一种高速低功耗的比较器电路的制作方法

本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种高速低功耗的比较器电路。

背景技术：

比较器电路是集成电路系统的重要模块，比较器电路主要实现电压的比较功能，广泛应用于振荡器，时钟缓冲电路以及adc电路等。

图1为一种传统的cmos比较器结构，其基本思路是在比较阶段利用nmos管m1与nmos管m2作为输入管，将比较器输入电压转化为电流，送入动态锁存电路，最后经过反相器输出比较结果。但是该电路的输入级nmos管m1与nmos管m2与动态锁存电路的输出相连，使得在比较完成之后，电路形成一个稳定的电流通路，所以功耗较大。

技术实现要素：

本发明旨在解决以上现有技术的问题。提出了一种低延迟、低功耗的高速低功耗的比较器电路。本发明的技术方案如下：

一种高速低功耗的比较器电路，其包括：输入管(1)、偏置管(2)、动态锁存电路(3)、重置管(4)及反相器(5)，所述反相器(5)包括反相器i1以及反相器i2，其中，所述输入管(1)的信号输出端连接于偏置管(2)以及动态锁存器电路(3)之间，所述动态锁存器电路(3)的输出端连接所述反相器i1以及反相器i2的输入端，最后在所述反相器i1以及反相器i2的输出端产生比较器的输出结果；

所述输入管(1)在比较器比较阶段，将输入电压信号转换为电流信号，所述偏置管(2)在比较器比较阶段生成稳定的电流偏置，所述动态锁存电路(3)在比较器比较阶段将输入电流信号的差值扩大并转化为电压信号，所述重置管(4)在比较器重置状态将比较器输出电压置低位，所述反相器(5)将动态锁电路的电压信号取反输出并提供一个大负载能力。

进一步的，所述输入管(1)包括nmos管m1及nmos管m2，所述偏置管(2)包括nmos管m3及nmos管m4，所述动态锁存电路(3)包括nmos管m5、nmos管m6、pmos管m7及pmos管m8，所述重置管(4)包括pmos管m9及pmos管m10，所述反相器(5)包括反相器i1以及反相器i2，其中nmos管m1的源极与外部地线gnd相连，nmos管m1的漏极分别与nmos管m3的漏极以及nmos管m5的源极相连，nmos管m1的栅极与比较器的输入端(in+)相连，nmos管m2的源极与外部地线gnd相连，nmos管m2的漏极分别与nmos管m4的漏极以及nmos管m6的源极相连，nmos管m2的栅极与比较器的输入端(in-)相连，nmos管m3的源极与外部地线gnd相连，nmos管m3的栅极分别与nmos管m4的栅极、pmos管m9的栅极、pmos管m10的栅极以及外部控制信号clk相连，nmos管m4的源极与外部地线gnd相连,nmos管m5的漏极分别与pmos管m7的漏极、pmos管m9的漏极、pmos管m8的栅极、nmos管m6的栅极以及反相器i1的输入端相连，nmos管m5的栅极分别与nmos管m6的漏极、pmos管m8的漏极、pmos管m10的漏极、pmos管m7的栅极以及反相器i2的输入端相连，pmos管m7的源极分别与pmos管m8的源极、pmos管m9的源极、pmos管m10的源极、pmos管m7的衬底(pmos管衬底都接vdd，避免衬底偏置效应)、pmos管m8的衬底、pmos管m9的衬底、pmos管m10的衬底以及外部电源vdd相连，nmos管m1的衬底分别与nmos管m2的衬底(nmos管的衬底都接gnd，避免衬底偏置效应)、nmos管m3的衬底、nmos管m4的衬底、nmos管m5的衬底、nmos管m6的衬底以及外部地线gnd相连，反相器i1的输出端与比较器的输出端(out+)相连，反相器i2的输出端与比较器的输出端(out-)相连。

进一步的，当clk为低电位时，pmos管m9与pmos管m10导通，nmos管m3与nmos管m4截止，比较器两端均输出低电位，实现重置功能；当clk为高电位时，pmos管m9与pmos管m10截止，nmos管m3与nmos管m4导通并提供一个较大的直流偏置，此时比较器两端输入(in+,in-)不等的电压，分别通过nmos管m1以及nmos管m2，将电压放大并转换为电流，电流通过nmos管m5、nmos管m6、pmos管m7以及pmos管m8，再次扩大差值，并转换为电压，最后通过反向器i1以及反相器i2输出一个互补的电压信号，实现电压比较。

进一步的，当clk为为低电位时，比较器两端输出低电位；当clk为高电位时，当比较器输入端in+的电位高于in-时，比较器输出端out+输出高电位，输出端out-输出低电位，当比较器输入端in-的电位高于in+时，比较器输出端out-输出高电位，输出端out+输出低电位。

进一步的，该比较器电路具有锁存功能，当比较器输出互补信号之后，在clk的电位保持高电位不变的情况下，改变比较器输入端的信号，不会改变比较器的输出信号。

本发明的优点及有益效果如下：

本发明通过提供一种高速低功耗的比较器电路，对比传统比较器电路(图1)，将nmos管m1与nmos管m2的输出分别接到nmos管m3与nmos管m5和nmos管m5与nmos管m6之间，实现输入级(nmos管m1与nmos管m2)与动态锁存(nmos管m5、nmos管m6、pmos管m7以及pmos管m8)输出级分离，并且去掉了传统比较器(图1)中的nmos管m10以及反相器i3，降低了电路的复杂度，并且减少了nmos管m10提供的偏置之后，有效的降低了功耗。从而实现一种高速低功耗的比较器电路。

附图说明

图1是传统的比较器电路原理图；

图2为本发明提供优选实施例的一种高速低功耗的比较器电路原理图；

图3为本发明提供优选实施例的一种高速低功耗的比较器的延时仿真图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、详细地描述。所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例。

本发明解决上述技术问题的技术方案是：

本申请实施例中通过nmos管将输入电压转化为电流，通过nmos管m3、nmos管m4、nmos管m5以及nmos管m6，将输入电流输入动态锁存电路，并转化为电流，期间实现，输入级与动态锁存输出级的分离，实现高速低功耗的比较器。

为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式，对上述技术方案进行详细说明。

实施例

一种高阶温度补偿的带隙基准电路，如图2所示，包括输入管(1)、偏置管(2)、动态锁存电路(3)、重置管(4)、反相器(5)；

其中，所述比较器电路，所述输入管的信号输出端接所述偏置管以及所述动态锁存器电路之间，所述动态锁存器电路的输出端接所述反相器的输入端，最后在所述反相器的输出端产生比较器的输出结果

作为一种优选的技术方案，如图2所示，所述比较器电路包括：nmos管m1、nmos管m2、nmos管m3、nmos管m4、nmos管m5、nmos管m6、pmos管m7、pmos管m8、pmos管m9、pmos管m10、反相器i1以及反相器i2，其中nmos管m1的源极与外部地线gnd相连，nmos管m1的漏极分别与nmos管m3的漏极以及nmos管m5的源极相连，nmos管m1的栅极与比较器的输入端(in+)相连，nmos管m2的源极与外部地线gnd相连，nmos管m2的漏极分别与nmos管m4的漏极以及nmos管m6的源极相连，nmos管m2的栅极与比较器的输入端(in-)相连，nmos管m3的源极与外部地线gnd相连，nmos管m3的栅极分别与nmos管m4的栅极、pmos管m9的栅极、pmos管m10的栅极以及外部控制信号clk相连，nmos管m4的源极与外部地线gnd相连,nmos管m5的漏极分别与pmos管m7的漏极、pmos管m9的漏极、pmos管m8的栅极、nmos管m6的栅极以及反相器i1的输入端相连，nmos管m5的栅极分别与nmos管m6的漏极、pmos管m8的漏极、pmos管m10的漏极、pmos管m7的栅极以及反相器i2的输入端相连，pmos管m7的源极分别与pmos管m8的源极、pmos管m9的源极、pmos管m10的源极、pmos管m7的衬底、pmos管m8的衬底、pmos管m9的衬底、pmos管m10的衬底以及外部电源vdd相连，nmos管m1的衬底分别与nmos管m2的衬底、nmos管m3的衬底、nmos管m4的衬底、nmos管m5的衬底、nmos管m6的衬底以及外部地线gnd相连，反相器i1的输出端与比较器的输出端(out+)相连，反相器i2的输出端与比较器的输出端(out-)相连。

所述比较器电路中反相器i1以及反相器i2是现有技术。

进一步的，所述比较器电路中，当clk为为低电位时，比较器两端输出低电位；当clk为高电位时，当比较器输入端in+的电位高于in-时，比较器输出端out+输出高电位，输出端out-输出低电位，当比较器输入端in-的电位高于in+时，比较器输出端out-输出高电位，输出端out+输出低电位。该比较器电路具有锁存功能，当比较器输出互补信号之后，在clk的电位保持高电位不变的情况下，改变比较器输入端的信号，不会改变比较器的输出信号。

图3为本发明的高速低功耗比较器的延时特性仿真曲线，其中横坐标为时间t，纵坐标为电压v。仿真结果显示，在输入in+为912.5mv，in-为887.5mv的情况下，以高电位达到vdd/2为标准，时间仅需37.6ps,功耗为223.8uw。

本申请的上述实施例中，一种高速低功耗的比较器电路，包括输入管、偏置管、动态锁存电路、重置管、反相器。本申请实施例利用nmos管将电压转化为电流，并直接将电流输入动态锁存器，从而降低延迟，将输入级与动态锁存输出级分离，从而降低功耗，动态锁存器输出端接反相器增加负载能力，实现clk高电位时比较功能，利用pmos管m9以及pmos管m10在clk低电位时，实现比较器复位功能。

以上这些实施例应理解为仅用于说明本发明而不用于限制本发明的保护范围。在阅读了本发明的记载的内容之后，技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等效变化和修饰同样落入本发明权利要求所限定的范围。