专利名称：一种振荡器电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及集成电路技术，尤其涉及到振荡器电路。
背景技术：
在开关电源集成电路中，振荡器电路是必不可少的，其特性和稳定性是对整个环路都有很大的影响。
发明内容本实用新型旨在解决现有技术的不足，提供一种高稳定性的振荡器电路。振荡器电路，包括偏置电路、电容充放电电路、电压比较电路和输出驱动电路:所述偏置电路是提供整个电路的偏置电流；所述电容充放电电路是对电容进行充放电；所述电压比较电路是对所述电容充放电电路的电容上的锯齿波进行比较；所述输出驱动电路是对所述电压比较电路产生的信号进行输出驱动。所述偏置电路包括第一电流源、第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一 PMOS管、第二 PMOS管、第三PMOS管:所述第一电流源的一端接电源，另一端接所述第一 NMOS管的栅极和漏极；所述第一 NMOS管的栅极接所述第一电流源的一端和所述第二 NMOS管的栅极，漏极接所述第一电流源的一端和所述第二 NMOS管的栅极，源极接所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极；所述第二 NMOS管的栅极接所述第一电流源的一端和所述第一 NMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第一 PMOS管的漏极和栅极，源极接所述第四NMOS管的漏极；所述第三NMOS管的栅极接所述第一 NMOS管的源极和所述第四NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极，漏极接所述第一 NMOS管的源极和所述第四NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极，源极接地；所述第四NMOS管的栅极接所述第一 NMOS管的源极和所述第三NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极，漏极接所述第二 NMOS管的源极，源极接地；所述第五NMOS管的栅极接所述第一 NMOS管的源极和所述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极，漏极接所述第三PMOS管的漏极和栅极，源极接地；所述第一 PMOS管的栅极和漏极接所述第二 NMOS管的漏极，源极接电源；所述第二 PMOS管的栅极和漏极接所述第三PMOS管的源极，源极接电源；所述第三PMOS管的栅极和漏极接所述第五NMOS管的漏极，源极接所述第二 PMOS管的栅极和漏极。所述电容充放电电路包括第四PMOS管、第五PMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和第一电容:所述第四PMOS管的栅极接所述第七NMOS管的栅极，漏极接所述第五PMOS管的源极，源极接电源；所述第五PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第六NMOS管的漏极和所述第一电容的一端，源极接所述第四PMOS管的漏极；所述第六NMOS管的栅极所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极，漏极接所述第五PMOS管的漏极和所述第一电容的一端，源极所述第七NMOS管的漏极；所述第七NMOS管的栅极接所述第四PMOS管的栅极，漏极接所述第六NMOS管的源极，源极接地；所述第一电容的一端接所述第五PMOS管的漏极和所述第六NMOS管的漏极，另一端接地。所述电压比较电路包括第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第一电阻、第二电阻、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第i^一 NMOS管、第十二 NMOS管、第十三NMOS管和第十四NMOS管:所述第六PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和漏极和所述第五PMOS管的栅极，漏极接所述第八NMOS管的漏极和所述第九PMOS管的源极，源极接电源；所述第七PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和漏极和所述第五PMOS管的栅极，漏极接所述第九NMOS管的漏极和所述第八PMOS管的源极，源极接电源；所述第八PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第十一NMOS管的漏极和栅极和所述第十二 NMOS管的栅极，源极接所述第七PMOS管的漏极和所述第九NMOS管的漏极； 所述第九PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和漏极的所述第八PMOS管的栅极，漏极接所述第十二 NMOS管的漏极和所述第十三NMOS管的漏极和栅极，源极接所述第六PMOS管的漏极和所述第八NMOS管的漏极；所述第十PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和漏极和所述第五PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极，漏极接所述第十四NMOS管的漏极，源极接电源；所述第一电阻的一端接所述第九NMOS管的栅极和所述第二电阻的一端，另一端接地；所述第二电阻的一端接所述第九NMOS管的栅极和所述第一电阻的一端，另一端接电源；所述第八NMOS管的栅极接所述第五PMOS管的漏极和所述第六NMOS管的漏极和所述第一电容的一端，漏极接所述第六PMOS管的漏极和所述第九PMOS管的源极，源极接所述第九NMOS管的源极和所述第十NMOS管的漏极；所述第九NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端，漏极接所述第七PMOS管的漏极和所述第八PMOS管的源极，源极接所述第八NMOS管的源极和所述第十NMOS管的漏极；所述第十NMOS管的栅极接所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极，漏极接所述第八NMOS管的源极和所述第九NMOS管的源极，源极接地；[0036]所述第十一 NMOS管的栅极和漏极接所述第十二 NMOS管的栅极和所述第八PMOS管的漏极，源极接地；所述第十二 NMOS管的栅极接所述第十一 NMOS管的栅极和漏极和所述第八PMOS管的漏极，漏极接所述第九PMOS管的漏极和所述第十三NMOS管的栅极和漏极，源极接地；所述第十三NMOS管的栅极和漏极接所述第九PMOS管的漏极和所述第十二 NMOS管的漏极，源极接地；所述第十四NMOS管的栅极接所述第十三NMOS管的栅极和漏极和所述第九PMOS管的漏极和所述第十二 NMOS管的漏极，漏极接所述第十PMOS管的漏极，源极接地。所述输出驱动电路包括第三电阻、第一反相器和第二反相器:所述第三电阻的一端接所述第九NMOS管的栅极和所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端，另一端接所述第一反相器的输出端和所述第二反相器的输入端；所述第一反相器的输入端接所述第十PMOS管的漏极和所述第十四NMOS管的漏极，输出端接所述第三电阻的一端和所述第二反相器的输入端；所述第二反相器的输入端接所述第三电阻的一端和所述第一反相器的输出端，输出端接所述第四PMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极。利用本实用新型提供的振荡器电路能使整个环路更加稳定。
图1为本实用新型的振荡器电路的电路图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型内容进一步说明。振荡器电路，如图1所示，包括偏置电路、电容充放电电路、电压比较电路和输出驱动电路:所述偏置电路是提供整个电路的偏置电流；所述电容充放电电路是对电容进行充放电；所述电压比较电路是对所述电容充放电电路的电容上的锯齿波进行比较；所述输出驱动电路是对所述电压比较电路产生的信号进行输出驱动。所述偏置电路包括第一电流源101、第一 NMOS管102、第二 NMOS管103、第三NMOS管 104、第四 NMOS 管 105、第五 NMOS 管 109、第一 PMOS 管 106、第二 PMOS 管 107、第三 PMOS管 108:所述第一电流源101的一端接电源VCC，另一端接所述第一 NMOS管102的栅极和漏极；所述第一 NMOS管102的栅极接所述第一电流源101的一端和所述第二 NMOS管103的栅极，漏极接所述第一电流源101的一端和所述第二NMOS管103的栅极，源极接所述第三NMOS管104的栅极和漏极和所述第四NMOS管105的栅极和所述第五NMOS管109的栅极；所述第二 NMOS管103的栅极接所述第一电流源101的一端和所述第一NMOS管102的栅极和漏极，漏极接所述第一 PMOS管106的漏极和栅极，源极接所述第四NMOS管105的漏极；所述第三NMOS管104的栅极接所述第一 NMOS管102的源极和所述第四NMOS管105的栅极和所述第五NMOS管109的栅极，漏极接所述第一 NMOS管102的源极和所述第四NMOS管105的栅极和所述第五NMOS管109的栅极，源极接地；所述第四NMOS管105的栅极接所述第一 NMOS管102的源极和所述第三NMOS管104的栅极和所述第五NMOS管109的栅极，漏极接所述第二 NMOS管103的源极，源极接地；所述第五NMOS管109的栅极接所述第一 NMOS管102的源极和所述第三NMOS管104的栅极和所述第四NMOS管105的栅极，漏极接所述第三PMOS管108的漏极和栅极，源极接地；所述第一 PMOS管106的栅极和漏极接所述第二 NMOS管103的漏极，源极接电源VCC ；所述第二 PMO S管107的栅极和漏极接所述第三PMOS管108的源极，源极接电源VCC ；所述第三PMOS管108的栅极和漏极接所述第五NMOS管109的漏极，源极接所述第二 PMOS管107的栅极和漏极。所述电容充放电电路包括第四PMOS管110、第五PMOS管111、第六NMOS管112、第七NMOS管113和第一电容114:所述第四PMOS管110的栅极接所述第七NMOS管113的栅极，漏极接所述第五PMOS管111的源极，源极接电源VCC;所述第五PMOS管111的栅极接所述第一 PMOS管106的栅极和漏极，漏极接所述第六NMOS管112的漏极和所述第一电容114的一端，源极接所述第四PMOS管110的漏极；所述第六匪OS管112的栅极所述第三NMOS管104的栅极和漏极和所述第四NMOS管105的栅极和所述第五NMOS管109的栅极，漏极接所述第五PMOS管111的漏极和所述第一电容114的一端，源极所述第七NMOS管113的漏极；所述第七NMOS管113的栅极接所述第四PMOS管110的栅极，漏极接所述第六NMOS管112的源极，源极接地；所述第一电容114的一端接所述第五PMOS管111的漏极和所述第六NMOS管112的漏极，另一端接地。所述电压比较电路包括第六PMOS管115、第七PMOS管116、第八PMOS管120、第九PMOS管121、第十PMOS管126、第一电阻130、第二电阻131、第八NMOS管117、第九NMOS管118、第十NMOS管119、第^^一 NMOS管122、第十二 NMOS管123、第十三NMOS管124和第十四NMOS管125:所述第六PMOS管115的栅极接所述第一 PMOS管106的栅极和漏极和所述第五PMOS管111的栅极，漏极接所述第八NMOS管117的漏极和所述第九PMOS管121的源极，源极接电源VCC ；所述第七PMOS管116的栅极接所述第一 PMOS管106的栅极和漏极和所述第五PMOS管111的栅极，漏极接所述第九NMOS管118的漏极和所述第八PMOS管120的源极，源极接电源VCC;所述第八PMOS管120的栅极接所述第三PMOS管108的栅极和漏极，漏极接所述第i^一 NMOS管122的漏极和栅极和所述第十二 NMOS管123的栅极，源极接所述第七PMOS管116的漏极和所述第九NMOS管118的漏极；所述第九PMOS管121的栅极接所述第三PMOS管108的栅极和漏极的所述第八PMOS管120的栅极，漏极接所述第十二 NMOS管123的漏极和所述第十三NMOS管124的漏极和栅极，源极接所述第六PMOS管115的漏极和所述第八NMOS管117的漏极；所述第十PMOS管126的栅极接所述第一 PMOS管106的栅极和漏极和所述第五PMOS管111的栅极和所述第六PMOS管115的栅极和所述第七PMOS管116的栅极，漏极接所述第十四NMOS管125的漏极，源极接电源VCC ；所述第一电阻130的一端接所述第九NMOS管118的栅极和所述第二电阻131的
一端，另一端接地；所述第二电阻131的一端接所述第九NMOS管118的栅极和所述第一电阻130的一端，另一端接电源VCC ；所述第八NMOS管117的栅极接所述第五PMOS管111的漏极和所述第六NMOS管112的漏极和所述第一电容114的一端,漏极接所述第六PMOS管115的漏极和所述第九PMOS管121的源极，源极接所述第九NMOS管118的源极和所述第十NMOS管119的漏极；所述第九NMOS管118的栅极接所述第一电阻130的一端和所述第二电阻131的一端，漏极接所述第七PMOS管116的漏极和所述第八PMOS管120的源极，源极接所述第八NMOS管117的源极和所述第十NMOS管119的漏极；所述第十NMOS管119的栅极接所述第三NMOS管104的栅极和漏极和所述第四NMOS管105的栅极和所述第五NMOS管109的栅极和所述第六NMOS管112的栅极，漏极接所述第八NMOS管117的源极和所述第九NMOS管118的源极，源极接地；所述第十一 NMOS管122的栅极和漏极接所述第十二 NMOS管123的栅极和所述第八PMOS管120的漏极，源极接地；所述第十二 NMOS管123的栅极接所述第十一 NMOS管122的栅极和漏极和所述第八PMOS管120的漏极，漏极接所述第九PMOS管121的漏极和所述第十三NMOS管124的栅极和漏极，源极接地；所述第十三NMOS管124的栅极和漏极接所述第九PMOS管121的漏极和所述第十二 NMOS管123的漏极，源极接地；所述第十四NMOS管125的栅极接所述第十三NMOS管124的栅极和漏极和所述第九PMOS管的漏极和所述第十二 NMOS管123的漏极，漏极接所述第十PMOS管126的漏极，源极接地。所述输出驱动电路包括第三电阻128、第一反相器127和第二反相器129:[0084]所述第三电阻128的一端接所述第九NMOS管118的栅极和所述第一电阻130的一端，另一端接所述第一反相器127的输出端和所述第二反相器129的输入端；所述第一反相器127的输入端接所述第十PMOS管126的漏极和所述第十四NMOS管125的漏极，输出端接所述第三电阻128的一端和所述第二反相器129的输入端；所述第二反相器129的输入端接所述第三电阻128的一端和所述第一反相器127的输出端，输出端接所述第四PMOS管110的栅极和所述第七NMOS管113的栅极。本实用新型公开了一种振荡器电路，并且参照附图描述了本实用新型的具体实施方式
和效果。应该理解到的是:上述实施例只是对本实用新型的说明，而不是对本实用新型的限制，任何不超出本实用新型实质精神范围内的实用新型创造，均落入本实用新型保护范围之内。
权利要求1.振荡器电路，其特征在于包括偏置电路、电容充放电电路、电压比较电路和输出驱动电路: 所述偏置电路是提供整个电路的偏置电流； 所述电容充放电电路是对电容进行充放电； 所述电压比较电路是对所述电容充放电电路的电容上的锯齿波进行比较； 所述输出驱动电路是对所述电压比较电路产生的信号进行输出驱动。
2.如权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于所述偏置电路包括第一电流源、第一匪OS管、第二匪OS管、第三匪OS管、第四匪OS管、第五匪OS管、第一 PMOS管、第二 PMOS管、第三PMOS管: 所述第一电流源的一端接电源，另一端接所述第一 NMOS管的栅极和漏极； 所述第一 NMOS管的栅极接所述第一电流源的一端和所述第二 NMOS管的栅极，漏极接所述第一电流源的一端和所述第二 NMOS管的栅极，源极接所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极； 所述第二 NMOS管的栅极接所述第一电流源的一端和所述第一 NMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第一 PMOS管的漏极和栅极，源极接所述第四NMOS管的漏极； 所述第三NMOS管的栅极接所述第一 NMOS管的源极和所述第四NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极，漏极接所述第一 NMOS管的源极和所述第四NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极，源极接地； 所述第四NMOS管的栅 极接所述第一 NMOS管的源极和所述第三NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极，漏极接所述第二 NMOS管的源极，源极接地； 所述第五NMOS管的栅极接所述第一 NMOS管的源极和所述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极，漏极接所述第三PMOS管的漏极和栅极，源极接地； 所述第一 PMOS管的栅极和漏极接所述第二 NMOS管的漏极，源极接电源； 所述第二 PMOS管的栅极和漏极接所述第三PMOS管的源极，源极接电源； 所述第三PMOS管的栅极和漏极接所述第五NMOS管的漏极，源极接所述第二 PMOS管的栅极和漏极。
3.如权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于所述电容充放电电路包括第四PMOS管、第五PMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和第一电容: 所述第四PMOS管的栅极接所述第七NMOS管的栅极，漏极接所述第五PMOS管的源极，源极接电源； 所述第五PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第六NMOS管的漏极和所述第一电容的一端，源极接所述第四PMOS管的漏极； 所述第六NMOS管的栅极所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极，漏极接所述第五PMOS管的漏极和所述第一电容的一端，源极所述第七NMOS管的漏极； 所述第七NMOS管的栅极接所述第四PMOS管的栅极，漏极接所述第六NMOS管的源极，源极接地； 所述第一电容的一端接所述第五PMOS管的漏极和所述第六NMOS管的漏极，另一端接地。
4.如权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于所述电压比较电路包括第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第一电阻、第二电阻、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第i^一 NMOS管、第十二 NMOS管、第十三NMOS管和第十四NMOS管: 所述第六PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和漏极和所述第五PMOS管的栅极，漏极接所述第八NMOS管的漏极和所述第九PMOS管的源极，源极接电源； 所述第七PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和漏极和所述第五PMOS管的栅极，漏极接所述第九NMOS管的漏极和所述第八PMOS管的源极，源极接电源； 所述第八PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第十一 NMOS管的漏极和栅极和所述第十二 NMOS管的栅极，源极接所述第七PMOS管的漏极和所述第九NMOS管的漏极； 所述第九PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和漏极的所述第八PMOS管的栅极，漏极接所述第十二 NMOS管的漏极和所述第十三NMOS管的漏极和栅极，源极接所述第六PMOS管的漏极和所述第八NMOS管的漏极； 所述第十PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和漏极和所述第五PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极，漏极接所述第十四NMOS管的漏极，源极接电源； 所述第一电阻的一端接所述第九NMOS管的栅极和所述第二电阻的一端，另一端接地； 所述第二电阻的一端接所述第九NMOS管的栅极和所述第一电阻的一端，另一端接电源； 所述第八NMOS管的栅极接所述第五PMOS管的漏极和所述第六NMOS管的漏极和所述第一电容的一端，漏极接所述第六PMOS管的漏极和所述第九PMOS管的源极，源极接所述第九NMOS管的源极和所述第十NMOS管的漏极； 所述第九NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端，漏极接所述第七PMOS管的漏极和所述第八PMOS管的源极，源极接所述第八NMOS管的源极和所述第十NMOS管的漏极； 所述第十NMOS管的栅极接所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极，漏极接所述第八NMOS管的源极和所述第九NMOS管的源极，源极接地； 所述第十一 NMOS管的栅极和漏极接所述第十二 NMOS管的栅极和所述第八PMOS管的漏极，源极接地； 所述第十二 NMOS管的栅极接所述第十一 NMOS管的栅极和漏极和所述第八PMOS管的漏极，漏极接所述第九PMOS管的漏极和所述第十三NMOS管的栅极和漏极，源极接地； 所述第十三NMOS管的栅极和漏极接所述第九PMOS管的漏极和所述第十二 NMOS管的漏极，源极接地； 所述第十四NMOS管的栅极接所述第十三NMOS管的栅极和漏极和所述第九PMOS管的漏极和所述第十二 NMOS管的漏极,漏极接所述第十PMOS管的漏极,源极接地。
5.如权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于所述输出驱动电路包括第三电阻、第一反相器和第二反相器:所述第三电阻的一端接所述第九NMOS管的栅极和所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端，另一端接所述第一反相器的输出端和所述第二反相器的输入端； 所述第一反相器的输入端接所述第十PMOS管的漏极和所述第十四NMOS管的漏极，输出端接所述第三电阻的一端和所述第二反相器的输入端； 所述第二反相器的输入端接所述第三电阻的一端和所述第一反相器的输出端，输出端接所述第四PMOS管的栅极 和所述第七NMOS管的栅极。
专利摘要本实用新型公开了一种振荡器电路。振荡器电路包括偏置电路、电容充放电电路、电压比较电路和输出驱动电路所述偏置电路是提供整个电路的偏置电流；所述电容充放电电路是对电容进行充放电；所述电压比较电路是对所述电容充放电电路的电容上的锯齿波进行比较；所述输出驱动电路是对所述电压比较电路产生的信号进行输出驱动。利用本实用新型提供的振荡器电路能使整个环路更加稳定。
文档编号H03K19/0185GK203071869SQ20132008060
公开日2013年7月17日 申请日期2013年2月21日 优先权日2013年2月21日
发明者王文建 申请人:浙江商业职业技术学院