误差放大器的制作方法

本发明涉及集成电路技术领域，尤其设计到误差放大器。

背景技术：

在电源芯片中，为了反映输出电压和基准电压的差值有效地控制输出电压，需要用误差放大器来对输出电压和基准电压的差值进行放大，误差放大器的特性直接关系到电源转换电路的效率和工作状态。

技术实现要素：

本发明旨在解决现有技术的不足，提供一种误差放大器。

误差放大器，包括第一电阻、第一pmos管、第二pmos管、第一pnp管、第二电阻、第二pnp管、第三电阻、第三pmos管、第一npn管、第四pmos管、第二npn管、第五pmos管、第一nmos管、第六pmos管、第二nmos管、第三nmos管、第三pnp管、第四nmos管、第四pnp管、第三npn管、第五nmos管、第四npn管、第六nmos管、第四电阻和第一电容：

所述第一电阻的一端接所述第一pmos管的栅极和漏极和所述第二pmos管的栅极和第三pmos管的栅极和所述第四pmos管的栅极和所述第五pmos管的栅极和所述第六pmos管的栅极，另一端接地；所述第一pmos管的栅极和漏极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第二pmos管的栅极和第三pmos管的栅极和所述第四pmos管的栅极和所述第五pmos管的栅极和所述第六pmos管的栅极，源极接电源电压vcc；所述第二pmos管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一pmos管的栅极和漏极和第三pmos管的栅极和所述第四pmos管的栅极和所述第五pmos管的栅极和所述第六pmos管的栅极，漏极接所述第一pnp管的发射极和所述第二pnp管的发射极，源极接电源电压vcc；所述第一pnp管的基极接反馈电压fb，集电极接所述第二电阻的一端和所述第一npn管的发射极，发射极接所述第二pmos管的漏极和所述第二pnp管的发射极；所述第二电阻的一端接所述第一pnp管的集电极和所述第一npn管的发射极，另一端接地；所述第二pnp管的基极接带隙基准电压vref，集电极接所述第三电阻的一端和所述第二npn管的发射极，发射极接所述第二pmos管的漏极和所述第一pnp管的发射极；所述第三电阻的一端接所述第二pnp管的集电极和所述第二npn管的发射极，另一端接地；所述第三pmos管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一pmos管的栅极和漏极和所述第二pmos管的栅极和所述第四pmos管的栅极和所述第五pmos管的栅极和所述第六pmos管的栅极，漏极接所述第一npn管的基极和集电极和所述第二npn管的基极，源极接电源电压vcc；所述第一npn管的基极和集电极接在一起再接所述第三pmos管的漏极和所述第二npn管的基极，发射极接所述第一pnp管的集电极和所述第二电阻的一端；所述第四pmos管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一pmos管的栅极和漏极和所述第二pmos管的栅极和第三pmos管的栅极和所述第五pmos管的栅极和所述第六pmos管的栅极，漏极接所述第二npn管的集电极和所述第二nmos管的栅极和所述第一电容的一端，源极接电源电压vcc；所述第二npn管的基极接所述第三pmos管的漏极和所述第一npn管的基极和集电极，集电极接所述第四pmos管的漏极和所述第二nmos管的栅极和所述第一电容的一端，发射极接所述第二pnp管的集电极和所述第三电阻的一端；所述第五pmos管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一pmos管的栅极和漏极和所述第二pmos管的栅极和第三pmos管的栅极和所述第四pmos管的栅极和所述第六pmos管的栅极，漏极接所述第一nmos管的栅极和漏极和所述第三nmos管的栅极和所述第四nmos管的栅极，源极接电源电压vcc；所述第一nmos管的栅极和漏极接在一起再接所述第五pmos管的漏极和所述第三nmos管的栅极和所述第四nmos管的栅极，源极接地；所述第六pmos管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一pmos管的栅极和漏极和所述第二pmos管的栅极和第三pmos管的栅极和所述第四pmos管的栅极和所述第五pmos管的栅极，漏极接所述第二nmos管的漏极，源极接电源电压vcc；所述第二nmos管的栅极接所述第四pmos管的漏极和所述第二npn管的集电极和所述第一电容的一端，漏极接所述第六pmos管的漏极，源极接所送第三nmos管的漏极和所述第五nmos管的栅极和所述第六nmos管的栅极；所述第三nmos管的栅极接所述第五pmos管的漏极和所述第一nmos管的栅极和漏极和所述第四nmos管的栅极，漏极接所述第二nmos管的源极和所述第五nmos管的栅极和所述第六nmos管的栅极，源极接地；所述第三pnp管的基极和集电极接在一起再接所述第四nmos管的漏极和所述第四pnp管的基极，发射极接电源电压vcc；所述第四nmos管的栅极接所述第五pmos管的漏极和所述第一nmos管的栅极和漏极和所述第二nmos管的栅极，漏极接所述第三pnp管的基极和集电极和所述第四pnp管的基极，源极接地；所述第四pnp管的基极接所述第四nmos管的漏极和所述第三pnp管的基极和集电极，集电极接所述第三npn管的基极和集电极和所述第四npn管的基极，发射极接电源电压vcc；所述第三npn管的基极和集电极接在一起再接所述第四pnp管的集电极和所述第四npn管的基极，发射极接所述第五nmos管的漏极；所述第五nmos管的栅极接所述第二nmos管的源极和所述第三nmos管的漏极和所述第六nmos管的栅极，漏极接所述第三npn管的发射极，源极接地；所述第四npn管的基极接所述第四pnp管的集电极和所述第三npn管的基极和集电极，集电极接电源电压vcc，发射极接所述第六nmos管的漏极和所述第四电阻并作为误差放大器的输出端comp；所述第六nmos管的栅极接所述第二nmos管的源极和所述第三nmos管的漏极和所述第五nmos管的栅极，漏极接所述第四npn管的发射极和所述第四电阻的一端，源极接地；所述第四电阻的一端接所述第四npn管的发射极和所述第六nmos管的漏极，另一端接所述第一电容的一端；所述第一电容的一端接所述第四电阻的一端，另一端接所述第四pmos管的漏极和所述第二npn管的集电极和所述第二nmos管的栅极。

所述第一电阻和所述第一pmos管构成偏置电流产生电路，所述第一pnp管、所述第二pnp管、所述第一npn管、所述第二npn管、所述第二电阻和所述第三电阻构成误差放大器的核心部分，构成误差放大器的第一级，第一级的输出是主极点；第二级存在高频零级点；第三级的输出电阻较小，所以为次主极点。

附图说明

图1为本发明的误差放大器的电路图。

图2为本发明的误差放大器的ac仿真图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明内容进一步说明。

误差放大器，如图1所示，包括第一电阻101、第一pmos管102、第二pmos管103、第一pnp管104、第二电阻105、第二pnp管106、第三电阻107、第三pmos管108、第一npn管109、第四pmos管110、第二npn管111、第五pmos管112、第一nmos管113、第六pmos管114、第二nmos管115、第三nmos管116、第三pnp管117、第四nmos管118、第四pnp管119、第三npn管120、第五nmos管121、第四npn管122、第六nmos管123、第四电阻124和第一电容125：

所述第一电阻101的一端接所述第一pmos管102的栅极和漏极和所述第二pmos管103的栅极和第三pmos管108的栅极和所述第四pmos管110的栅极和所述第五pmos管112的栅极和所述第六pmos管114的栅极，另一端接地；所述第一pmos管102的栅极和漏极接在一起再接所述第一电阻101的一端和所述第二pmos管103的栅极和第三pmos管108的栅极和所述第四pmos管110的栅极和所述第五pmos管112的栅极和所述第六pmos管114的栅极，源极接电源电压vcc；所述第二pmos管103的栅极接所述第一电阻101的一端和所述第一pmos管102的栅极和漏极和第三pmos管108的栅极和所述第四pmos管110的栅极和所述第五pmos管112的栅极和所述第六pmos管114的栅极，漏极接所述第一pnp管104的发射极和所述第二pnp管106的发射极，源极接电源电压vcc；所述第一pnp管104的基极接反馈电压fb，集电极接所述第二电阻105的一端和所述第一npn管109的发射极，发射极接所述第二pmos管103的漏极和所述第二pnp管106的发射极；所述第二电阻105的一端接所述第一pnp管104的集电极和所述第一npn管109的发射极，另一端接地；所述第二pnp管106的基极接基准电压vref，集电极接所述第三电阻107的一端和所述第二npn管111的发射极，发射极接所述第二pmos管103的漏极和所述第一pnp管104的发射极；所述第三电阻107的一端接所述第二pnp管106的集电极和所述第二npn管111的发射极，另一端接地；所述第三pmos管108的栅极接所述第一电阻101的一端和所述第一pmos管102的栅极和漏极和所述第二pmos管103的栅极和所述第四pmos管110的栅极和所述第五pmos管112的栅极和所述第六pmos管114的栅极，漏极接所述第一npn管109的基极和集电极和所述第二npn管111的基极，源极接电源电压vcc；所述第一npn管109的基极和集电极接在一起再接所述第三pmos管108的漏极和所述第二npn管111的基极，发射极接所述第一pnp管104的集电极和所述第二电阻105的一端；所述第四pmos管110的栅极接所述第一电阻101的一端和所述第一pmos管102的栅极和漏极和所述第二pmos管103的栅极和第三pmos管108的栅极和所述第五pmos管112的栅极和所述第六pmos管114的栅极，漏极接所述第二npn管111的集电极和所述第二nmos管115的栅极和所述第一电容125的一端，源极接电源电压vcc；所述第二npn管111的基极接所述第三pmos管108的漏极和所述第一npn管109的基极和集电极，集电极接所述第四pmos管110的漏极和所述第二nmos管115的栅极和所述第一电容125的一端，发射极接所述第二pnp管106的集电极和所述第三电阻107的一端；所述第五pmos管112的栅极接所述第一电阻101的一端和所述第一pmos管102的栅极和漏极和所述第二pmos管103的栅极和第三pmos管108的栅极和所述第四pmos管110的栅极和所述第六pmos管114的栅极，漏极接所述第一nmos管113的栅极和漏极和所述第三nmos管116的栅极和所述第四nmos管118的栅极，源极接电源电压vcc；所述第一nmos管113的栅极和漏极接在一起再接所述第五pmos管112的漏极和所述第三nmos管116的栅极和所述第四nmos管118的栅极，源极接地；所述第六pmos管114的栅极接所述第一电阻101的一端和所述第一pmos管102的栅极和漏极和所述第二pmos管103的栅极和第三pmos管108的栅极和所述第四pmos管110的栅极和所述第五pmos管112的栅极，漏极接所述第二nmos管115的漏极，源极接电源电压vcc；所述第二nmos管115的栅极接所述第四pmos管110的漏极和所述第二npn管111的集电极和所述第一电容125的一端，漏极接所述第六pmos管114的漏极，源极接所送第三nmos管116的漏极和所述第五nmos管121的栅极和所述第六nmos管123的栅极；所述第三nmos管116的栅极接所述第五pmos管112的漏极和所述第一nmos管113的栅极和漏极和所述第四nmos管118的栅极，漏极接所述第二nmos管115的源极和所述第五nmos管121的栅极和所述第六nmos管123的栅极，源极接地；所述第三pnp管117的基极和集电极接在一起再接所述第四nmos管118的漏极和所述第四pnp管119的基极，发射极接电源电压vcc；所述第四nmos管118的栅极接所述第五pmos管112的漏极和所述第一nmos管113的栅极和漏极和所述第二nmos管116的栅极，漏极接所述第三pnp管117的基极和集电极和所述第四pnp管119的基极，源极接地；所述第四pnp管119的基极接所述第四nmos管118的漏极和所述第三pnp管117的基极和集电极，集电极接所述第三npn管120的基极和集电极和所述第四npn管122的基极，发射极接电源电压vcc；所述第三npn管120的基极和集电极接在一起再接所述第四pnp管119的集电极和所述第四npn管122的基极，发射极接所述第五nmos管121的漏极；所述第五nmos管121的栅极接所述第二nmos管115的源极和所述第三nmos管116的漏极和所述第六nmos管123的栅极，漏极接所述第三npn管120的发射极，源极接地；所述第四npn管122的基极接所述第四pnp管119的集电极和所述第三npn管120的基极和集电极，集电极接电源电压vcc，发射极接所述第六nmos管123的漏极和所述第四电阻124并作为误差放大器的输出端comp；所述第六nmos管123的栅极接所述第二nmos管115的源极和所述第三nmos管116的漏极和所述第五nmos管121的栅极，漏极接所述第四npn管122的发射极和所述第四电阻124的一端，源极接地；所述第四电阻124的一端接所述第四npn管122的发射极和所述第六nmos管123的漏极，另一端接所述第一电容125的一端；所述第一电容125的一端接所述第四电阻124的一端，另一端接所述第四pmos管110的漏极和所述第二npn管111的集电极和所述第二nmos管115的栅极。

所述第一电阻101和所述第一pmos管102构成偏置电流产生电路，所述第一pnp管104、所述第二pnp管106、所述第一npn管109、所述第二npn管111、所述第二电阻105和所述第三电阻107构成误差放大器的核心部分，构成误差放大器的第一级，第一级的输出是主极点；第二级存在高频零级点；第三级的输出电阻较小，所以为次主极点。误差放大器ac仿真图如图2所示，仿真结果表明，开环增益为96db,主极点在460hz处，相位裕度为80度，带宽为3.77mhz。

对上述所提供的实施方式的说明，仅是本发明的优选实施方式的说明，对本技术领域的技术人员来说能够根据以上说明进行实现或使用本发明。应当指出，对于本技术领域的技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，任何不超出本发明实质精神范围内的发明创造，应视为本发明的保护范围。