低失调传感器检测电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种低失调传感器检测电路，它包括场效应管MOS2、场效应管MOS3、场效应管MOS5、场效应管MOS6、电容C1、电容C2、电容C3、时钟控制电路、放大器和DA转换器。其优点是：可消除放大器两端的失调电压，检测精度高，而且电路结构简单。
【专利说明】低失调传感器检测电路
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及集成电路领域，更具体的说是涉及一种低失调传感器检测电路。【背景技术】
[0002]传感器检测电路有多种电路方式来实现。由于传感器所产生的信号极其微弱，一般都在PF量级，其电容变化量一般在10_15-10_18F，要检测如此微小的电容变化量，对检测电路中各部分电路的选取尤为重要。目前电路采用波形信号发生器、C-V转换电路、反相器、加法器、整流电路、低通滤波器等来构建电路，其最小差分量级只可达到10_16f，而且，其电路结构复杂。
实用新型内容
[0003]本实用新型提供一种低失调传感器检测电路，其可消除放大器两端的失调电压，检测精度高，而且电路结构简单。
[0004]为解决上述的技术问题，本实用新型采用以下技术方案:
[0005]低失调传感器检测电路，它包括场效应管M0S2、场效应管M0S3、场效应管M0S5、场效应管M0S6、电容Cl、电容C2、电容C3、时钟控制电路、放大器和DA转换器，所述的场效应管M0S2、场效应管M0S3、场效应管M0S5和场效应管M0S6的栅极均连接在时钟控制电路上；所述的场效应管M0S2的漏极和场效应管M0S5的漏极均与电源相连；所述的电容Cl的一端接地，另一端与场效应管M0S2的源极相连；所述的电容C2的一端接地，另一端与场效应管M0S5的源极相连；所述的放大器的两个输入端分别与场效应管M0S2的源极和场效应管M0S5的源极相连，输出端连接在DA转化器上；所述的电容C3的两端分别连接在放大器的两个输入端上；所述的场效应管M0S3的源极接地，漏极与场效应管M0S2的源极相连；所述的场效应管M0S6的源极接地，漏极与场效应管M0S5的源极相连。
[0006]更进一步的技术方案是:
[0007]作为优选，所述的场效应管M0S2、场效应管M0S5与电源之间还分别连接有场效应管MOSl和场效应管M0S4，所述的场效应管MOSl的源极、场效应管M0S4的源极分别与场效应管M0S2的漏极、场效应管M0S5的漏极相连，所述的场效应管MOSl的漏极和场效应管M0S4的漏极均连接在电源上。
[0008]与现有技术相比，本实用新型的有益效果是:
[0009]本实用新型包含场效应管、电容、放大器、DA放大器和时钟控制芯片，其电路结构简单；且在放大器的两端连接有电容C3，可将放大器两输入端的失调电压消除，增大了检测精度。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细说明。
[0011]图1为实施例1的电路图。[0012]图2为实施例2的电路图。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。本实用新型的实施方式包括但不限于下列实施例。
[0014][实施例1]
[0015]如图1所示的低失调传感器检测电路，它包括场效应管M0S2、场效应管M0S3、场效应管M0S5、场效应管M0S6、电容Cl、电容C2、电容C3、时钟控制电路、放大器和DA转换器，所述的场效应管M0S2、场效应管M0S3、场效应管M0S5和场效应管M0S6的栅极均连接在时钟控制电路上；所述的场效应管M0S2的漏极和场效应管M0S5的漏极均与电源相连；所述的电容Cl的一端接地，另一端与场效应管M0S2的源极相连；所述的电容C2的一端接地，另一端与场效应管M0S5的源极相连；所述的放大器的两个输入端分别与场效应管M0S2的源极和场效应管M0S5的源极相连，输出端连接在DA转化器上；所述的电容C3的两端分别连接在放大器的两个输入端上；所述的场效应管M0S3的源极接地，漏极与场效应管M0S2的源极相连；所述的场效应管M0S6的源极接地，漏极与场效应管M0S5的源极相连。
[0016]由时钟控制电路来控制场效应管M0S2、场效应管M0S3、场效应管M0S5和场效应管M0S6的交替开关，场效应管M0S2和场效应管M0S3的开合同步，场效应管M0S5和场效应管M0S6的开合同步，实现对两个电容的交错充放电采用。对电容进行时间相同的充电，电容大小与充电后的电压高低相关，放大器检测两个电容的电压差值，放大后进行数模转换输出数字信号，便于后续设备计算加速度。场效应管M0S3、场效应管M0S6分别为电容Cl、电容C2所处支路提供通路。放大器的两个输入端上连接电容C3，可将两端的失调电压消除，增大监测的精度。
[0017][实施例2]
[0018]如图2所示的低失调传感器检测电路，为了避免电源和地之间发生短路现象，本实施例在实施例1的基础上，在场效应管M0S2、场效应管M0S5与电源之间还分别连接有场效应管MOSl和场效应管M0S4，所述的场效应管MOSl的源极、场效应管M0S4的源极分别与场效应管M0S2的漏极、场效应管M0S5的漏极相连，所述的场效应管MOSl的漏极和场效应管M0S4的漏极均连接在电源上。场效应管MOSl和场效应管M0S4的栅极连接偏置电压，可由外部设备提供。
[0019]如上所述即为本实用新型的实施例。本实用新型不局限于上述实施方式，任何人应该得知在本实用新型的启示下做出的结构变化，凡是与本实用新型具有相同或相近的技术方案，均落入本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.低失调传感器检测电路，其特征在于:它包括场效应管M0S2、场效应管M0S3、场效应管M0S5、场效应管M0S6、电容Cl、电容C2、电容C3、时钟控制电路、放大器和DA转换器，所述的场效应管M0S2、场效应管M0S3、场效应管M0S5和场效应管M0S6的栅极均连接在时钟控制电路上；所述的场效应管M0S2的漏极和场效应管M0S5的漏极均与电源相连；所述的电容Cl的一端接地，另一端与场效应管M0S2的源极相连；所述的电容C2的一端接地，另一端与场效应管M0S5的源极相连；所述的放大器的两个输入端分别与场效应管M0S2的源极和场效应管M0S5的源极相连，输出端连接在DA转化器上；所述的电容C3的两端分别连接在放大器的两个输入端上；所述的场效应管M0S3的源极接地，漏极与场效应管M0S2的源极相连；所述的场效应管M0S6的源极接地，漏极与场效应管M0S5的源极相连。
2.根据权利要求1所述的低失调传感器检测电路，其特征在于:所述的场效应管M0S2、场效应管M0S5与电源之间还分别连接有场效应管MOSl和场效应管M0S4，所述的场效应管MOSl的源极、场效应管M0S4的源极分别与场效应管M0S2的漏极、场效应管M0S5的漏极相连，所述的场效应管MOSl的漏极和场效应管M0S4的漏极均连接在电源上。
【文档编号】H03F1/30GK203522653SQ201320654585
【公开日】2014年4月2日 申请日期:2013年10月23日 优先权日:2013年10月23日
【发明者】黄友华 申请人:成都市宏山科技有限公司