1.一种双操作模式功率放大设备，包括：
功率放大电路，被配置为包括放大输入信号的单元放大器；
第一偏置电路，被配置为产生所述功率放大电路的第一偏置电流；
第二偏置电路，被配置为产生所述功率放大电路的第二偏置电流，所述第二偏置电流为独立于所述第一偏置电流的信号；
第一镇流电路，连接于所述第一偏置电路和所述功率放大电路之间，并且被配置为将所述第一偏置电流传输到所述功率放大电路；及
第二镇流电路，连接于所述第二偏置电路和所述功率放大电路之间，并且被配置为将所述第二偏置电流传输到所述功率放大电路。
2.根据权利要求1所述的双操作模式功率放大设备，其中，所述第一镇流电路被配置为包括第一高功率镇流电阻器，所述第二镇流电路被配置为包括第一低功率镇流电阻器。
3.根据权利要求2所述的双操作模式功率放大设备，其中，所述第一偏置电路包括：
彼此串联连接于第一操作电压端子和地之间的第一电流源、第一漏极电阻器、具有二极管接法的第一晶体管和第二晶体管以及第一接地电阻器；
第三晶体管，按照电流镜像结构连接于所述第一晶体管；及
第一电容器，连接于所述第三晶体管的栅极和地之间。
4.根据权利要求1所述的双操作模式功率放大设备，其中，所述第二偏置电路包括：
彼此串联连接于第二操作电压端子和地之间的第二电流源、第二漏极电阻器以及具有二极管接法的第四晶体管和第五晶体管；
第六晶体管，按照电流镜像结构连接到所述第四晶体管；及
第二电容器，连接于所述第六晶体管的栅极和地之间。
5.根据权利要求2所述的双操作模式功率放大设备，其中，所述第一镇流电路具有第一电阻值，所述第一电阻值被设置为在所述双操作模式功率放大设备的高功率操作模式期间使所述第一偏置电路和所述第二偏置电路彼此隔离。
6.根据权利要求1所述的双操作模式功率放大设备，其中，所述第二镇流电路具有第二电阻值，所述第二电阻值被设置为在所述双操作模式功率放大设备的低功率操作模式期间使所述第一偏置电路和所述第二偏置电路彼此隔离。
7.根据权利要求2所述的双操作模式功率放大设备，其中，所述第一镇流电路具有第一电阻值，所述第一电阻值被配置为在所述双操作模式功率放大设备的高功率操作模式期间将所述功率放大电路的相邻信道泄漏比保持在特定水平。
8.根据权利要求2所述的双操作模式功率放大设备，其中，所述第二镇流电路具有第二电阻值，所述第二电阻值被配置为在所述双操作模式功率放大设备的低功率操作模式期间将所述功率放大电路的相邻信道泄漏比保持在特定水平。
9.根据权利要求2所述的双操作模式功率放大设备，其中，所述第一镇流电路在所述双操作模式功率放大设备的高功率操作模式期间调节所述第一偏置电路和所述功率放大电路之间的所述第一偏置电流的量，并且
所述第二镇流电路在所述双操作模式功率放大设备的低功率操作模式期间调节所述第二偏置电路和所述功率放大电路之间的所述第二偏置电流的量。
10.一种双操作模式功率放大设备，包括：
功率放大电路，被配置为包括单元放大器，所述单元放大器分别被配置为放大输入信号，其中，所述单元放大器中的每个彼此并联连接；
第一偏置电路，被配置为产生所述功率放大电路的第一偏置电流；
第二偏置电路，被配置为产生所述功率放大电路的第二偏置电流，所述第二偏置电流为独立于所述第一偏置电流的信号；
第一镇流电路，包括高功率镇流电阻器，所述高功率镇流电阻器分别连接于所述第一偏置电路和所述单元放大器之间，并且所述第一镇流电路被配置为通过所述高功率镇流电阻器中的每个将所述第一偏置电流传输到所述单元放大器中的每个；及
第二镇流电路，包括低功率镇流电阻器，所述低功率镇流电阻器分别连接于所述第二偏置电路和所述单元放大器之间，并且所述第二镇流电路被配置为通过所述低功率镇流电阻器中的每个将所述第二偏置电流传输到所述单元放大器中的每个。
11.根据权利要求10所述的双操作模式功率放大设备，其中，所述第一偏置电路包括：
彼此串联连接于第一操作电压端子和地之间的第一电流源、第一漏极电阻器、具有二极管接法的第一晶体管和第二晶体管以及第一接地电阻器；
第三晶体管，按照电流镜像结构连接于所述第一晶体管；及
第一电容器，连接于所述第三晶体管的栅极和地之间。
12.根据权利要求10所述的双操作模式功率放大设备，其中，所述第二偏置电路包括：
串联连接于第二操作电压端子和地之间的第二电流源、第二漏极晶体管、具有二极管接法的第四晶体管和第五晶体管；
第六晶体管，按照电流镜像结构连接于所述第四晶体管；及
第二电容器，连接于所述第六晶体管的栅极和地之间。
13.根据权利要求10所述的双操作模式功率放大设备，其中，所述第一镇流电路和所述第二镇流电路具有相应的电阻值，所述相应的电阻值被设置为在所述双操作模式功率放大设备的高功率操作模式期间使所述单元放大器彼此隔离。
14.根据权利要求10所述的双操作模式功率放大设备，其中，所述第一镇流电路和所述第二镇流电路具有相应的电阻值，所述相应的电阻值被设置为在所述双操作模式功率放大设备的低功率操作模式期间使所述第一偏置电路和所述第二偏置电路彼此隔离。
15.根据权利要求10所述的双操作模式功率放大设备，其中，所述第一镇流电路具有第一电阻值，所述第一电阻值被配置为在所述双操作模式功率放大设备的高功率操作模式期间将所述功率放大电路的相邻信道泄漏比保持在特定水平。
16.根据权利要求10所述的双操作模式功率放大设备，其中，所述第二镇流电路具有第二电阻值，所述第二电阻值被配置为在所述双操作模式功率放大设备的低功率操作模式期间将所述功率放大电路的相邻信道泄漏比保持在特定水平。
17.根据权利要求10所述的双操作模式功率放大设备，其中，所述第一镇流电路在所述双操作模式功率放大设备的高功率操作模式期间调节所述第一偏置电路和所述功率放大电路之间的第一偏置电流的量，并且
所述第二镇流电路在所述双操作模式功率放大设备的低功率操作模式期间调节所述第二偏置电路和所述功率放大电路之间的第二偏置电流的量。
18.一种双操作模式功率放大设备，包括：
功率放大器，被配置为放大输入信号；
第一偏置电路，被配置为产生所述功率放大器的第一偏置电流；
第二偏置电路，被配置为产生所述功率放大器的第二偏置电流，所述第二偏置电流为独立于所述第一偏置电流的信号；
第一镇流电路，连接于所述第一偏置电路和所述功率放大器之间，并且被配置为在第一模式下将所述第一偏置电流传输到所述功率放大器；及
第二镇流电路，连接于所述第二偏置电路和所述功率放大器之间，并且被配置为在第二模式下将所述第二偏置电流传输到所述功率放大器。
19.根据权利要求18所述的双操作模式功率放大设备，其中，所述第一镇流电路和所述第二镇流电路包括电阻器。