1.一种声波器件，包括：
衬底；
IDT电极，设置在所述衬底上方；
密封体，密封激励空间，所述IDT电极在所述激励空间中激发声波；
布线电极，设置在所述衬底上方且连接到所述IDT电极，所述布线电极包括形成在所述布线电极的外周上且配置为突出到所述激励空间中的突起；以及
密封墙，设置在所述布线电极上方并且形成所述密封体的一部分，所述密封墙通过所述突起与所述IDT电极间隔开。
2.根据权利要求1所述的声波器件，其中，所述布线电极包括：
第一布线电极，设置在所述衬底的上表面上；以及
第二布线电极，设置在所述第一布线电极的上表面上，所述突起形成在所述第二布线电极的外周上。
3.根据权利要求2所述的声波器件，还包括覆盖所述IDT电极的第一电介质膜，所述第二布线电极的至少一部分设置在所述第一电介质膜上方。
4.根据权利要求2所述的声波器件，还包括覆盖所述IDT电极的第一电介质膜，所述第二布线电极覆盖所述第一电介质膜的外周。
5.根据权利要求2所述的声波器件，还包括覆盖所述IDT电极且覆盖所述第一布线电极的外周的第一电介质膜。
6.根据权利要求5所述的声波器件，还包括覆盖所述布线电极和所述第一电介质膜的第二电介质膜，所述密封墙设置在所述第二电介质膜上方。
7.根据权利要求1所述的声波器件，还包括覆盖所述IDT电极的第一电介质膜，所述突起设置在所述第一电介质膜的外周上方。
8.根据权利要求1-7中的任一项所述的声波器件，还包括：
端电极，设置在所述密封体的上表面上；以及
连接电极，将所述布线电极连接到所述端电极。
9.一种声波器件，包括：
压电衬底；
IDT电极，设置在所述压电衬底的上表面上；
第一布线电极，设置在所述压电衬底的上表面上并且连接到所述IDT电极；
第二布线电极，所述第二布线电极的至少一部分设置在所述第一布线电极的上表面上，所述第二布线电极包括形成在所述第二布线电极的外周上且配置为突出到激励空间中的突起；以及
密封体，密封激励空间，所述IDT电极在激励空间中激发声波，所述密封体包括设置在所述第二布线电极上方的密封墙，所述密封墙通过所述突起与所述IDT电极间隔开。
10.根据权利要求9所述的声波器件，还包括覆盖所述IDT电极的第一电介质膜。
11.根据权利要求10所述的声波器件，其中，所述第一电介质膜设置在所述第一布线电极的外周之上，所述第二布线电极的一部分设置在所述第一电介质膜的外周之上。
12.根据权利要求11所述的声波器件，还包括覆盖所述第二布线电极和所述第一电介质膜的第二电介质膜，所述密封墙设置在所述第二电介质膜上方。
13.一种天线双工器，包括：
发射滤波器；以及
接收滤波器，所述接收滤波器和所述发射滤波器中的至少一个包括权利要求1-12中的任一项所述的声波器件。
14.一种模块，包括权利要求13所述的天线双工器。
15.一种模块，包括声波滤波器，所述声波滤波器包括权利要求1-12中的任一项所述的声波器件。
16.一种通信设备，包括权利要求1-12中的任一项所述的声波器件。
17.一种声波器件的制造方法，所述方法包括：
提供衬底；
在所述衬底的上表面上形成IDT电极；
在所述衬底上方形成连接到所述IDT电极的布线电极，所述布线电极包括形成在所述布线电极的外周上并且配置为突出到激励空间中的突起，所述IDT电极在所述激励空间中激发声波；以及
形成密封所述激励空间的密封体，所述密封体包括设置在所述布线电极上方且通过所述突起与所述IDT电极间隔开的密封墙。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，形成所述布线电极包括：
在所述衬底的上表面上形成第一布线电极；以及
在所述第一布线电极的上表面上形成第二布线电极，包括在所述第二布线电极的外周上形成突起。
19.根据权利要求18所述的方法，还包括形成覆盖所述IDT电极的第一电介质膜。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，形成所述第二布线电极包括在所述第一电介质膜的外周之上形成所述第二布线电极的一部分。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，形成所述第一电介质膜包括形成覆盖所述第一布线电极的外周的所述第一电介质膜。
22.根据权利要求21所述的方法，还包括形成覆盖所述第二布线电极和所述第一电介质膜的第二电介质膜。
23.根据权利要求22所述的方法，其中，形成所述密封体包括在所述第二电介质膜之上形成所述密封墙。
24.根据权利要求17所述的方法，还包括：
形成穿过所述密封墙延伸到所述布线电极的连接电极；
在所述密封墙之上形成端电极；以及
通过所述连接电极将所述端电极连接到所述布线电极。