一种高倍频次数倍频器的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种高倍频次数倍频器，主要由缓冲电路，与缓冲电路相连接的压控振荡电路，微波电路，与微波电路相连接的控制电路，以及与控制电路相连接的锁相环电路组成，其特征在于：在压控振荡电路和微波电路之间还设置有倍频电路；所述倍频电路由三极管VT1，三极管VT2，负极与三极管VT1的基极相连接、正极与压控振荡电路相连接的电容C7，一端与电容C7的负极相连接、另一端经电阻R4后与三极管VT2的发射极相连接的电阻R3等组成；本发明设置有倍频电路，其可以增加倍频器的倍频次数，使倍频器应用更广泛。
【专利说明】一种高倍频次数倍频器
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子领域，具体是指一种高倍频次数倍频器。
【背景技术】
[0002]倍频器使输出信号频率等于输入信号频率整数倍的电路。随着电子技术的不断发展，倍频器应用越来越广泛，如发射机采用倍频器后可使主振器振荡在较低频率，以提高频率稳定度；调频设备用倍频器来增大频率偏移；在相位键控通信机中，倍频器是载波恢复电路的一个重要组成单元。然而目前使用的倍频器其倍频次数较低，不能满足人们需求。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于克服目前的倍频器倍频次数过低的缺陷，提供一种高倍频次数倍频器。
[0004]本发明的目的用以下技术方案实现:一种高倍频次数倍频器，主要由缓冲电路，与缓冲电路相连接的压控振荡电路，微波电路，与微波电路相连接的控制电路，以及与控制电路相连接的锁相环电路组成，在压控振荡电路和微波电路之间还设置有倍频电路；所述倍频电路由三极管VTl，三极管VT2，负极与三极管VTl的基极相连接、正极与压控振荡电路相连接的电容C7，一端与电容C7的负极相连接、另一端经电阻R4后与三极管VT2的发射极相连接的电阻R3，一端与三极管VT2的集电极相连接、另一端与电阻R3和电阻R4的连接点相连接的电感L3，以及正极与三极管VT2的集电极相连接、负极与微波电路相连接的电容C8组成；所述三极管VTl的发射极与三极管VT2的基极相连接、集电极与三极管VT2的集电极相连接，电阻R3和电阻R4的连接点同时与压控振荡电路和微波电路相连接。
[0005]所述的所述的缓冲电路包括电容Cl，电容C2，电感LI，电感L2 ;电容Cl的负极经电感LI和电感L2后与压控振荡电路相连接、正极与压控振荡电路相连接，电容C2的负极与电感LI和电感L2的连接点相连接、正极与电容Cl的正极相连接。
[0006]所述的压控振荡电路由振荡芯片U，正极经电阻R2和电阻Rl后与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的电容C3，正极与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的电容C5，正极与振荡芯片U的OUT管脚相连接、负极与电阻R3和电阻R4的连接点相连接的电容C6，以及正极与振荡芯片U的CONT管脚相连接、负极接地的电容C4组成；所述振荡芯片U的DISCH管脚与电感L2相连接、RESET管脚与VCC管脚相连接、VCC管脚与外部电源相连接、GND管脚接地、TRIG管脚作为电路的一输入端、THRES管脚与TRIG管脚相连接。
[0007]所述的微波电路由二极管D1，二极管D2，二极管D3，电容C9，电容C10，电容Cll组成；二极管D2的P极经二极管Dl后与电容C8的负相连接、N极与控制电路相连接，二极管D3的N极经电容ClO后与二极管D2的P极相连接、其P极则经电容C9后同时与电容C8的负极以及控制电路相连接，电容Cll的正极与二极管D3的N极相连接、负极与电容C8的负极相连接；所述二极管D2的P极还与电容C6的负极相连接、二极管D3的N极还与控制电路相连接。
[0008]所述的控制电路由三极管VT3，三极管VT4，P极与电容C8的负极相连接、N极与三极管VT3的基极相连接的稳压二极管D4，一端与稳压二极管D4的P极相连接、另一端与三极管VT3的发射极相连接的电阻R5，以及P极与三极管VT3的集电极相连接、N极与二极管D3的N极相连接的二极管D5组成；所述三极管VT3的发射极与三极管VT4的基极相连接、基极与二极管D2的N极相连接，三极管VT4的集电极接地、发射极同时与二极管D3的N极以及锁相环电路相连接。
[0009]所述锁相环电路由三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，正极与稳压二极管D4的P极相连接、负极与三极管VT5的基极相连接的电容C12，一端与三极管VT5的集电极相连接、另一端经电阻R6和电阻R8后与三极管VT5的集电极相连接的电阻R7，负极经电阻RlO和电阻R9后与三极管VT6的集电极相连接、正极与三极管VT5的发射极相连接的电容C13，以及负极经电阻R12和电阻Rll后与其正极相连接的电容C14组成；所述三极管VT7的集电极与电容C14的负极相连接、发射极与三极管VT6的发射极相连接、基极与电容C13的负极相连接，三极管VT6的基极与电容C14的正极相连接、发射极与三极管VT5的集电极相连接，三极管VT5的集电极与三极管VT4的发射极相连接，电阻R6和电阻R7的连接点与电容C12的负极相连接，电阻町2和电阻1?11的连接点与电阻RlO和电阻R9的连接点、以及电阻R8和电阻R6的连接点均相互连接。
[0010]本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果:
[0011](I)本发明设置有倍频电路，其可以增加倍频器的倍频次数，使倍频器应用更广泛。
[0012](2)本发明其能够使倍频器输出稳定的信号，避免产生噪音。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1为本发明的整体结构示意图。
【具体实施方式】
[0014]下面结合具体实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
[0015]实施例
[0016]如图1所示，本发明的高倍频次数倍频器，主要由缓冲电路，与缓冲电路相连接的压控振荡电路，微波电路，与微波电路相连接的控制电路，以及与控制电路相连接的锁相环电路组成。为了实现本发明的目的，在压控振荡电路和微波电路之间还设置有倍频电路。
[0017]其中，倍频电路由三极管VT1，三极管VT2，负极与三极管VTl的基极相连接、正极与压控振荡电路相连接的电容C7，一端与电容C7的负极相连接、另一端经电阻R4后与三极管VT2的发射极相连接的电阻R3，一端与三极管VT2的集电极相连接、另一端与电阻R3和电阻R4的连接点相连接的电感L3，以及正极与三极管VT2的集电极相连接、负极与微波电路相连接的电容C8组成；所述三极管VTl的发射极与三极管VT2的基极相连接、集电极与三极管VT2的集电极相连接，电阻R3和电阻R4的连接点同时与压控振荡电路和微波电路相连接。倍频电路可以使输出的信号幅度增大，从而可以增加倍频器的倍频次数。
[0018]所述的所述的缓冲电路包括电容Cl，电容C2，电感LI，电感L2 ;电容Cl的负极经电感LI和电感L2后与压控振荡电路相连接、正极与压控振荡电路相连接，电容C2的负极与电感LI和电感L2的连接点相连接、正极与电容Cl的正极相连接。
[0019]压控振荡电路由振荡芯片U，正极经电阻R2和电阻Rl后与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的电容C3，正极与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的电容C5，正极与振荡芯片U的OUT管脚相连接、负极与电阻R3和电阻R4的连接点相连接的电容C6，以及正极与振荡芯片U的CONT管脚相连接、负极接地的电容C4组成；所述振荡芯片U的DISCH管脚与电感L2相连接、RESET管脚与VCC管脚相连接、VCC管脚与外部电源相连接、GND管脚接地、TRIG管脚作为电路的一输入端、THRES管脚与TRIG管脚相连接。为了保证实施效果，振荡芯片U优选为NE555集成芯片。
[0020]所述的微波电路由二极管D1，二极管D2，二极管D3，电容C9，电容C10，电容Cll组成；二极管D2的P极经二极管Dl后与电容C8的负相连接、N极与控制电路相连接，二极管D3的N极经电容ClO后与二极管D2的P极相连接、其P极则经电容C9后同时与电容C8的负极以及控制电路相连接，电容Cll的正极与二极管D3的N极相连接、负极与电容C8的负极相连接；所述二极管D2的P极还与电容C6的负极相连接、二极管D3的N极还与控制电路相连接。
[0021]为了使振荡频率严格的锁定在输入频率的倍乘值上，因此设置了控制电路。其由三极管VT3，三极管VT4，P极与电容C8的负极相连接、N极与三极管VT3的基极相连接的稳压二极管D4，一端与稳压二极管D4的P极相连接、另一端与三极管VT3的发射极相连接的电阻R5，以及P极与三极管VT3的集电极相连接、N极与二极管D3的N极相连接的二极管D5组成；所述三极管VT3的发射极与三极管VT4的基极相连接、基极与二极管D2的N极相连接，三极管VT4的集电极接地、发射极同时与二极管D3的N极以及锁相环电路相连接。
[0022]所述锁相环电路由三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，正极与稳压二极管D4的P极相连接、负极与三极管VT5的基极相连接的电容C12，一端与三极管VT5的集电极相连接、另一端经电阻R6和电阻R8后与三极管VT5的集电极相连接的电阻R7，负极经电阻RlO和电阻R9后与三极管VT6的集电极相连接、正极与三极管VT5的发射极相连接的电容C13，以及负极经电阻R12和电阻Rll后与其正极相连接的电容C14组成；所述三极管VT7的集电极与电容C14的负极相连接、发射极与三极管VT6的发射极相连接、基极与电容C13的负极相连接，三极管VT6的基极与电容C14的正极相连接、发射极与三极管VT5的集电极相连接，三极管VT5的集电极与三极管VT4的发射极相连接，电阻R6和电阻R7的连接点与电容C12的负极相连接，电阻R12和电阻Rll的连接点与电阻RlO和电阻R9的连接点、以及电阻R8和电阻R6的连接点均相互连接。通过锁相环电路的作用，使倍频器能够输出稳定的信号，从而避免在倍频时产生噪音。
[0023]如上所述，便可很好的实现本发明。
【权利要求】
1.一种高倍频次数倍频器，主要由缓冲电路，与缓冲电路相连接的压控振荡电路，微波电路，与微波电路相连接的控制电路，以及与控制电路相连接的锁相环电路组成，其特征在于:在压控振荡电路和微波电路之间还设置有倍频电路；所述倍频电路由三极管VT1，三极管VT2，负极与三极管VTl的基极相连接、正极与压控振荡电路相连接的电容C7，一端与电容C7的负极相连接、另一端经电阻R4后与三极管VT2的发射极相连接的电阻R3，一端与三极管VT2的集电极相连接、另一端与电阻R3和电阻R4的连接点相连接的电感L3，以及正极与三极管VT2的集电极相连接、负极与微波电路相连接的电容C8组成；所述三极管VTl的发射极与三极管VT2的基极相连接、集电极与三极管VT2的集电极相连接，电阻R3和电阻R4的连接点同时与压控振荡电路和微波电路相连接。
2.根据权利要求1所述的一种高倍频次数的倍频器，其特征在于:所述的所述的缓冲电路包括电容Cl，电容C2，电感LI，电感L2 ;电容Cl的负极经电感LI和电感L2后与压控振荡电路相连接、正极与压控振荡电路相连接，电容C2的负极与电感LI和电感L2的连接点相连接、正极与电容Cl的正极相连接。
3.根据权利要求2所述的一种高倍频次数的倍频器，其特征在于:所述的压控振荡电路由振荡芯片U，正极经电阻R2和电阻Rl后与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的电容C3，正极与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的电容C5，正极与振荡芯片U的OUT管脚相连接、负极与电阻R3和电阻R4的连接点相连接的电容C6，以及正极与振荡芯片U的CONT管脚相连接、负极接地的电容C4组成；所述振荡芯片U的DISCH管脚与电感L2相连接、RESET管脚与VCC管脚相连接、VCC管脚与外部电源相连接、GND管脚接地、TRIG管脚作为电路的一输入端、THRES管脚与TRIG管脚相连接。
4.根据权利要求3所述的一种高倍频次数的倍频器，其特征在于:所述的微波电路由二极管D1，二极管D2，二极管D3，电容C9，电容C10，电容Cll组成；二极管D2的P极经二极管Dl后与电容C8的负相连接、N极与控制电路相连接，二极管D3的N极经电容ClO后与二极管D2的P极相连接、其P极则经电容C9后同时与电容C8的负极以及控制电路相连接，电容Cll的正极与二极管D3的N极相连接、负极与电容C8的负极相连接；所述二极管D2的P极还与电容C6的负极相连接、二极管D3的N极还与控制电路相连接。
5.根据权利要求4所述的一种高倍频次数的倍频器，其特征在于:所述的控制电路由三极管VT3，三极管VT4，P极与电容C8的负极相连接、N极与三极管VT3的基极相连接的稳压二极管D4，一端与稳压二极管D4的P极相连接、另一端与三极管VT3的发射极相连接的电阻R5，以及P极与三极管VT3的集电极相连接、N极与二极管D3的N极相连接的二极管D5组成；所述三极管VT3的发射极与三极管VT4的基极相连接、基极与二极管D2的N极相连接，三极管VT4的集电极接地、发射极同时与二极管D3的N极以及锁相环电路相连接。
6.根据权利要求5所述的一种高倍频次数的倍频器，其特征在于:所述锁相环电路由三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，正极与稳压二极管D4的P极相连接、负极与三极管VT5的基极相连接的电容C12，一端与三极管VT5的集电极相连接、另一端经电阻R6和电阻R8后与三极管VT5的集电极相连接的电阻R7，负极经电阻RlO和电阻R9后与三极管VT6的集电极相连接、正极与三极管VT5的发射极相连接的电容C13，以及负极经电阻R12和电阻Rll后与其正极相连接的电容C14组成；所述三极管VT7的集电极与电容C14的负极相连接、发射极与三极管VT6的发射极相连接、基极与电容C13的负极相连接，三极管VT6的基极与电容C14的正极相连接、发射极与三极管VT5的集电极相连接，三极管VT5的集电极与三极管VT4的发射极相连接，电阻R6和电阻R7的连接点与电容C12的负极相连接，电阻R12和电阻R ll的连接点与电阻RlO和电阻R9的连接点、以及电阻R8和电阻R6的连接点均相互连接。
【文档编号】H03D7/16GK104506142SQ201410669862
【公开日】2015年4月8日 申请日期:2014年11月19日 优先权日:2014年11月19日
【发明者】周鹏程, 刘芳 申请人:成都创图科技有限公司