1.一种功率放大器，包括：
放大电路，被配置为放大输入信号，并且包括晶体管，所述晶体管彼此并联设置并且分为第一组的晶体管和第二组的晶体管；及
偏置电路，被配置为向所述第一组的晶体管和所述第二组的晶体管之一供应偏置电力。
2.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，所述偏置电路包括：
第一偏置电路，被配置为向所述第一组的晶体管供应所述偏置电力；及
第二偏置电路，被配置为向所述第二组的晶体管供应所述偏置电力。
3.根据权利要求2所述的功率放大器，其中，所述第一偏置电路在除了在所述第二偏置电路向所述第二组的晶体管供应所述偏置电力时之外向所述第一组的晶体管供应所述偏置电力。
4.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，所述第一组的预定数量的晶体管和所述第二组的预定数量的晶体管交替设置。
5.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，所述晶体管中的每个是异质结双极晶体管，所述异质结双极晶体管被配置为放大被输入到所述异质结双极晶体管的基极端子的所述输入信号，并且通过所述异质结双极晶体管的集电极端子输出所放大的信号。
6.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，所述晶体管的发射极端子通过发射极线连接到地。
7.根据权利要求1所述的功率放大器，所述功率放大器还包括：
输入端子；及
输出端子，
其中，所述晶体管设置在所述输入端子与所述输出端子之间。
8.根据权利要求7所述的功率放大器，其中，所述晶体管的基极端子通过相应的耦合电容器连接到所述输入端子，所述晶体管的集电极端子连接到所述输出端子。
9.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，所述功率放大器按照低功率模式来操作，在所述低功率模式中，所述偏置电力选择性地供应到所述第一组和所述第二组中的一个组中的晶体管。
10.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，所述晶体管通过连接到所述晶体管的基极端子的相应的镇流电阻器接收所述偏置电力。
11.根据权利要求2所述的功率放大器，其中，所述第一偏置电路和所述第二偏置电路设置在相对于所述晶体管彼此对称的位置中。
12.一种功率放大器，包括：
第一晶体管，被配置为通过第一偏置布线接收偏置电力；及
第二晶体管，被配置为通过第二偏置布线接收偏置电力，
其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管彼此并联设置在输入端子与输出端子之间，并且交替地设置。
13.根据权利要求12所述的功率放大器，其中，所述晶体管中的每个是异质结双极晶体管，所述异质结双极晶体管被配置为放大被输入到所述异质结双极晶体管的基极端子的输入信号，并且通过所述异质结双极晶体管的集电极端子输出所放大的信号。
14.根据权利要求12所述的功率放大器，其中，所述晶体管的发射极端子通过发射极线连接到地。
15.根据权利要求12所述的功率放大器，其中，所述功率放大器按照低功率模式来操作，在所述低功率模式中，所述偏置电力选择性地供应到所述第一晶体管和所述第二晶体管中的一者。
16.根据权利要求12所述的功率放大器，其中，所述晶体管通过连接到所述晶体管的基极端子的相应的镇流电阻器接收所述偏置电力。
17.根据权利要求12所述的功率放大器，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管交替地设置为形成所述第一晶体管和所述第二晶体管之间的对称排布。