技术特征：
技术总结
本发明涉及一种消除衬偏效应的深亚微米CMOS自举开关，包括NMOS晶体管N1～N7、PMOS晶体管P1～P4、电容C1、电容C2和公共节点。本发明提出一自举开关电路，解决了传统自举开关存在衬偏效应，可靠性差，线型性能不好，输入信号范围窄等问题。本发明的自举开关电路可在深亚微米CMOS工艺条件下实现，输入信号范围可在地和电源之间变化，甚至超出电源电压范围。本发明消除了衬偏效应，具有极好的线型性。特殊的设计使得本发明具有较高的可靠性。本发明可用于集成模数转换器中的采样保持电路。
技术研发人员：胡蓉彬;王永禄;张正平;王健安;陈光炳;付东兵;王育新;蒋和全;胡刚毅
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第二十四研究所
技术研发日：2017.06.07
技术公布日：2017.10.10