专利名称：一种高阻抗防信号干扰型的光电耦合器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电子类产品的领域，尤其是一种高阻抗防信号干扰型的光电耦合器。
背景技术：
光电f禹合器是以光为媒介传输电信号的一种电一光一电转换器件。它由发光源和受光器两部分组成。把发光源和受光器组装在同一密闭的壳体内，彼此间用透明绝缘体隔离。发光源的引脚为输入端，受光器的引脚为输出端，常见的发光源为发光二极管，受光器为光敏二极管、光敏三极管等等。光耦合器一般由三部分组成:光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二极管(LED),使之发出一定波长的光,被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。这就完成了电-光-电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。由于光耦合器输入输出间互相隔离，电信号传输具有单向性等特点，因而具有良好的电绝缘能力和抗干扰能力。目前使用的光电耦合器，在实际应用中抗信号干扰能力差，利用普通的二极管，其容易造成输入阻抗和耐压较低，如果用于交流电路中容易受到局限。
发明内容本实用新型要解决的技术问题是:为了克服上述中存在的问题，提供了一种高阻抗防信号干扰型的光电耦合器，其能够实现高阻抗、抗信号干扰能力强。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种高阻抗防信号干扰型的光电耦合器，包括由左框架和右框架组成并且呈N字型结构的引线框架和发光元件以及受光元件，所述的发光元件封装在左框架内，受光元件封装在右框架内，左框架和右框架上均垂直插置有两根相互阵列的引脚，发光元件的输入信号端上连接有隔离电容体，隔离电容体与左框架上的一根引脚相连接，发光元件的输出信号端连接有限流电阻，限流电阻与另一根引脚的一端相电连接，另一根引脚的另一端通过导线接地，所述的受光元件的输入端与右框架上的一根引脚相连接，受光元件的输出端与右框架上的另一根引脚相连接，另一根引脚的另一端通过导线接地。所述的发光元件为光敏二极管、氖管或光敏三极管。所述的受光元件为光电池。每根引脚的截面直径为2 3mm。本实用新型的有益效果是:所述的一种高阻抗防信号干扰型的光电耦合器，采用此种设计的光电耦合器，能够防止交流信号的干扰，提高阻抗能力和耐压性。
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型所述的一种高阻抗防信号干扰型的光电耦合器的整体结构示意图。附图中标记分述如下:11、左框架，12、右框架，2、发光元件，3、受光元件，4、隔离电容体，5、限流电阻。
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。如图1所示的一种高阻抗防信号干扰型的光电耦合器，包括由左框架11和右框架12组成并且呈N字型结构的引线框架和发光元件2以及受光元件3，发光元件2封装在左框架11内，受光元件3封装在右框架12内，左框架11和右框架12上均垂直插置有两根相互阵列的引脚，每根引脚的截面直径为2 3mm，发光元件2的输入信号端上连接有隔离电容体4，隔离电容体4与左框架11上的一根引脚相连接，发光元件2的输出信号端连接有限流电阻5，限流电阻5与另一根引脚的一端相电连接，另一根引脚的另一端通过导线接地，受光兀件3的输入端与右框架12上的一根引脚相连接,受光兀件3的输出端与右框架12上的另一根引脚相连接，另一根引脚的另一端通过导线接地。本实用新型的一种高阻抗防信号干扰型的光电耦合器，在使用此光电耦合器时，当干扰电压通过隔离电容体4耦合，由于采用隔离电容体4，实现了信号的抗干扰能力；当电流经过限流电阻5时，通过限流电阻5实现高阻抗的目的。以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
权利要求1.一种高阻抗防信号干扰型的光电耦合器，其特征是:包括由左框架(11)和右框架(12)组成并且呈N字型结构的引线框架和发光元件(2)以及受光元件(3)，所述的发光元件(2)封装在左框架(11)内，受光元件(3)封装在右框架(12)内，左框架(11)和右框架(12)上均垂直插置有两根相互阵列的引脚，发光元件(2)的输入信号端上连接有隔离电容体(4)，隔离电容体(4)与左框架(11)上的一根引脚相连接，发光元件(2)的输出信号端连接有限流电阻(5)，限流电阻(5)与另一根引脚的一端相电连接，另一根引脚的另一端通过导线接地，所述受光元件(3)的输入端与右框架(12)上的一根引脚相连接，受光元件(3)的输出端与右框架(12)上的另一根引脚相连接，另一根引脚的另一端通过导线接地。
2.根据权利要求1所述的一种高阻抗防信号干扰型的光电耦合器，其特征是:所述的发光元件(2)是光敏二极管、氖管或是光敏三极管。
3.根据权利要求1所述的一种高阻抗防信号干扰型的光电耦合器，其特征是:所述的受光兀件⑶是光电池。
4.根据权利要求1 所述的一种高阻抗防信号干扰型的光电耦合器，其特征是:每根引脚的截面直径是2 3mm。
专利摘要本实用新型涉及一种高阻抗防信号干扰型的光电耦合器，包括引线框架和发光元件以及受光元件，发光元件封装在左框架内，受光元件封装在右框架内，左框架和右框架上均垂直插置有两根相互阵列的引脚，发光元件的输入信号端上连接有隔离电容体，隔离电容体与左框架上的一根引脚相连接，发光元件的输出信号端连接有限流电阻，限流电阻与另一根引脚的一端相电连接，另一根引脚的另一端通过导线接地，受光元件的输入端与右框架上的一根引脚相连接，受光元件的输出端与右框架上的另一根引脚相连接，另一根引脚的另一端通过导线接地。所述的一种高阻抗防信号干扰型的光电耦合器，采用此种设计的光电耦合器，能够防止交流信号的干扰，提高阻抗能力。
文档编号H03K19/14GK203086439SQ201320129660
公开日2013年7月24日 申请日期2013年3月21日 优先权日2013年3月21日
发明者尹佳月, 卢畅 申请人:浙江海洋学院