技术总结
本实用新型公开了一种耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路，涉及太赫兹电路技术领域。所述电路包括射频输入波导、石英基板和射频输出波导，所述石英基板的一端位于所述射频输入波导的波导槽内，所述石英基板的另一端位于所述射频输出波导的波导槽内，输入过渡微带线位于所述石英基板上，所述过渡微带线的一端依次经第一传输微带线、低通滤波器、射频匹配微带线、第二传输微带线与输出过渡微带线连接，四个多管结GaAs太赫兹倍频二极管的阳极与射频匹配微带线连接，每个多管结GaAs太赫兹倍频二极管位于最外侧的阴极与一个接地端石英带线连接。所述电路结构简单，由于肖特基二极管数目的增多，可承受更大的输入功率。
技术研发人员：王俊龙;冯志红;杨大宝;梁士雄;张立森;赵向阳;邢东;徐鹏
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第十三研究所
文档号码：201620809383
技术研发日：2016.07.29
技术公布日：2017.01.11