1.一种晶体振荡器，其特征在于，包括：
晶体；
晶体驱动电路，其包括：第一N型MOS管，向所述第一N型MOS管提供偏置电压的偏置电路，向所述晶体的一端XI提供正反馈的反馈电路以及向所述第一N型MOS管提供直流电流的偏置电流源，其中，所述第一N型MOS管向所述晶体提供振荡电压；
限幅电路，所述限幅电路的一端与所述第一N型MOS管的漏极相连，另一端与电路电源的正极相连，所述限幅电路用于限制所述晶体的振荡信号的振荡幅度；
其中，所述限幅电路为第三N型MOS管，所述第三N型MOS管的栅极和漏极短接且与所述电路电源的正极相连，所述第三N型MOS管的源极与所述第一N型MOS管的漏极相连；或者，
所述限幅电路为第三P型MOS管，所述第三P型MOS管的栅极和漏极短接且与所述第一N型MOS管的漏极连接，所述第三P型MOS管的源极与所述电路电源的正极相连；或者，所述限幅电路为第二电阻。
2.如权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于，所述偏置电路包括第一电阻和与所述第一电阻一端相连的偏置电压VB1，所述第一电阻的另一端同时与所述第一N型MOS管的栅极和所述晶体的一端XI相连，所述晶体的另一端接地。
3.如权利要求2所述的晶体振荡器，其特征在于，所述偏置电流源包括第二N型MOS管和与所述第二N型MOS管的栅极相连的偏置电压VB2，所述第二N型MOS管的源极接地，所述第二N型MOS管的漏极与所述第一N型MOS管的源极相连。
4.如权利要求3所述的晶体振荡器，其特征在于，所述反馈电路包括第一电容和与所述第一电容一端相连的第二电容，所述第一电容的另一端同时与所述第一N型MOS管的栅极和所述晶体的一端XI连接，所述第二电容的另一端接地。
5.如权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于，还包括反相器，其与所述晶体的一端XI相连，用于对晶体的振荡信号进行整形得到时钟信号。
6.如权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于，当所述限幅电路为第三N型MOS管，所述晶体的振荡信号的振荡幅度稳定时，所述晶体的一端XI的电压最大值为：VDD-VGS3+VGS1，其中VDD为所述电路电源的电压值，VGS3为所述第三N型MOS管的栅极和源极之间的电压值，VGS1为所述第一N型MOS管的栅极和源极之间的电压值。
7.如权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于，当所述限幅电路为第三P型MOS管，所述晶体的振荡信号的振荡幅度稳定时，所述晶体的一端XI的电压最大值为：VDD-|VGS4|+VGS1，其中VDD为所述电路电源的电压值，VGS4为所述第三P型MOS管的栅极和源极之间的电压值，VGS1为所述第一N型MOS管的栅极和源极之间的电压值。
8.如权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于，当所述限幅电路为第二电阻，所述晶体的振荡信号的振荡幅度稳定时，所述晶体的一端XI的电压最大值为：VDD-I*R2+VGS1，其中VDD为所述电路电源的电压值，R2为所述第二电阻的电阻值，I为流过所述第二电阻的电流，VGS1为所述第一N型MOS管的栅极和源极之间的电压值。