1.一种混合式开关，其特征是：包括机械开关、晶闸管、第一限流元件、单向导通器件、电容、半导体开关、稳压器件、一控制单元；
所述机械开关主回路两端分别与所述晶闸管的第一端、所述晶闸管的第三端连接；
所述控制单元与所述机械开关的控制端、所述半导体开关的控制端连接；
所述第一限流元件、所述单向导通器件、所述电容串联而成一串联电路，所述串联电路的一端与所述晶闸管的第一端连接，所述串联电路的另一端用于与相对于所述晶闸管的第一端的另一相线或中性线连接；
所述电容通过所述半导体开关、所述晶闸管的第二端、所述晶闸管的第一端形成放电回路；
所述稳压器件与所述电容并联，或所述稳压器件通过所述单向导通器件与所述电容并联。
2.根据权利要求1所述的混合式开关，其特征是：包括第一光电耦合器、第二光电耦合器，所述第一光电耦合器用于控制所述放电回路，所述第一光电耦合器的控制端与所述控制单元连接，所述半导体开关为一电压检测开关，所述电压检测开关的检测端与所述晶闸管的第三端连接，所述第二光电耦合器的控制端与所述电压检测开关连接，所述电容提供所述第二光电耦合器的驱动能量，所述第二光电耦合器的输出信号传递至所述控制单元。
3.根据权利要求1所述的混合式开关，其特征是：包括一电压检测开关、第二光电耦合器，所述电压检测开关的检测端与所述晶闸管的第三端连接，所述第二光电耦合器的控制端与所述电压检测开关连接，所述电容提供所述第二光电耦合器的驱动能量，所述第二光电耦合器的输出信号传递至所述控制单元。
4.根据权利要求3所述的混合式开关，其特征是：所述电压检测开关、所述半导体开关串联。
5.根据权利要求2或3所述的混合式开关，其特征是：所述电压检测开关用于检测所述机械开关断开，所述控制单元在所述电压检测开关检测到所述机械开关断开时关断所述晶闸管的导通控制信号。
6.根据权利要求2或3所述的混合式开关，其特征是：所述电压检测开关用于检测所述晶闸管的导通时间。
7.根据权利要求6所述的混合式开关，其特征是：所述控制单元根据所述机械开关闭合或断开过程中所述晶闸管的导通时间，修正控制所述机械开关的闭合或断开动作时间参数。
8.根据权利要求2或3所述的混合式开关，其特征是：所述电压检测开关包括第二限流元件、晶体管。
9.根据权利要求8所述的混合式开关，其特征是：所述晶闸管为单向晶闸管，所述晶体管包括第一晶体管、第二晶体管，所述第一晶体管为PNP型管，所述第二晶体管为NPN型管，所述第二晶体管的基极通过所述第二限流元件与所述晶闸管的第三端连接，所述第二晶体管的集电极与所述第一晶体管的基极连接，所述第一晶体管的发射极、所述第一晶体管的集电极串联在所述放电回路中。
10.根据权利要求8所述的混合式开关，其特征是：所述晶体管包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管，所述第二晶体管的基极通过所述第二限流元件与所述晶闸管主回路端连接，所述第二晶体管的发射极与所述第三晶体管的基极连接，所述第二晶体管的基极与所述第三晶体管的发射极连接，所述第三晶体管的集电极与所述第四晶体管的基极连接，所述第二晶体管的集电极、所述第四晶体管的发射极与所述第一晶体管的基极连接，所述第四晶体管的集电极与所述第二晶体管的发射极连接，所述第一晶体管的集电极与所述第二晶体管的基极连接，所述第一晶体管的发射极、所述第二晶体管的发射极串联在所述放电回路中。
11.根据权利要求8所述的混合式开关，其特征是：所述晶体管包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管，所述第二晶体管的基极通过所述第二限流元件与所述晶闸管主回路端连接，所述第二晶体管的发射极与所述第三晶体管的基极连接，所述第三晶体管的基极与所述晶闸管的第一端连接，所述第二晶体管的基极与所述第三晶体管的发射极连接，所述第三晶体管的集电极与所述第四晶体管的基极连接，所述第二晶体管的集电极、所述第四晶体管的发射极与所述第一晶体管的基极连接，所述第四晶体管的集电极与所述第二晶体管的发射极连接，所述第一晶体管的发射极、所述第一晶体管的集电极串联在所述放电回路中。
12.根据权利要求11所述的混合式开关，其特征是：所述电压检测开关还包括第五晶体管，所述第五晶体管的集电极与所述第一晶体管的基极连接，所述第五晶体管的基极与所述第一晶体管的集电极连接，所述第一晶体管的发射极、所述第五晶体管的发射极串联在所述放电回路中。
13.根据权利要求1所述的混合式开关，其特征是：通过所述第一限流元件的平均电流小于触发所述晶闸管导通所需的最小触发电流。
14.根据权利要求1所述的混合式开关，其特征是：所述半导体开关为一光电耦合器或一光电耦合器驱动晶体管电路。
15.根据权利要求1所述的混合式开关，其特征是：包括一与所述电容的放电回路串联的限流元件。