1.一种输出开路保护电路，应用于可控硅调光LED驱动系统，其特征在于，所述输出开路保护电路包括电流输出控制模块、第一电容、第二电容以及第一比较器；
所述电流输出控制模块，输入端用于分别接收根据采样信息获取的分压、开路保护基准电压以及功率开关信号，输出端分别电性连接所述第一电容的第一端以及所述第二电容的第一端；
所述第一电容，第一端进一步电性连接所述第一比较器的正向输入端，第二端接地；
所述第二电容，第一端进一步电性连接所述第一比较器的反向输入端，第二端接地；
所述第一比较器，输出端用于输出开路保护判定信号；
其中，在所述功率开关信号为高电平时，所述电流输出控制模块控制所述分压产生电流为所述第一电容充电；在所述功率开关信号变为低电平时，所述电流输出控制模块停止为所述第一电容充电并控制所述开路保护基准电压产生电流为所述第二电容充电；当所述第二电容上的电压等于所述第一电容上的电压时，所述第一比较器输出高电平的开路保护判定信号，判定输出电压达到开路保护电压设定值并关断所述驱动系统的功率MOS管，实现输出开路保护；
所述输出开路保护电路根据采样信息，基于伏秒平衡原理获取输出电压，进而对输出电压进行判断以保持开路电压不变，从而实现输出开路保护，所述采样信息为包含输入电压的信息。
2.根据权利要求1所述的输出开路保护电路，其特征在于，所述采样信息为输入电压、输入电压与输出电压的和，或输入电压与输出电压的差三者其中之一。
3.根据权利要求1所述的输出开路保护电路，其特征在于，
在所述采样信息为输入电压时，基于伏秒平衡原理获取的输出电压为：
Vout＝Vin*Tonmax/Td；
在所述采样信息为输入电压与输出电压的和时，基于伏秒平衡原理获取的输出电压为：
Vout＝(Vin+Vout)*Tonmax/(Td+Tonmax)；
在所述采样信息为输入电压与输出电压的差时，基于伏秒平衡原理获取的输出电压为：
Vout＝(Vin-Vout)*Tonmax/(Td-Tonmax)；
其中，Vout为输出电压，Vin为输入电压，Tonmax为所述驱动系统的功率MOS管的预设最长导通时间，Td为所述驱动系统的励磁电感的退磁时间。
4.根据权利要求1所述的输出开路保护电路，其特征在于，所述电流输出控制模块进一步包括2选1选择器、单入单出V-I转换器以及1选2选择器；
所述2选1选择器，输入端分别接收所述分压、开路保护基准电压以及功率开关信号，输出端电性连接所述单入单出V-I转换器；
所述单入单出V-I转换器，输出端电性连接所述1选2选择器；
所述1选2选择器，输入端分别接收所述功率开关信号以及所述单入单出V-I转换器输出的电流，输出端分别电性连接所述第一电容的第一端以及所述第二电容的第一端；
其中，在所述功率开关信号为高电平时，所述2选1选择器选择所述分压作为输入，所述1选2选择器选择所述第一电容作为输出，以控制所述分压产生电流为所述第一电容充电；
在所述功率开关信号变为低电平时，所述2选1选择器选择所述开路保护基准电压作为输入，所述1选2选择器选择所述第二电容作为输出，以控制所述开路保护基准电压产生电流为所述第二电容充电。
5.根据权利要求1所述的输出开路保护电路，其特征在于，所述电流输出控制模块进一步包括第一单入单出V-I转换器以及第二单入单出V-I转换器；
所述第一单入单出V-I转换器，输入端分别接收所述分压以及功率开关信号，输出端电性连接所述第一电容的第一端；
所述第二单入单出V-I转换器，输入端分别接收所述开路保护基准电压以及功率开关信号，输出端电性连接所述第二电容的第一端；
其中，在所述功率开关信号为高电平时，所述第一单入单出V-I转换器将所述分压转换为相应的电流，以控制所述分压产生电流为所述第一电容充电；在所述功率开关信号变为低电平时，所述第二单入单出V-I转换器将所述开路保护基准电压转换为相应的电流，以控制所述开路保护基准电压产生电流为所述第二电容充电。
6.根据权利要求1所述的输出开路保护电路，其特征在于，所述电流输出控制模块进一步包括多进多出V-I转换器；
所述多进多出V-I转换器，输入端分别接收所述分压、开路保护基准电压以及功率开关信号，输出端分别电性连接所述第一电容的第一端以及所述第二电容的第一端；
其中，在所述功率开关信号为高电平时，所述多进多出V-I转换器将所述分压转换为相应的电流，以控制所述分压产生电流为所述第一电容充电；在所述功率开关信号变为低电平时，所述多进多出V-I转换器将所述开路保护基准电压转换为相应的电流，以控制所述开路保护基准电压产生电流为所述第二电容充电。
7.根据权利要求1所述的输出开路保护电路，其特征在于，在第N个电压采样周期开始时，所述功率开关信号为高电平，所述第一电容充电；所述功率开关信号变为低电平时，所述第二电容充电；所述功率开关信号再次变为高电平时，所述第一比较器比较所述第一电容与所述第二电容上的电压并输出开路保护判定信号，当所述第二电容上的电压等于所述第一电容上的电压时，所述第一比较器输出高电平的开路保护判定信号；所述功率开关信号再次变为低电平时，所述第一电容与所述第二电容均放电清零，之后进入第N+1个电压采样周期；其中，N为正整数。
8.一种可控硅调光LED驱动系统，包括可控硅调光器、驱动芯片以及LED灯串，其特征在于，
所述驱动系统进一步包括输入电压采样模块，所述输入电压采样模块分别电性连接所述驱动系统的输入电压端以及所述驱动芯片的OVP引脚，所述输入电压采样模块用于采样所述驱动系统的包含输入电压的信息，得到采样信息，并将所述采样信息送入所述驱动芯片；
所述驱动芯片内部进一步设有输出开路保护模块，所述输出开路保护模块分别电性连接所述驱动芯片的OVP引脚以及GATE引脚，所述输出开路保护模块根据所述采样信息，基于伏秒平衡原理获取输出电压，进而对输出电压进行判断以保持开路电压不变，从而实现输出开路保护。
9.根据权利要求8所述的驱动系统，其特征在于，所述采样信息为输入电压、输入电压与输出电压的和，或输入电压与输出电压的差三者其中之一。
10.根据权利要求9所述的驱动系统，其特征在于，所述输入电压采样模块包括：上分压电阻以及下分压电阻；
所述上分压电阻一端电性连接所述输入电压端，另一端电性连接所述下分压电阻的一端，同时电性连接所述驱动芯片的OVP引脚；
所述下分压电阻另一端接地。
11.根据权利要求10所述的驱动系统，其特征在于，
在所述采样信息为输入电压时，基于伏秒平衡原理获取的输出电压Vout为：
Vout＝Vin*Tonmax/Td；
根据所述采样信息获取的分压为：
Vovp＝Rovp2/(Rovp1+Rovp2)*Vin；
开路电压判定条件为：
Vovp*Tonmax＝Vref*Td；
从而可以得出：
Vout＝Vref*(1+Rovp1/Rovp2)；
即，在开路保护时，输出电压不受输入电压参数的影响；
其中，Vout为输出电压，Vin为输入电压，Tonmax为所述驱动系统的功率MOS管的预设最长导通时间，Td为所述驱动系统的励磁电感的退磁时间，Vovp为根据所述采样信息获取的分压，Vref为开路保护基准电压，Rovp1为所述输入电压采样模块的上分压电阻，Rovp2为所述输入电压采样模块的下分压电阻。
12.根据权利要求10所述的驱动系统，其特征在于，
在所述采样信息为输入电压与输出电压的和时，基于伏秒平衡原理获取的输出电压为：
Vout＝(Vin+Vout)*Tonmax/(Td+Tonmax)；
根据所述采样信息获取的分压为：
Vovp＝Rovp2/(Rovp1+Rovp2)*(Vin+Vout)；
开路电压判定条件为：
Vovp*Tonmax＝Vref*Td；
从而可以得出：
Vout＝Vref*(1+Rovp1/Rovp2)*Td/(Td+Tonmax)；
即，在开路保护时，输出电压不受输入电压参数的影响；
其中，Vout为输出电压，Vin为输入电压，Tonmax为所述驱动系统的功率MOS管的预设最长导通时间，Td为所述驱动系统的励磁电感的退磁时间，Vovp为根据所述采样信息获取的分压，Vref为开路保护基准电压，Rovp1为所述输入电压采样模块的上分压电阻，Rovp2为所述输入电压采样模块的下分压电阻。
13.根据权利要求10所述的驱动系统，其特征在于，
在所述采样信息为输入电压与输出电压的差时，基于伏秒平衡原理获取的输出电压为：
Vout＝(Vin-Vout)*Tonmax/(Td-Tonmax)；
根据所述采样信息获取的分压为：
Vovp＝Rovp2/(Rovp1+Rovp2)*(Vin-Vout)；
开路电压判定条件为：
Vovp*Tonmax＝Vref*Td；
从而可以得出：
Vout＝Vref*(1+Rovp1/Rovp2)*Td/(Td-Tonmax)；
即，在开路保护时，输出电压不受输入电压参数的影响；
其中，Vout为输出电压，Vin为输入电压，Tonmax为所述驱动系统的功率MOS管的预设最长导通时间，Td为所述驱动系统的励磁电感的退磁时间，Vovp为根据所述采样信息获取的分压，Vref为开路保护基准电压，Rovp1为所述输入电压采样模块的上分压电阻，Rovp2为所述输入电压采样模块的下分压电阻。
14.根据权利要求8所述的驱动系统，其特征在于，所述输出开路保护模块采用权利要求1、5、6、7中任意一项所述的输出开路保护电路。
15.根据权利要求8或10所述的驱动系统，其特征在于，所述驱动系统还包括过温降功率模块，
所述过温降功率模块一端电性连接至所述驱动芯片，另一端接地；所述过温降功率模块用于采样环境温度并输入至所述驱动芯片，以实现过温降功率。
16.根据权利要求15所述的驱动系统，其特征在于，所述过温降功率模块包括温度敏感元件。
17.根据权利要求16所述的驱动系统，其特征在于，所述温度敏感元件为NTC电阻，所述NTC电阻的过温降功率起始温度可调范围为：+/-3度。