一种单片集成声表面波滤波器组高频去耦封装结构的制作方法

本实用新型涉及一种单片集成声表面波滤波器组高频去耦封装结构，属于微电子器件封装技术领域。

背景技术：

声表面波滤波器利用制作在压电晶片表面的换能器结构激发和接收声表面波，完成电信号与声信号的转换，实现对电信号的滤波功能。单片集成声表面波滤波器组在同一压电基片上制作多个声表面波换能器结构，对应于不同信道，结合信道选通电路，实现信号识别、频率合成等信号处理功能。

现有技术和应用中的声表面波滤波器组由多个分立式封装的声表面波滤波器组成，而单片集成声表面波滤波器组采用单一封装结构，集成在单一芯片多个声表面波滤波器结构封装在同一封装体内，芯片表面各个信道激发的共生电磁波，在有限的封装体空间内形成反射、衍射以及侧向散射等，在相邻信道间产成一定程度的高频电磁耦合，导致信道间的信号串扰，影响声表面波滤波器组滤波信道的隔离特性。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于克服现有技术中的不足，提供了一种可有效抑制单一封装体内单片集成声表面波滤波器组芯片上各个声表面波滤波器结构间高频电磁耦合的单片集成声表面波滤波器组高频去耦封装结构。

本实用新型的目的是这样实现的，一种单片集成声表面波滤波器组高频去耦封装结构，其特征在于：包括单片集成声表面波滤波器组芯片、高频去耦金属底座、高频去耦金属封帽；

所述单片集成声表面波滤波器组芯片包括多个声表面波滤波器结构，声表面波滤波器结构与声表面波滤波器结构间隙处制作有接地金属条；

所述高频去耦金属底座的中部设有芯片粘接键合区，芯片粘接键合区两侧各制作有一个直立金属凸片；

所述高频去耦金属封帽的顶部内侧面制作有一组梳齿状倒立金属凸片，高频去耦金属封帽上最外侧两个倒立金属凸片与高频去耦金属底座上两个直立金属凸片相对，高频去耦金属封帽上最外侧两个倒立金属凸片之间的其它倒立金属凸片分别与单片集成声表面波滤波器组芯片上声表面波滤波器结构间隙处的各个接地金属条一一相对；

所述单片集成声表面波滤波器组芯片粘接于高频去耦金属底座的芯片粘接键合区上，高频去耦金属封帽盖于单片集成声表面波滤波器组芯片上， 且高频去耦金属封帽上最外侧两个倒立金属凸片与高频去耦金属底座上两个直立金属凸片接触，高频去耦金属封帽上最外侧两个倒立金属凸片之间的其它倒立金属凸片分别与单片集成声表面波滤波器组芯片上声表面波滤波器结构间隙处的各个接地金属条一一接触；所述高频去耦金属底座的高频去耦金属底座外沿与高频去耦金属封帽的高频去耦金属封帽凸沿固定连接。

所述高频去耦金属底座上直立金属凸片的长度等于金属底座的金属底座台面的宽度；所述高频去耦金属底座上直立金属凸片顶端与粘接在金属底座中部芯片粘接键合区的单片集成声表面波滤波器组芯片的顶面平齐。

所述高频去耦金属封帽顶部内侧面一组梳齿状倒立金属凸片的长度等于高频去耦金属封帽顶部内侧面的宽度；

所述高频去耦金属封帽顶部内侧面一组梳齿状倒立金属凸片中两侧的倒立金属凸片的高度使外侧两个倒立金属凸片能够与高频去耦金属底座上两个直立金属凸片对应接触，其余各个倒立金属凸片的高度能够使各个倒立金属凸片分别与单片集成声表面波滤波器组芯片上声表面波滤波器结构间隙处各个接地金属条对应接触。

所述高频去耦金属底座上设有金属底座插脚，单片集成声表面波滤波器组芯片上引有键合引线，键合引线一端与单片集成声表面波滤波器组芯片上的声表面波滤波器结构连接，另一端与高频去耦金属底座上的金属底座插脚内端顶面连接

本实用新型结构合理简单、生产制造容易、使用方便，通过本实用新型，一种单片集成声表面波滤波器组高频去耦封装结构，包括单片集成声表面波滤波器组芯片、高频去耦金属底座、高频去耦金属封帽；在单片集成声表面波滤波器组芯片上多个的声表面波滤波器结构之间制作接地金属条；在封装用金属底座的中部用于粘接和键合单片集成声表面波滤波器组芯片的芯片粘接键合区两侧各制作一个直立的金属凸片；直立金属凸片的长度取为高频去耦金属底座台面的宽度；直立金属凸片的高度取为使其顶端与粘接在金属底座芯片粘接键合区的单片集成声表面波滤波器组芯片的顶面平齐；在封装用金属封帽顶部内侧面制作一组梳齿状倒立金属凸片。梳齿状倒立金属凸片组中各个倒立金属凸片的位置取为：在封装完成后，其最外侧两个倒立金属凸片恰好与高频去耦金属底座上的两个直立金属凸片相对；其余中间各个倒立金属凸片恰好分别与制作在单片集成声表面波滤波器组芯片上声表面波滤波器换能器之间的各个接地金属条相对；上述梳齿状倒立金属凸片组中各个倒立金属凸片的长度取为高频去耦金属封帽顶部内侧面的宽度。

上述梳齿状倒立金属凸片组中各个倒立金属凸片的高度取为：在封装完成后，其最外侧两个倒立金属凸片恰好与高频去耦金属底座上的两个直立金属凸片对应相接触；其余中间各个倒立金属凸片恰好与制作在单片集成声表面波滤波器组芯片上声表面波滤波器换能器之间的各个接地金属条对应相接触。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型在构成单片集成声表面波滤波器组芯片封装体的金属底座和金属封帽上制作金属凸片结构，封装完成后，金属封帽上倒立的金属凸片与金属底座上直立的金属凸片以及单片集成声表面波滤波器组芯片上各个声表面波滤波器换能器之间的接地金属条相对应并相接触，将封装内腔分隔成多个对应于单片集成声表面波滤波器组芯片上各个滤波器信道的容腔，隔离各个声表面波滤波信道激发的共生电磁波的耦合，减小信道间高频信号的串扰，提高声表面波滤波器组各个滤波信道间的隔离度。

附图说明

图1是本实用新型的高频去耦封装结构的总体结构剖视图。

图2是本实用新型的高频去耦金属底座的结构侧视剖面图。

图3是本实用新型的高频去耦金属封帽的结构侧视剖面图。

图中：1单片集成声表面波滤波器组芯片、11声表面波滤波器结构、12接地金属条、2高频去耦金属底座、21芯片粘接键合区、22直立金属凸片、23金属底座台面、24高频去耦金属底座外沿、3高频去耦金属封帽、31倒立金属凸片、32高频去耦金属封帽凸沿、4键合引线、5金属底座插脚。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明：

一种单片集成声表面波滤波器组高频去耦封装结构，包括单片集成声表面波滤波器组芯片1、高频去耦金属底座2、高频去耦金属封帽3。

单片集成声表面波滤波器组芯片1包括多个声表面波滤波器结构11，声表面波滤波器结构11与声表面波滤波器结构11间隙处制作有接地金属条12。

在高频去耦金属底座2的中部设置芯片粘接键合区21，芯片粘接键合区21两侧各制作有一个直立金属凸片22。

在高频去耦金属封帽3的顶部内侧面制作有一组梳齿状倒立金属凸片31，高频去耦金属封帽3上最外侧两个倒立金属凸片31与高频去耦金属底座2上两个直立金属凸片22相对，高频去耦金属封帽3上最外侧两个倒立金属凸片31之间的其它倒立金属凸片31分别与单片集成声表面波滤波器组芯片1上声表面波滤波器结构11间隙处的各个接地金属条12一一相对。

单片集成声表面波滤波器组芯片1粘接于高频去耦金属底座2的芯片粘接键合区21上，高频去耦金属封帽3盖于单片集成声表面波滤波器组芯片1上，且高频去耦金属封帽3上最外侧两个倒立金属凸片31与高频去耦金属底座2上两个直立金属凸片22接触，高频去耦金属封帽3上最外侧两个倒立金属凸片31之间的其它倒立金属凸片31分别与单片集成声表面波滤波器组芯片1上声表面波滤波器结构11间隙处的各个接地金属条12一一接触；高频去耦金属底座2的高频去耦金属底座外沿24与高频去耦金属封帽3的高频去耦金属封帽凸沿32固定连接。

进一步的，高频去耦金属底座2上直立金属凸片22的长度等于金属底座2的金属底座台面23的宽度；高频去耦金属底座2上直立金属凸片22顶端与粘接在金属底座2中部芯片粘接键合区21的单片集成声表面波滤波器组芯片1的顶面平齐。

高频去耦金属封帽3顶部内侧面一组梳齿状倒立金属凸片31的长度等于高频去耦金属封帽3顶部内侧面的宽度；高频去耦金属封帽3顶部内侧面一组梳齿状倒立金属凸片31中两侧的倒立金属凸片31的高度使外侧两个倒立金属凸片31能够与高频去耦金属底座2上两个直立金属凸片22对应接触，其余各个倒立金属凸片31的高度能够使各个倒立金属凸片31分别与单片集成声表面波滤波器组芯片1上声表面波滤波器结构11间隙处各个接地金属条12对应接触。

在高频去耦金属底座2上设有金属底座插脚5，单片集成声表面波滤波器组芯片1上引有键合引线4，键合引线4一端与单片集成声表面波滤波器组芯片1连接，另一端与高频去耦金属底座2上的金属底座插脚5连接。

如图1、图2和图3所示，一种基于SF4封装套件的4信道单片集成声表面波滤波器组高频去耦封装结构的具体实施步骤为：

（1）制作4信道单片集成声表面波滤波器组芯片1，包括4个并列的声表面波滤波器结构11以及位于4个声表面波滤波器结构11上3个间隙处的接地金属条12；

（2）基于SF4封装套件的金属底座制作高频去耦金属底座2，在SF4金属底座中部芯片粘接键合区21的两侧各制作一个直立金属凸片22；

（3）上述直立金属凸片22的长度等于高频去耦金属底座2台面的宽度，直立金属凸片22的高度取为使其顶端与粘接在金属底座2芯片粘接键合区21的4信道单片集成声表面波滤波器组芯片1的顶面平齐；

（4）基于SF4封装套件的金属封帽制作高频去耦金属封帽3，在SF4金属封帽顶部内侧面制作一组5片的倒立金属凸片31，上述倒立金属凸片31在高频去耦金属封帽3顶部内侧面上的位置取为：

在封装完成后，其最外侧两个（第1和第5）倒立金属凸片31恰好与高频去耦金属底座2上的两个直立金属凸片22正对；

其余中间各个（第2、第3和第4）倒立金属凸片31恰好分别与单片集成声表面波滤波器组芯片1上的声表面波滤波器结构11间隙处的3个接地金属条12正对；

（5）上述倒立金属凸片组中各个倒立金属凸片（31）的长度取为高频去耦金属封帽（3）顶部内侧面的宽度；

（6）上述倒立金属凸片组中各个倒立金属凸片31的高度取为：

在封装完成后，金属凸片组中最外侧两个（第1和第5）倒立金属凸片31恰好与高频去耦金属底座2上两个直立金属凸片21对应相接触；

金属凸片组中其余中间各个（第2、第3和第4）倒立金属凸片31恰好分别与单片集成声表面波滤波器组芯片1上的声表面波滤波器结构11间隙处的3个接地金属条12对应相接触；

（7）在高频去耦金属底座2中部的芯片粘接键合区21粘接并引线4键合4信道单片集成声表面波滤波器组芯片1；

（8）采用高频封焊方法压合高频去耦金属底座外沿23和高频去耦金属封帽凸沿32，完成器件封装。

熟知本领域的人士将理解，虽然这里为了便于解释已描述了具体实施例，但是可在不背离本实用新型精神和范围的情况下做出各种改变。因此，除了所附权利要求之外，不能用于限制本实用新型。