滤波器装置制造方法
【专利摘要】本发明所涉及的滤波器装置例如是双工器(1)。双工器(1)具备：压电基板(2)；形成在压电基板的主面，构成声表面波谐振器的IDT(3)；与IDT(3)电连接的布线电极(5)；和形成在IDT(3)附近的压电基板(2)的主面，声阻抗与压电基板(2)不同的声构件(异声部)(6)。配置于IDT(3)附近的布线电极(5)形成于声构件6。
【专利说明】匿置，其包括:在压电基板的主面形成的的声表面波的传播方向上配置于101两侧复面波的传播方向的布线电极。
报
I波装置在内的以往的声表面波装置，通过压电基板的主面传播的声表面波向布线电线电极短路的情况。具体而言，在以往的声芒布线电极中产生迁移或者触须，存在产生I。
I板的声表面波装置中，作为在压电基板的I到在101的两侧配置的反射器的情况下，3的异声部，形成配置于101附近的布线电波，能防止布线电极的断线、短路。
\的双工器的构成的俯视图。
勺剖视图。
勺双工器的电路构成的示意性电路图。
1、密度、声阻抗的表。
6板以及压电基板的比率、和该情况下的能
&电基板的构成的俯视图。
1:的剖视图。
勺构成的俯视图。
1:的剖视图。
构成的俯视图。【具体实施方式】
[0044]以下，关于实施本发明的优选方式，举例说明了作为声表面波滤波器装置(以下，也简称为滤波器装置)的图1?图21所示的双工器。但是，双工器仅仅是例示。本发明所涉及的滤波器装置完全不限定于双工器。本发明例如也可以适用于发送滤波器、接收滤波器、天线共用器、三工器、多工器等的双工器以外的滤波器装置。
[0045]此外，在以下说明的实施方式中，存在对相同或者相当的部分赋予相同的参照符号，不重复其说明的情况。另外，在提到个数、量等的情况下，除了有特别记载的情况，本发明的范围未必限定于该个数、量等。另外，在以下的实施方式中，除了有特别记载的情况，各个构成要素对于本发明来说未必是必须的。
[0046]本实施方式所涉及的双工器例如是被搭载于UMTS (Universal MobileTelecommunicat1ns System)那样的 CDMA (Code Divis1n Multiple Access)方式所对应的移动电话机等的高频器件中的装置。双工器是与UMTS-BAND5对应的双工器。UMTS-BAND5的发送频带为824MHz?849MHz，接收频带为869MHz?894MHz。
[0047](实施方式I)
[0048]图1是表示本发明的实施方式I所涉及的双工器I的构成的俯视图。图2是图1所示的双工器I的1-1面处的剖视图。图3是表示本发明的实施方式I所涉及的双工器I的电路构成的示意性电路图。
[0049]首先，如图3所示，双工器I具有与天线连接的天线端子11、发送端子(Tx) 12、接收端子(Rxl、Rx2)13a、13b。如图3所示，在天线端子11与发送端子12之间，连接有发送滤波器20。另外，在天线端子11与接收端子13a、13b之间，连接有接收滤波器30。
[0050]如图3所示，发送滤波器20由梯型声表面波滤波器构成。发送滤波器20具有输出端子21和输入端子22。输出端子21与天线端子11连接，输入端子22与发送端子12连接。
[0051]发送滤波器20具有将输出端子21与输入端子22之间连接的串联臂23。在串联臂23上，串联连接有串联臂谐振器SI?S4。发送滤波器20具有连接于串联臂23与接地之间的并联臂24、25。在并联臂24、25设有并联臂谐振器P1、P2。串联臂谐振器SI?S4以及并联臂谐振器PU P2分别由声表面波谐振器构成。
[0052]另外，在并联臂谐振器P1、P2与接地Gl之间，连接着电感器LI。
[0053]如图3所示，接收滤波器30由纵耦合谐振器型声表面波滤波器构成。接收滤波器30是不平衡输入-平衡输出型的滤波器。即，接收滤波器30由具有平衡-不平衡转换功能的平衡型的纵耦合谐振器型声表面波滤波器构成。为此，接收滤波器30具有不平衡输入端子31、第I以及第2平衡输出端子32a、32b。不平衡输入端子31与天线端子11连接，第I以及第2平衡输出端子32a、32b与接收端子13a、13b连接。接收滤波器30具有连接于不平衡输入端子31与第I及第2平衡输出端子32a、32b之间的声表面波谐振器33、和纵耦合谐振器型声表面波滤波器部34。
[0054]接下来，利用图1对形成了图3所示的电路构成的双工器I的平面构成进行说明。如图1所示，双工器I在压电基板2上，形成构成声表面波谐振器(包括串联臂谐振器SI?S4、并联臂谐振器P1、P2、声表面波谐振器33、纵耦合谐振器型声表面波滤波器部34)的IDT3。IDT3由在压电基板2上成膜的Ti/AlCu层叠膜形成，具有作为主响应波而使用漏波的梳齿电极。
[0055]具体而言，IDT3具有一对梳齿电极，其中以规定的频率激励压电基板2的多个电极指3a利用汇流条部3b被公共连接。各个梳齿电极的电极指被配置成相互啮合。
[0056]此外，双工器I是并不限定于压电基板2或AlCu的IDT3的器件。基板只要是具有压电性的压电基板，例如也可以是LN(LiNbO3)，水晶、LBO(Li2B4O7)等。IDT3也可以由单层膜、层叠膜形成，可以含有Al、T1、Pt、Cr、W、Cu、Au、N1、Co、Ta等的金属或合金。另外，IDT3作为主响应波并不限定于漏波，也可以是瑞利波或洛夫波等的声表面波。
[0057]在双工器I中，在从IDT3传播的声表面波(例如，漏波)的传播方向上，在IDT的两侧还配置反射器4。此外，反射器4由Al、Pt、Cu、Au、T1、NiCr等构成，例如由含有Al以及Ti的金属膜形成。
[0058]在双工器I中，为了与压电基板2上形成的IDT3电连接，在各个IDT3的汇流条部3b间形成有预定的图案的布线电极5。此外,布线电极5由Al、Pt、Cu、Au、T1、NiCr等构成，例如由含有Al以及Ti的金属膜形成。
[0059]布线电极5除了与IDT3的汇流条部3b重合的部分以外，形成在压电基板2上。但是，双工器I有时从IDT3的电极指3a向反射器4的方向或者汇流条部3b的方向传播声表面波。若传播的声表面波到达布线电极5，则向布线电极5传递振动能量。因此，在布线电极5产生迁移或者触须而使布线电极5断线，或使布线电极5与其他布线电极短路。特别是，在布线电极5由Au或Al等的金属膜形成的情况下，容易因向压电基板2传播的漏波引起的振动能量而发生断线或者短路。
[0060]为此，在本实施方式I所涉及的双工器I中，为了使向IDT3的附近传播的声表面波的振动能量衰减，而形成声阻抗与压电基板2不同的声构件6。如图2所示，在双工器I中，在与IDT3附近的反射器4相邻的位置对声构件6进行成膜，在该声构件6上形成布线电极5。因此，通过反射器4传播的声表面波不会直接传播到布线电极5，而是被声构件6衰减后传播到布线电极5。由此，能防止在布线电极5产生迁移所引起的布线电极5的断线、或者触须的产生所引起的布线电极5与其他布线电极的短路。
[0061]声构件6是具有与压电基板2的声阻抗(3.13X107kg/m2s)不同的声阻抗，声阻抗相对于作为压电基板的压电基板2不匹配的材料。图4是分别表示了针对各材料的横波声速、密度、声阻抗的表。此外，横波声速的单位为m/s,密度的单位为g/cm3,声阻抗的单位为 X 107kg/m2s 。
[0062]如图4所示，聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚乙烯的声阻抗为0.01?0.15X107kg/m2s,比压电基板2的声阻抗小。因此，声构件6通过采用聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚乙烯，由此声构件6与压电基板2之间的声阻抗之差变大,能利用声构件6使传播到压电基板2的声表面波衰减。
[0063]S12, Si3N4, Ta2O5的声阻抗为1.02?2.06kg/m2s,比聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚乙烯
的声阻抗大，但与压电基板2的声阻抗具有差。因此，与声构件6采用聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚乙烯的情况相比，效果变小，但即使声构件6采用Si02、Si3N4、Ta205，也能由声构件6来衰减传播到压电基板2的声表面波。
[0064]如上所述，若声构件6的声阻抗与压电基板2的声阻抗之差变大,就能由声构件6进一步衰减所传播的声表面波。将压电基板2(压电基板)的主面上的对声表面波的声阻抗设为Za,将对声构件6的横波声速的声阻抗设为Zc。此时,从压电基板2向声构件6传播的横波的能量比E能用下式(I)来表示。
[0065][数式I]
【权利要求】
1.一种滤波器装置，具备： 压电基板； 交叉指型换能器，其形成于上述压电基板的主面，构成声表面波谐振器； 布线电极，其与上述交叉指型换能器电连接；和 异声部，其形成在上述交叉指型换能器附近，声阻抗与上述压电基板不同， 配置于上述交叉指型换能器附近的上述布线电极形成于上述异声部。
2.根据权利要求1所述的滤波器装置，其中， 上述异声部是在上述压电基板的上述主面上形成有声阻抗与上述压电基板不同的声构件的部分。
3.根据权利要求1所述的滤波器装置，其中， 上述异声部是形成有由上述压电基板的上述主面和未与上述主面处于同一平面的面所构成的台阶部的部分。
4.根据权利要求1所述的滤波器装置，其中， 上述异声部包括： 形成有声阻抗与上述压电基板不同的声构件的部分；以及 形成有由上述压电基板的上述主面和未与上述主面处于同一平面的面所构成的台阶部的部分。
5.根据权利要求2或4所述的滤波器装置，其中， 上述压电基板的上述主面中的声表面波所对应的声阻抗Zc、和上述声构件的横波声速所对应的声阻抗Za，具有Za/Zc < O. 17的关系。
6.根据权利要求3所述的滤波器装置，其中， 上述异声部包括：被配置在形成了上述台阶部的部分且声阻抗与上述压电基板不同的声构件。
7.根据权利要求3、4或6所述的滤波器装置，其中， 上述异声部包括：由形成在上述压电基板的上述主面的沟槽形成的上述台阶部。
8.根据权利要求3、4或6所述的滤波器装置，其中， 上述异声部包括：被形成为形成上述交叉指型换能器的上述压电基板的上述主面成为突起部的上述台阶部。
9.根据权利要求1~8的任一项所述的滤波器装置，其中， 上述异声部被形成于与在上述交叉指型换能器附近形成的反射器相邻的位置。
【文档编号】H03H9/145GK104040887SQ201380004883
【公开日】2014年9月10日 申请日期:2013年1月11日 优先权日:2012年2月6日
【发明者】津田基嗣 申请人:株式会社村田制作所