频器结构示意图；[0012]图3是本实用新型单平衡混频器的MM单元结构的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型做进一步说明。混频器可用于微波通信、遥感、雷达、侦查、电子对抗以及微波测量系统中，它可以将微波射频信号降到低中频来进行处理，作为微波射频系统中必不可少的部分，混频器的各项性能指标对整个微波射频系统有十分重要的影响。如图2所示。11表示MM移向线,22表示射频接地,33表示中频接地,fs表示射频输入表示本振输入，f。表示中频输出。该混频器包括一个3dB变阻定向耦合器和两只二极管，二极管与耦合器之间由微带超材料(MM)组成的移相线实现匹配。MM :微带超材料。3dB变阻定向耦合器除了实现功率分配和移相的作用外还有阻抗变换的功能，可 以将输入端口的50欧姆阻抗在输出端口变换其它阻值的实阻抗，因而可以直接用一节移相线实现耦合器与二极管的匹配。与图I所示单平衡混频器不同，新型的单平衡混频器的移相线采用MM实现，而不是微带线。图3给出了 MM的单元结构，该单元由特性阻抗的为Ztl的微带线加载电容和电感组成，图3中的MM移相线由N个MM单元组成(N为正整数)，N根据实际设计而定。一种易于调试的单平衡混频器，其包括一个3dB变阻定向耦合器和两只二极管，二极管与耦合器之间由微带超材料组成的移相线进行匹配。射频信号和本振信号分别从3dB变阻定向耦合器的两个相互隔离的端口输入，经过3dB变阻定向耦合器后通过MM移相线，进入二极管混频，混频后产生的中频信号从中频输出端口输出。在二极管的输出端接有信号短路线，因此在中频输出端口隔离了射频和本振信号。本振信号输入端接有中频短路线，使中频信号形成回路。所述微带超材料组成的移相线包括N个MM单元组成，N为正整数，丽微带超材料。所述丽单元由特性阻抗的为Ztl的微带线加载电容和电感组成，电容和阻抗的为Ztl的微带线为各为两个，连接顺序为电容、阻抗的为Ztl的微带线、电容，两个阻抗的为Ztl的微带线之间连接电感的一端，电感的另一端接地。改变MM移相线加载的集总电容和电感可以使相位超前和滞后，因此它比微带移相线更具灵活性。在实际电路的调试中，只要改变集总参数电容电感的只就可以改变移相线的相位，调节匹配，从而改善混频器的效果。以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种易于调试的单平衡混频器，其包括一个3dB变阻定向耦合器和两只二极管，其特征在于二极管与耦合器之间由微带超材料组成的移相线进行匹配，射频信号和本振信号分别从3dB变阻定向耦合器的两个相互隔离的端口输入，经过3dB变阻定向耦合器后通过微带超材料组成的移相线，进入二极管混频，混频后产生的中频信号从中频输出端口输出，在二极管的输出端接有信号短路线，本振信号输入端接有中频短路线。
2.根据权利要求I所述的一种易于调试的单平衡混频器，其特征在于所述微带超材料组成的移相线包括N个MM单元组成，N为正整数，MM :微带超材料。
3.根据权利要求2所述的一种易于调试的单平衡混频器，其特征在于所述MM单元由特性阻抗的为Ztl的微带线加载电容和电感组成，电容和阻抗的为Ztl的微带线为各为两个，连接顺序为电容、阻抗的为Ztl的微带线、电容，两个阻抗的为Ztl的微带线之间连接电感的一端，电感的另一端接地。
专利摘要本实用新型提供了一种易于调试的单平衡混频器，其包括一个3dB变阻定向耦合器和两只二极管，二极管与耦合器之间由微带超材料组成的移相线进行匹配，射频信号和本振信号分别从3dB变阻定向耦合器的两个相互隔离的端口输入，经过3dB变阻定向耦合器后通过微带超材料组成的移相线，进入二极管混频，混频后产生的中频信号从中频输出端口输出，在二极管的输出端接有信号短路线，本振信号输入端接有中频短路线。新型结构的单平衡混频器采用MM移相线实现耦合器与二极管之间的匹配，通过该变移相线上的集总参数电容电感值就可以调节匹配，改善混频器的效果，操作简单、灵活，具有较强的实用性。
文档编号H03D7/14GK202721648SQ20122043310
公开日2013年2月6日 申请日期2012年8月29日 优先权日2012年8月29日
发明者黎民 申请人:成都创吉科技有限责任公司