本实用新型涉及一种工业微波设备，具体地说是一种微波抑制板。
背景技术：
工业上常把多个箱型微波加热器串接起来组成隧道式微波加热设备，在设备的两端设置物料的出入口，由于高效率的工业化生产使得出入口的尺寸往往较大，这就产生了出入口的尺寸与微波能泄露之间的矛盾。工业微波设备中，限制微波泄露是很关键的环节。我国规定的微波炉的工业微波泄漏量为，在距离设备5厘米处，微波功率≤1Mw/cm2（915MHZ）。
一般微波设备的出入口处大多采用截止波导式漏能抑制器，1/4波长波导槽抑制器来防止微波泄露，这些方法的缺点在于，只对几个高次模进行了抑制，防泄漏能力较差，体积庞大。
抑制微波泄露有很多的方法，根据不同的原理可分为电抗性漏能抑制器，电阻性漏能抑制器和屏蔽式漏能抑制器中。电抗性漏能抑制器根据抑制器形状有梳状板式和1/4波长波导槽式等抑制器；电阻性漏能抑制器根据吸收材料有角堆式泡沫材料、硅橡胶材料、液态水等抑制器。屏蔽式漏能抑制器有放微波炉门和防微波布帘门等抑制器。
而食品工业要求被加工的食品原料不能受到干燥过程的污染，因此，对微波能泄露的抑制就有了更高的要求。
技术实现要素：
本实用新型的技术任务是针对以上不足之处，提供一种结构简单、生产成本低吸收微波泄露效果好的一种微波抑制板。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种微波抑制板，包括反射区和位于反射区后侧的吸收区，所述的反射区为多个抑制块组成，所述的吸收区由抑制片组成，反射区位于距离微波发生源较近的一端。
进一步，优选的结构为，所述的吸收区的后侧配置有保护区，所述的保护区由抑制块组成。
进一步，优选的结构为，所述的反射区与吸收区之间配置有缓冲区，所述的缓冲区由前端的抑制片和后端的抑制块组成。
进一步，优选的结构为，所述的反射区的抑制块的宽度随着距离微波发生源距离的增大而递减。
进一步，优选的结构为，所述的反射区的抑制块的宽度为50-150mm。
进一步，优选的结构为，所述的抑制块为钣金折弯而成，所述的抑制片由吸收材料制成。
进一步，优选的结构为，所述的抑制片间的距离为40mm。
进一步，优选的结构为，所述的抑制块与抑制片间的距离为10-50 mm。
进一步，优选的结构为，所述的抑制块的材质为铝金属，所述的吸收材料由石墨和沥青制成。
进一步，优选的结构为，所述的微波抑制板的外侧包覆有防尘布，所述的防尘布为四氟布。
本实用新型的一种微波抑制板和现有技术相比，既包含电抗性漏能抑制部分又包括电阻性漏能抑制部分，组合方式对各次模的微波进行了全面抑制，防泄漏能力好。
附图说明
下面结合附图对本实用新型进一步说明。
附图1为一种微波抑制板的结构示意图。
附图2为实施例2中一种微波抑制板的结构示意图。
其中：
1、反射区；2、吸收区；3、保护区；4、缓冲区。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“前端”、“后端”等的指示的方位或者位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
实施例1：
本实用新型的一种微波抑制板，其结构包括，包括反射区1和位于反射区1后侧的吸收区2，所述的反射区1为多个抑制块组成，所述的吸收区2由抑制片组成，反射区1位于距离微波发生源较近的一端。进一步，所述的反射区1的抑制块的宽度为50mm。
所述的抑制块为钣金折弯而成，所述的抑制片由吸收材料制成。
进一步，优选的结构为，所述的抑制片间的距离为40mm。
进一步，优选的结构为，所述的抑制块与抑制片间的距离为10mm。
进一步，所述的抑制块的材质为铝金属，所述的吸收材料由石墨和沥青制成。所述的微波抑制板的外侧包覆有防尘布，所述的防尘布为四氟布。
实施例2：
本实用新型的一种微波抑制板，其结构包括，包括反射区1和位于反射区1后侧的吸收区2，所述的反射区1为多个抑制块组成，所述的吸收区2由抑制片组成，反射区1位于距离微波发生源较近的一端。所述的反射区1的抑制块的宽度随着距离微波发生源距离的增大而递减。
进一步，所述的反射区的抑制块的宽度为150mm。
进一步，优选的结构为，所述的抑制块为钣金折弯而成，所述的抑制片由吸收材料制成。
进一步，优选的结构为，所述的抑制片间的距离为40mm。
由电磁场辐射理论可知，当切断（诸如，在波导上开槽或者开孔，又或者是加热器箱体周围的接缝不严密等）壁面电流的通路时，将引起波导内能量向外辐射。利用这个特性，常在波导壁上适当位置开槽或开孔，以达到微波能量激励或耦合轼能。对于各特定的场型模式，在端口的宽边上加上一组短路波导槽（抗流片、柱），其长度为该模式的1/4波长，可使微波能量传播呈现开路状态。对于1/4长波导槽抑制器，应首先确定传输模式及其截止波长：
由波导传输理论可知，波导中波型只有TE波和TM波，空矩形波导的TEmn各TMmn模式截止波长由式（1）求解：λe=2/
式中：a—输入、输出口截面尺寸的宽度；b—输入、输出口截面尺寸的高度。
再根据公式进一步计算输入、输出通道中所能传输的各模式的波导波长
λgmn的求解公式为：λgmn=λ0
因为我们实验用的微波干燥设备一般备采用2450MHz的频率，所以式中的求解，由式（1）计算：λ0=c/¦
其中c=3×108m/s，可知λ0= c/f= =122.4mm；
以现有生产设备为例，计算出波导中各模式相应的波长数值以及其截止波长，设备的输入、输出口截面尺寸的宽度a=410mm，高度b=120mm。计算的结果如表1。由于在实际应用中通道常被物料部分填表充，因此所得估算数据应作适当修正。为分析简便起见，作空波导近似处理。
如果限不同的波导波长λg组面一系列λg/4深度的波导槽，可对不同的模式进行衰减，起到抑制漏能作用，但根据设备实际输入、输出口的情况，只能选择小于40mm的波导槽。
进一步，优选的结构为，所述的抑制块与抑制片间的距离为50 mm。
进一步，所述的抑制块的材质为铝金属，所述的吸收材料由石墨和沥青制成。所述的微波抑制板的外侧包覆有防尘布，所述的防尘布为四氟布。
实施例3：
本实用新型的一种微波抑制板，其结构包括，包括反射区1和位于反射区1后侧的吸收区2，所述的反射区1为多个抑制块组成，所述的吸收区2由抑制片组成，反射区1位于距离微波发生源较近的一端。所述的反射区1的抑制块的宽度随着距离微波发生源距离的增大而递减。为了进一步的增强微波抑制效果，所述的反射区1与吸收区2之间配置有缓冲区4，所述的缓冲区4由前端的抑制片和后端的抑制块组成。
进一步，所述的反射区的抑制块的宽度为100mm。
进一步，优选的结构为，所述的抑制块为钣金折弯而成，所述的抑制片由吸收材料制成。
进一步，优选的结构为，所述的抑制片间的距离为40mm。
进一步，优选的结构为，所述的抑制块与抑制片间的距离为30 mm。
进一步，所述的抑制块的材质为铝金属，所述的吸收材料由石墨和沥青制成。所述的微波抑制板的外侧包覆有防尘布，所述的防尘布为四氟布。
实施例4：
本实用新型的一种微波抑制板，其结构包括，包括反射区1和位于反射区1后侧的吸收区2，所述的反射区1为多个抑制块组成，所述的吸收区2由抑制片组成，反射区1位于距离微波发生源较近的一端。所述的反射区1的抑制块的宽度随着距离微波发生源距离的增大而递减。为了进一步的增强微波抑制效果，所述的反射区1与吸收区2之间配置有缓冲区4，所述的缓冲区4由前端的抑制片和后端的抑制块组成。所述的吸收区2的后侧配置有保护区3，所述的保护区3由抑制块组成。
进一步，所述的反射区的抑制块的宽度为100mm。
进一步，优选的结构为，所述的抑制块为钣金折弯而成，所述的抑制片由吸收材料制成。
进一步，优选的结构为，所述的抑制片间的距离为40mm。
进一步，优选的结构为，所述的抑制块与抑制片间的距离为30 mm。
进一步，所述的抑制块的材质为铝金属，所述的吸收材料由石墨和沥青制成。所述的微波抑制板的外侧包覆有防尘布，所述的防尘布为四氟布。
使用ML-91微波漏能测试仪进行检测，ML-91微波漏能测试仪中设定了国家规定的泄露阙值为1Mw/cm2，此时微波生产线微波源全开高火档，测量时，测量设备距端口小于等于5cm。用检测仪器实时监测微波生产线的泄漏量，符合国家规定标准。
通过上面具体实施方式，所述技术领域的技术人员可容易的实现本实用新型。但是应当理解，本实用新型并不限于上述的几种具体实施方式。在公开的实施方式的基础上，所述技术领域的技术人员可任意组合不同的技术特征，从而实现不同的技术方案。