专利名称：梯型弹性波滤波器及使用该弹性波滤波器的天线双工器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种梯型弹性波滤波器及使用该梯型弹性波滤波器的天线双工器。
背景技术：
如图10所示，现有技术中的梯型弹性波滤波器101包括压电基板120、形成在压电基板120上且具有串联谐振器中最低的谐振频率的第I串联谐振器103、以及形成在压电基板120上且以覆盖第I串联谐振器103的方式形成的电介质膜106。还包括形成在压电基板120上且具有比第I串联谐振器高的谐振频率的第2串联谐振器105、以及以覆盖第2串联谐振器105的方式形成在压电基板120上的电介质膜107。在该结构中，电介质膜106的膜厚Ha与电介质膜107的膜厚Hb相等。另外，作为与该技术相关的现有技术文献，例如公知有专利文献I。现有技术文献专利文献专利文献1:国际公开第2010/146826号小册子
发明内容
在现有的梯型弹性波滤波器101中，第I串联谐振器103是在串联谐振器中具有最低的谐振频率的串联谐振器，因此梯型弹性波滤波器101的通带的高频侧截止频率附近的第I串联谐振器103的功耗比另一个串联谐振器105的功耗大。因此，第I串联谐振器103中的发热量增大，第I串联谐振器103的频率温度依赖性(TCF Temperature CoefficientofFrequency)引起的特性的频率变动量比第2串联谐振器105的特性的频率变动量大。其结果，存在梯型弹性波滤波器101的通过特性劣化的问题。因此，本发明的目的在于抑制梯型弹性波滤波器的通过特性劣化。为了实现上述目的，本发明的梯型弹性波滤波器包括在多个串联谐振器中具有最低的谐振频率的第I串联谐振器、以及具有比第I串联谐振器的谐振频率高的谐振频率的第2串联谐振器，第I串联谐振器的形成区域中的电介质膜的膜厚比第2串联谐振器的形成区域中的电介质膜的膜厚厚。根据上述结构，第I串联谐振器的特性的频率温度依赖性小于第2串联谐振器的特性的频率温度依赖性。其结果，即使第I串联谐振器的功耗比第2串联谐振器的功耗大从而发热量增大，第I串联谐振器的特性的频率变动量也被抑制。由此，能够抑制梯型弹性波滤波器的通过特性的劣化。
图1是本发明的实施方式I及实施方式2的梯型弹性波滤波器的电路框图。图2是表示该梯型弹性波滤波器的各串联谐振器的导纳特性的图。图3是该梯型弹性波滤波器的剖面示意图。
图4是表示该梯型弹性波滤波器和各串联谐振器的通过特性的图。图5是该梯型弹性波滤波器的剖面示意图。图6是该梯型弹性波滤波器的剖面示意图。图7是该梯型弹性波滤波器的剖面示意图。图8是本发明的实施方式2的梯型弹性波滤波器的剖面示意图。图9是本发明的实施方式3的天线双工器的电路框图。图10是现有技术中的梯型弹性波滤波器的剖面示意图。
具体实施方式
(实施方式I)以下，参照
本发明的实施方式I的梯型弹性波滤波器I。图1是实施方式I的梯型弹性波滤波器I中的一个实施方式的电路框图。在图1中，梯型弹性波滤波器I例如在输入端子11与输出端子12之间具有从输入端子11侧依次连接的串联谐振器2、3、4、5。此外，梯型弹性波滤波器I包括在串联谐振器2、3的连接部分与接地端子13之间连接的并联谐振器8、在串联谐振器3、4的连接部分与接地端子13之间连接的并联谐振器9、以及在串联谐振器4、5的连接部分与接地端子13之间连接的并联谐振器10。另外，(表I)表示各串联谐振器2、3、4、5的⑴谐振器的分割数(级数)、(2)IDT(InterDigital Transducer)的电极指间距(其被设为主要弹性波的波长入的1/2)、
(3)IDT电极指个数、⑷夹着IDT的反射器的个数、(5) IDT电极指交叉宽度、(6)占空比(电极宽度/间距)的一个实施方式。表I
~H~~(3)IDT (4)反射器 (5)交叉宽度
谐振器⑴级数(2)间距(_ 个数个数(6)占空比
23) )137430410.50
320.9951030490.50
43(1.96238380.50
5I0.98282Iu400.50图2表示各串联谐振器2、3、4、5的导纳特性。纵轴是导纳(dB)，横轴是频率(MHz)。如图2所示，各串联谐振器2、3、4、5的谐振频率中，串联谐振器3的谐振频率最低，接着，串联谐振器5的谐振频率第2低。接着，串联谐振器2的谐振频率低，串联谐振器4的谐振频率在各串联谐振器的谐振频率中最高。即，在本实施方式中，串联谐振器3是第I串联谐振器。此外，在本实施方式中，将串联谐振器2、4、5中的串联谐振器4作为第2串联谐振器进行说明，但第2串联谐振器也可以是串联谐振器2或串联谐振器5。此外，图3是包括各串联谐振器2、3、4、5中具有最低的谐振频率的第I串联谐振器3、和具有比该第I串联谐振器3的谐振频率高的谐振频率的第2串联谐振器4的梯型弹性波滤波器I的剖面示意图。在图3中，梯型弹性波滤波器I包括压电基板7、在压电基板7上形成的多个串联谐振器2、3、4、5、并联谐振器8、9、10(没有图示串联谐振器2、5、并联谐振器8、9、10)、以及附着在串联谐振器2、3、4、5、并联谐振器8、9、10中的至少第I串联谐振器3上且具有与压电基板7的频率温度依赖性相反的频率温度依赖性的电介质膜6。此外，第I串联谐振器3的形成区域(至少覆盖第I串联谐振器3的区域)中的电介质膜6的膜厚Ha比第2串联谐振器4的形成区域(至少覆盖第2串联谐振器4的区域)中的电介质膜6的膜厚Hb厚。此外，第2串联谐振器4的形成区域的电介质膜6的膜厚Hb也可以是零。另外，本说明书中的电介质膜6的膜厚是指，谐振器形成区域中电极指与电极指之间的电极指非形成区域中的压电基板7的上表面与电介质膜6的上表面之间的距离。图4表示各串联谐振器的通过特性(信号通过损耗)和梯型弹性波滤波器I的通过特性。如图4所示，例如1910MHz处的第I串联谐振器3中的通过损耗为约-2. 8dB，而第2串联谐振器4中的信号通过损耗为约-O. 2dB。这是因为，第I串联谐振器3的谐振频率比第2串联谐振器4的谐振频率低，与第2串联谐振器4相比，第I串联谐振器3中1910MHz处的阻抗大。因此，梯型弹性波滤波器I的通带的高频侧截止频率附近的第I串联谐振器 3的功耗比另一个第2串联谐振器4的功耗大。因此，如图3所示，通过设置成第I串联谐振器3的形成区域中的电介质膜6的膜厚Ha比第2串联谐振器4的形成区域中的电介质膜6的膜厚Hb厚的结构，使第I串联谐振器3的特性的频率温度依赖性比第2串联谐振器4的特性的频率温度依赖性小。其结果，即使第I串联谐振器3的功耗比另一个第2串联谐振器4的功耗大从而发热量增大，第I串联谐振器3的特性的频率变动量也被抑制。由此，能够抑制梯型弹性波滤波器I的通过特性劣化。以下，详细说明本实施方式I的梯型弹性波滤波器I的各结构。在本实施方式中，压电基板7使用以欧拉角(φ、θ、Ψ)表不压电基板7的切角Φ、Θ及传播角Ψ时满足-10°彡Φ彡10°、33°彡Θ彡43° ,-10°彡Ψ彡10°的铌酸锂(LiNbO3)系基板，也可以是例如水晶、钽酸锂(LiTaO3)系、或铌酸钾(KNbO3)系、其他欧拉角的铌酸锂(LiNbO3)系的基板或薄膜等其他压电单晶介质。另外，在压电基板7使用欧拉角表示(Φ、θ、ψ)满足-100° ( Θ彡-60°的范围的铌酸锂(LiNbO3)系基板的情况下，优选的是，该基板是下述范围的欧拉角。即，如国际公开2011/052218号小册子中所记载那样，优选的是，由该铌酸锂构成的压电基板7的欧拉角(Φ、θ、Ψ)满足-100° ( Θ 彡-60。、1· 193Φ-2。彡 Ψ 彡1. 193 Φ+2°、Ψ ^ -2 Φ _3 、-2Φ+3 ^ Ψ ο通过设直为该欧拉角，遗够抑制由 而利波引起的无用乱真信号(spurious)的产生，并且抑制产生快的横波的频带附近的无用乱真信号。谐振器2、3、4、5、8、9、10是被配置成从压电基板7的上方观察时I组梳形形状的IDT(Inter Digital Transducer)卩齿合、且在该IDT的两端设有反射器的结构。在本实施方式中，谐振器2、3、4、5、8、9、10从压电基板7侧依次具有膜厚为O. 04 λ的以钥为主成分的第I电极层、和设置在第I电极层的上的膜厚为O. 08 λ的以铝为主成分的第2电极层。但是，谐振器2、3、4、5、8、9、10也可以是其他金属，例如也可以是由铝、铜、银、金、钛、钨、钼或铬构成的单体金属，或以上述金属为主成分的合金或层叠这些金属而成的结构。此外，也可以是在压电基板7与第I电极层之间或第I电极层与第2电极层之间夹着钛或氮化钛的3层或4层电极构成。通过设置成这样的结构，能够提高电极的取向性，且能够抑制由迁移引起的劣化。电介质膜6是具有与压电基板7的频率温度依赖性相反的频率温度依赖性的薄膜，例如，由二氧化硅(SiO2)构成。此外，在图3中表示了电介质膜6覆盖谐振器3、4的IDT电极指的结构，但如图5所示，也可以是电介质膜6被设置在第I串联谐振器3的IDT电极指之间、或第2串联谐振器4的IDT电极指之间而第2串联谐振器4的IDT电极指的上表面从电介质膜6露出的结构。此外，也可以是第I串联谐振器3的IDT电极指的上表面从电介质膜6露出、第2串联谐振器4的IDT电极指的上表面被电介质膜6覆盖。在这种情况下，本说明书中的电介质膜6的膜厚还指，谐振器中电极指与电极指之间的电极指非形成区域中的压电基板7的上表面与电介质膜6的上表面之间的距离Ha或Hb。此外，在图3中表示了电介质膜6的上表面平坦的状态，但电介质膜6的上表面也可以不平坦。例如，如图6所示，也可以在串联谐振器3、4的IDT电极指的上方的电介质膜 6的上表面上设置突起20。此时，本说明书中的电介质膜6的膜厚还指，谐振器中电极指与电极指之间的电极指非形成区域中的压电基板7的上表面与电介质膜6的上表面之间的距离Ha或Hb。此外，在压电基板7为铌酸锂(LiNbO3)系基板构成、电介质膜6由二氧化硅构成的情况下，从串联谐振器2、3、4、5、并联谐振器8、9、10的频率温度依赖性的抑制以及机电耦合系数的确保这两个观点出发，优选第I串联谐振器3的形成区域中的电介质膜6的膜厚Ha为0. 29入以上且小于34入，包括第2串联谐振器4在内的其他串联谐振器2、4、5、8、9、10的形成区域中的电介质膜6的膜厚Hb为0. 24入以上且小于0.29入。此外，优选第I串联谐振器3的形成区域中的电介质膜6的膜厚Ha比包括第2串联谐振器4在内的其他串联谐振器2、4、5、并联谐振器8、9、10的形成区域中的电介质膜6的膜厚Hb在0. 02 X以上。由此，与其他谐振器的频率温度依赖性相比，能够将第I串联谐振器3的频率温度依赖性抑制在约4ppm/°C以上。另外，在上述说明中，表示了只有第I串联谐振器3的形成区域中的电介质膜6比其他串联谐振器2、4、5、并联谐振器8、9、10的形成区域中的电介质膜6的膜厚厚的结构，但并不限于此。例如，也可以是第I串联谐振器3和谐振频率仅比第I串联谐振器3高的串联谐振器5的形成区域中的电介质膜6的膜厚比其他串联谐振器2、4、并联谐振器8、9、10的形成区域中的电介质膜6的膜厚厚。此外，例如，也可以是串联谐振器中谐振频率最高的第2串联谐振器4的形成区域中的电介质的膜厚比其他串联谐振器2、3、5、并联谐振器8、9,10的形成区域中的电介质膜6的膜厚薄、或电介质膜6的膜厚为零。根据上述结构，第I串联谐振器3的特性的频率温度依赖性比第2串联谐振器4的特性的频率温度依赖性小。其结果，即使第I串联谐振器3的功耗比另一个串联谐振器4的功耗大从而发热量增大，第I串联谐振器3的特性的频率变动量也能被抑制。由此，能够抑制梯型弹性波滤波器I的通过特性劣化。此外，优选所附着的电介质膜6的膜厚相对厚的第I串联谐振器3的反谐振频率，比所附着的电介质膜6的膜厚相对薄的第2串联谐振器4的反谐振频率低。换言之，优选使反谐振频率相对低的第I串联谐振器3的形成区域中的由二氧化硅构成的电介质膜6的膜厚比反谐振频率相对厚的第2串联谐振器4的形成区域中的由二氧化硅构成的电介质膜6的膜厚厚。以下说明其理由。由于第I串联谐振器3的反谐振频率相对低，因此第I串联谐振器3的机电耦合系数对梯型弹性波滤波器I的通带高频侧的截止频率附近的陡峭性影响较大。另一方面，由于第2串联谐振器4的反谐振频率相对高，因此第2串联谐振器4的机电耦合系数对梯型弹性波滤波器I的通带高频侧的截止频率附近的陡峭性几乎没有影响。在此，谐振器上附着的由二氧化硅构成的电介质膜6的膜厚越厚，该谐振器的机电耦合系数越小，利用该特性，控制第I串联谐振器3和第2串联谐振器4的机电耦合系数，同时实现梯型弹性波滤波器I的通带高频侧的截止频率附近的陡峭性的提高、和通带的低损耗。S卩，通过相对地减小反谐振频率相对低的第I串联谐振器3的机电耦合系数，从而能够提高梯型弹性波滤波器I的通带高频侧的截止频率附近的陡峭性。此外，通过确保反谐振频率相对高的第2串联谐振器4的机电耦合系数大，梯型弹性波滤波器I的通带宽度变宽，能够抑制宽的通带中的损耗。即，通过该结构，能够同时实现梯型弹性波滤波器I的通带高频侧的截止频率附近的陡峭性的提高、和通带的低损耗。 此外，优选第I串联谐振器3的电容量大于第2串联谐振器4的电容量。如上所述，梯型弹性波滤波器I的通带的高频侧截止频率附近的第I串联谐振器3中的功耗比第2串联谐振器4大，第I串联谐振器3与第2串联谐振器4相比因发热而劣化的可能性更高。因此，通过使第I串联谐振器3的电容量比第2串联谐振器4的电容量大，能够提高梯型弹性波滤波器I的耐电力性。另外，谐振器的电容量、与IDT电极指交叉宽度和IDT电极指个数之积成正比，优选通过使第I串联谐振器3的电容量大于第2串联谐振器4的电容量，从而使第I串联谐振器3的IDT电极指个数多于第2串联谐振器4的IDT电极指个数。这是因为，第I串联谐振器3的IDT电极指个数越大，第I串联谐振器3的电阻越小，第I串联谐振器3的发热也被抑制。其结果，能够提高梯型弹性波滤波器I的耐电力性。此外，优选第I串联谐振器如本实施方式的串联谐振器2那样是不与梯型弹性波滤波器的输入端子11直接连接的第2级以后的串联谐振器。在梯型弹性波滤波器中，输入级的谐振器中的施加电力最大，越靠后级，施加电力越小。另一方面，梯型弹性波滤波器中的各谐振器的功耗与所施加的电力成正比。如上所述，梯型弹性波滤波器I的通带的高频侧截止频率附近的第I串联谐振器3中的功耗比其他串联谐振器大，第I串联谐振器3与其他串联谐振器相比因发热而劣化的可能性更高。因此，通过将第I串联谐振器从输入端子11侧开始配置在第2级以后，能够减小第I串联谐振器3中的功耗，并且能够提高梯型弹性波滤波器I的耐电力性。另外，梯型弹性波滤波器I作为一个实施方式表示了具有4个串联谐振器和3个并联谐振器的滤波器，但并不限于此，只要是至少具有谐振频率不同的多个串联谐振器的梯型弹性波滤波器即可。此外，梯型弹性波滤波器I作为一个实施方式表示了弹性表面波滤波器，但不限于此，如图7所示，也可以是在电介质膜6之上还具有膜厚为波长λ以上且且5λ以下的SiN膜、AlN膜等由通过的横波的音速比主要弹性波的音速慢的介质构成的第2电介质膜25的弹性边界波滤波器。(实施方式2)
以下，参照
本发明的实施方式2的梯型弹性波滤波器。另外，在没有特别说明的情况下，其结构与实施方式I相同。图8是实施方式2的梯型弹性波滤波器的剖面示意图。详细而言，图8是包括各串联谐振器2、3、4、5中具有最低的谐振频率的第I串联谐振器3、和具有比该第I串联谐振器3的谐振频率高的谐振频率的第2串联谐振器4的梯型弹性波滤波器I的剖面示意图。在实施方式2中，实施的第I串联谐振器3的形成区域中的电介质膜6的膜厚与第2串联谐振器4的电介质膜6的膜厚相同，第I串联谐振器3的占空比(电极宽度/间距)小于第2串联谐振器4的占空比(电极宽度/间距)。S卩，实施方式2的梯型弹性波滤波器I包括压电基板7、在压电基板7上形成的连接在输入端子与输出端子之间的多个串联谐振器、在压电基板 7上形成的连接在串联谐振器与接地端子之间的至少一个并联谐振器、以及附着在串联谐振器中的至少I个串联谐振器上且具有与压电基板7的频率温度依赖性相反的频率温度依赖性的电介质膜6，包括多个串联谐振器中具有最低的谐振频率的第I串联谐振器3、和具有比第I串联谐振器3的谐振频率高的谐振频率的第2串联谐振器4，第I串联谐振器3的占空比(电极宽度/间距)小于第2串联谐振器4的占空比。另外，只要多个串联谐振器中具有最低的谐振频率的第
I串联谐振器3的占空比(电极宽度/间距)小于其他串联谐振器2、4、5的占空比(电极宽度/间距)中的至少I个即可。另外，在实施方式2中，电介质膜6不是构成梯型弹性波滤波器I所必要的要素。若谐振器的占空比减小，则主要弹性波的能量分布从压电基板7侧向电介质膜6侧移动，由此谐振器特性的频率温度依赖性变小。即，根据上述结构，第I串联谐振器3的特性的频率温度依赖性比第2串联谐振器4的特性的频率温度依赖性小。其结果，即使第I串联谐振器3的功耗比另一个串联谐振器4的功耗大从而发热量增大，第I串联谐振器3的特性的频率变动量也被抑制。由此，能够抑制梯型弹性波滤波器I的通过特性劣化。此外，优选第I串联谐振器3的电容量大于第2串联谐振器4的电容量。如上所述，梯型弹性波滤波器I的通带的高频侧截止频率附近的第I串联谐振器3中的功耗比第2串联谐振器4大，第I串联谐振器3与第2串联谐振器4相比因发热而劣化的可能性更高。因此，通过使第I串联谐振器3的电容量比第2串联谐振器4的电容量大，能够提高梯型弹性波滤波器I的耐电力性。另外，谐振器的电容量、与IDT电极指交叉宽度和IDT电极指个数之积成正比，优选通过使第I串联谐振器3的电容量大于第2串联谐振器4的电容量，使第I串联谐振器3的IDT电极指个数大于第2串联谐振器4的IDT电极指个数。这是因为，第I串联谐振器3的IDT电极指个数越多，第I串联谐振器3的电阻越小，第I串联谐振器3的发热也被抑制。其结果，能够提高梯型弹性波滤波器I的耐电力性。此外，优选第I串联谐振器如本实施方式的串联谐振器2那样是不与梯型弹性波滤波器的输入端子11直接连接的第2级以后的串联谐振器。在梯型弹性波滤波器中，输入级的谐振器中的施加电力最大，越靠后级，施加电力越小。另一方面，梯型弹性波滤波器中的各谐振器的功耗与所施加的电力成正比。如以上说明，梯型弹性波滤波器I的通带的高频侧截止频率附近的第I串联谐振器3中的功耗比其他串联谐振器大，第I串联谐振器3与其他串联谐振器相比因发热而劣化的可能性更高。因此，通过将第I串联谐振器从输入端子11侧开始配置在第2级以后，能够减小第I串联谐振器3中的功耗，并且能够提高梯型弹性波滤波器I的耐电力性。此外，与其他串联谐振器相比占空比小的第I串联谐振器3的耐电力性小于其他串联谐振器的耐电力性。因此，从提高梯型弹性波滤波器I的耐电力性的观点出发，优选将该第I串联谐振器3配置在与输入端子11相比更靠近输出端子12串联臂(串联谐振器4或串联谐振器5的位置)上。更优选的是，通过将第I串联谐振器3配置在最靠近输出端子12的串联臂 (串联谐振器5的位置)上，能够提高梯型弹性波滤波器I的耐电力性。(实施方式3)以下，参照
本发明的实施方式3。另外，在没有特别说明的情况下，其结构与实施方式I相同。实施方式3涉及将实施方式I的梯型弹性波滤波器I用于发送侧滤波器的天线双工器。图 9 作为一个实施方式表不在 3GPP (3rd Generation Partnership Project)中确定的Band2的天线双工器14的电路框图。天线双工器14包括连接在输入端子11与天线端子16 (实施方式I的输出端子12)之间且具有第I频带(1. 85GHZ 1. 91GHz)的通带的发送侧滤波器15、以及连接在天线端子16与两个输出端子17、18之间且具有比第I频带高的第2频带(1. 93GHz 1. 99GHz)的通带的接收侧滤波器19。另外，接收侧滤波器19作为一个实施方式表示了从输入侧开始包括谐振器21、与该谐振器21级联连接的2个双模SAW滤波器22、23、以及与双模SAW滤波器22、23级联连接的双模SAW滤波器24的结构，但并不限于此。这种天线双工器14的发送侧滤波器15能够同时实现宽频带的低损耗和在交叉频带(Cross band)侧(通带高频侧)的截止频率附近陆峭这两点。因此，通过使所附着的电介质膜6的膜厚相对厚的第I串联谐振器3的反谐振频率，比所附着的电介质膜6的膜厚相对薄的第2串联谐振器4的反谐振频率低，从而能够同时实现交叉频带侧的截止频率附近的陡峭性的提高、和通带中的低损耗。换言之，通过使反谐振频率相对低的第I串联谐振器3的形成区域中的由二氧化硅构成的电介质膜6的膜厚，比反谐振频率相对高的第2串联谐振器4的形成区域中的由二氧化硅构成的电介质膜6的膜厚厚，从而能够得到上述效果。由于第I串联谐振器3的反谐振频率相对低，因此第I串联谐振器3的机电耦合系数对交叉频带侧的截止频率附近的陡峭性影响较大。另一方面，由于第2串联谐振器4的反谐振频率相对高，因此第2串联谐振器4的机电耦合系数对交叉频带侧的截止频率附近的陡峭性几乎没有影响。在此，谐振器上所附着的由二氧化硅构成的电介质膜6的膜厚越厚，该谐振器的机电耦合系数越小，利用该特性，控制第I串联谐振器3和第2串联谐振器4的机电耦合系数，同时实现交叉频带侧的截止频率附近的陡峭性的提高、和通带的低损耗。S卩，通过相对地减小反谐振频率相对低的第I串联谐振器3的机电耦合系数，能够提高交叉频带侧的截止频率附近的陡峭性。此外，通过确保反谐振频率相对高的第2串联谐振器4的机电耦合系数大，从而发送侧滤波器15的通带宽度变宽，能够抑制宽通带中的损耗。即，通过该结构，能够同时实现交叉频带侧的截止频率附近的陡峭性的提高、和通带的低损耗。
(工业上的可利用性)本发明所涉及的梯型弹性波滤波器及使用了该梯型弹性波滤波器的天线双工器具有能够抑制梯型弹性波滤波器的通过特性劣化的效果，能够适用于移动电话等电子设备。符号说明I梯型弹性波滤波器2串联谐振器3第I串联谐振器4第2串联谐振器5串联谐振器6电介质膜7压电基板8、9、10并联谐振器11输入端子12输出端子13接地端子14天线双工器15发送侧滤波器16天线端子17、18输出端子19接收侧滤波器21谐振器22、23、24 双模 SAW 滤波器25第2电介质膜
权利要求
1.一种梯型弹性波滤波器，具备压电基板；输入端子；输出端子；接地端子；多个串联谐振器，形成在上述压电基板上，且连接在上述输入端子与上述输出端子之间；至少一个并联谐振器，形成在上述压电基板上，且连接在上述串联谐振器与上述接地端子之间；以及电介质膜，其附着在上述串联谐振器中的至少I个串联谐振器上，且具有与上述压电基板的频率温度依赖性相反的频率温度依赖性，包括第1串联谐振器，其在上述多个串联谐振器中具有最低的谐振频率；以及第2串联谐振器，其具有比上述第I串联谐振器的谐振频率高的谐振频率，上述第1串联谐振器的形成区域中的上述电介质膜的膜厚比上述第2串联谐振器的形成区域中的上述电介质膜的膜厚厚。
2.一种梯型弹性波滤波器，具备压电基板；输入端子；输出端子；接地端子；多个串联谐振器，形成在上述压电基板上，且连接在上述输入端子与上述输出端子之间；至少一个并联谐振器，形成在上述压电基板上，且连接在上述串联谐振器与上述接地端子之间；第I串联谐振器，其在上述多个串联谐振器中具有最低的谐振频率；以及第2串联谐振器，其具有比上述第I串联谐振器的谐振频率高的谐振频率，上述第I串联谐振器的占空比小于上述第2串联谐振器的占空比。
3.根据权利要求1所述的梯型弹性波滤波器，其中，具有与上述压电基板的频率温度依赖性相反的频率温度依赖性的电介质膜由二氧化硅构成。
4.根据权利要求1所述的梯型弹性波滤波器，其中，上述第1串联谐振器的反谐振频率低于上述第2串联谐振器的反谐振频率。
5.根据权利要求1或2所述的梯型弹性波滤波器，其中，上述第1串联谐振器的电容量大于上述第2串联谐振器的电容量。
6.根据权利要求1或2所述的梯型弹性波滤波器，其中，上述第1串联谐振器的IDT电极指个数多于上述第2串联谐振器的IDT电极指个数。
7.根据权利要求1或2所述的梯型弹性波滤波器，其中，上述第1串联谐振器从上述输入端子侧开始连接在第2级以后。
8.根据权利要求2所述的梯型弹性波滤波器，其中，上述第I串联谐振器配置在与上述输入端子相比更靠近上述输出端子的串联臂上。
9.根据权利要求2所述的梯型弹性波滤波器，其中，上述第I串联谐振器配置在最靠近上述输出端子的串联臂上。
10.一种天线双工器，具备权利要求4所述的梯型弹性波滤波器；和使比上述梯型弹性波滤波器的通带更高频的信号通过的滤波器。
全文摘要
本发明的梯型弹性波滤波器包括在多个串联谐振器中具有最低的谐振频率的第1串联谐振器、和具有比第1串联谐振器的谐振频率高的谐振频率的第2串联谐振器，第1串联谐振器的形成区域中的电介质膜的膜厚比第2串联谐振器的形成区域中的电介质膜的膜厚厚。根据上述结构，第1串联谐振器的特性的频率温度依赖性小于第2串联谐振器的特性的频率温度依赖性。其结果，可抑制第1串联谐振器的特性的频率变动量。
文档编号H03H9/145GK103004085SQ20128000204
公开日2013年3月27日 申请日期2012年6月21日 优先权日2011年6月23日
发明者鹤成哲也, 藤原城二, 中村弘幸, 中西秀和 申请人:松下电器产业株式会社