1.一种耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路，其特征在于：包括射频输入波导（101）、石英基板（102）和射频输出波导（103），所述石英基板（102）的一端位于所述射频输入波导（101）的波导槽内，所述石英基板（102）的另一端位于所述射频输出波导（103）的波导槽内，输入过渡微带线（104）位于所述石英基板（102）上，所述过渡微带线（104）的一端依次经第一传输微带线（105）、低通滤波器（106）、射频匹配微带线（107）、第二传输微带线（108）与输出过渡微带线（109）连接，四个多管结GaAs太赫兹倍频二极管（110）的阳极与射频匹配微带线（107）连接，每个多管结GaAs太赫兹倍频二极管（110）位于最外侧的阴极与一个接地端石英带线（111）连接，其中每个多管结GaAs太赫兹倍频二极管（110）包括四个串联连接的肖特基二极管。
2.如权利要求1所述的耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路，其特征在于：所述输入过渡微带线（104）为E面探针输入过渡微带线。
3.如权利要求1所述的耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路，其特征在于：所述低通滤波器（106）为5阶或7阶高低阻抗微带线。
4.如权利要求1所述的耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路，其特征在于：所述多管结GaAs太赫兹倍频二极管（110）的两端通过导电胶分别与射频匹配微带线（107）以及接地端石英带线（111）连接。
5.如权利要求1所述的耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路，其特征在于：所述接地端石英带线（111）通过导电胶与腔体实现接地。
6.如权利要求1所述的耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路，其特征在于：所述石英基板（102）的厚度为30微米到75微米。
7.如权利要求1所述的耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路，其特征在于：所述射频输入波导（101）为WM-2032矩形波导，矩形波导中a和b分别为2032微米和1016微米。
8.如权利要求1所述的耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路，其特征在于：四个多管结GaAs太赫兹倍频二极管（110）呈斜十字状固定在石英基板上。