技术总结
本实用新型提出一种带有支撑结构的薄膜体声波谐振器(FBAR)及通信器件。该声波谐振器包括硅衬底、二氧化硅薄膜、压电薄膜换能器堆叠结构，压电薄膜换能器堆叠结构从上到下依次包括顶电极、压电层、底电极；绝缘体硅基片上形成有空腔以及空腔内支撑结构，绝缘体硅基片通过金属键合层与压电薄膜换能器堆叠结构形成封闭空腔；绝缘体硅基片上预制的空腔宽度大于压电薄膜换能器堆叠结构的水平宽度，该设计能对薄膜体声波谐振器的横向杂波有很好的抑制作用，从而提高器件性能。另外，本实用新型在空腔内形成压电薄膜换能器堆叠结构的支撑结构，有利于减少薄膜体声波谐振器早键合过程的断裂、损伤，能有效地提高器件生产稳定性，适合批量生产。
技术研发人员：张树民;王国浩;房华
受保护的技术使用者：杭州左蓝微电子技术有限公司
文档号码：201621463325
技术研发日：2016.12.29
技术公布日：2017.10.03