本实用新型属于LED电源技术领域，尤其涉及一种双管反激的单级PFC的LED电路，具体应用到较高的交流输入电压，较高的PF且低THD要求的LED电源。
背景技术：
现有的LED电源技术应用要么是输入电压在305V以下，要么是通过双级PFC电路实现较高输入电压，从整机的成本，以及器件的应用选型，到整机的效率，产品的功率密度等都是一个比较传统的技术，造成整机的成本高，以及器件的应用选型差及到整机的效率低。现用双管单级PFC电路能较好的解决现有技术的不足。
技术实现要素：
本实用新型目的是提供一种电路结构简单、器件耐压通用，器件易选型，器件余量足，配合现有的单级PFC电路，实现高PFC低THD的一种LED电源电路,实现产品成本低，产品竞争能力强。
为了实现以上目的以及解决现有技术的不足之处，本实用新型通过以下技术方案得以实现
为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：
一种双管反激的单级PFC的LED电路，包括VCC供电电路、双管反激电路和芯片IC1，所述双管反激电路包括变压器T2、二极管D4、电容C8、二极管D10和电容C17，所述变压器T2包括初级侧N1和两个次级侧N2和次级侧N3，所述次级侧N2并联有稳压二极管Z2和MOS 管Q3，所述MOS管Q3与VCC供电电路的输出端电性连接，所述二极管D4分别与MOS管Q3和电容C8并联，所述MOS管Q3通过电容C18与MOS管Q4串联，所述次级侧N3的右侧并联有稳压二极管Z3，所述稳压二极管Z3和MOS管Q4并联，所述MOS管Q4分别与电容C17和二极管D10并联，所述电容C17和二极管D10并联，所述二极管D4与电容C17的输出端连接，且所述二极管D4与电容C17连接于变压器T1的第一初级侧，所述电容C18也连接于变压器T1的第一初级侧，所述变压器T1的次级侧连接有二极管DS7、二极管DS6、电容CS11、电阻RS1和电阻RS2，所述二极管DS7和二极管DS6并联，且二极管DS7和二极管DS6串接于电阻RS26和电阻RS27并联电路，所述电阻RS26和电阻RS27并联电路和电阻RS1和电阻RS2并联电路串联，所述MOS管Q3的N沟道分别连接于电阻R22和电阻R6，所述芯片IC1的脚通过电阻R17输出到图腾电路。
优选的，所述初级侧N1上串联有电阻R23。
优选的，所述图腾电路包括NPN型三极管Q1和PNP型三极管Q2。
本实用新型提供的一种双管反激的单级PFC的LED电路，与传统的LED电路相比，本实用新型使用两个MOS(双管)串联，较好的解决因为交流输入电压高，而造成MOS耐压更高，选型难，供货难，调货难的困扰,因为可选用通用MOS，降低成本；本实用新型的电路应用在单级PFC电路里，还可解决高PF低THD的LED应用要求，达到电路简单，成本低，功率密度高；本实用新型因为电路结构简单，MOS耐压低自然RDS小，损耗低，效率高，节省能源，延长产品寿 命，同时成本也低，降低了成本，一个高耐压的MOS，远远高于两个低压的MOS。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
请参照图1，本实用新型采用了如下技术方案：
一种双管反激的单级PFC的LED电路，包括VCC供电电路、双管反激电路和芯片IC1，所述双管反激电路包括变压器T2、二极管D4、电容C8、二极管D10和电容C17，所述变压器T2包括初级侧N1和两个次级侧N2和次级侧N3，所述初级侧N1上串联有电阻R23，所述次级侧N2并联有稳压二极管Z2和MOS管Q3，所述MOS管Q3与VCC供电电路的输出端电性连接，所述二极管D4分别与MOS管Q3和电容C8并联，所述MOS管Q3通过电容C18与MOS管Q4串联，所述次级侧N3的右侧并联有稳压二极管Z3，所述稳压二极管Z3和MOS管Q4并联，所述MOS管Q4分别与电容C17和二极管D10并联，所述电容C17和二极管D10并联，所述二极管D4与电容C17的输出端连接，且所述二极管D4与电容C17连接于变压器T1的第一初级侧，所述电容C18也连接于变压器T1的第一初级侧，所述变压器T1的次级侧连接有二极管DS7、二极管DS6、电容CS11、电阻RS1和电阻RS2，所 述二极管DS7和二极管DS6并联，且二极管DS7和二极管DS6串接于电阻RS26和电阻RS27并联电路，所述电阻RS26和电阻RS27并联电路和电阻RS1和电阻RS2并联电路串联，所述MOS管Q3的N沟道分别连接于电阻R22和电阻R6，所述芯片IC1的脚通过电阻R17输出到图腾电路，所述图腾电路包括NPN型三极管Q1和PNP型三极管Q2。
本实用新型使用两个MOS(双管)串联，较好的解决因为交流输入电压高，而造成MOS耐压更高，选型难，供货难，调货难的困扰,因为可选用通用MOS，降低成本；本实用新型的电路应用在单级PFC电路里，还可解决高PF低THD的LED应用要求，达到电路简单，成本低，功率密度高；本实用新型因为电路结构简单，MOS耐压低自然RDS小，损耗低，效率高，节省能源，延长产品寿命，同时成本也低，降低了成本，一个高耐压的MOS，远远高于两个低压的MOS。
以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。