1.一种温度感应芯片，其特征在于，包括：硅基基材(1)，所述硅基基材(1)上制作有2个以上的导电孔(11)；所述硅基基材(1)的一面制作有热敏电路(2)，所述热敏电路(2)的至少一个端部与一个所述导电孔(11)连通。
2.如权利要求1所述温度感应芯片，其特征在于，
所述热敏电路(2)只有温度感应电路，放大采样、逻辑处理及校准都由MCU处理；或，
所述硅基基材(1)上还制作有放大采样电路，所述放大采样电路的信号输入端连接所述热敏电路(2)的信号输出端，所述放大采样电路输出模拟信号给MCU处理；或，
所述硅基基材(1)上还制作有放大采样电路和AD采样电路，所述放大采样电路的信号输入端连接所述热敏电路(2)的信号输出端，所述放大采样电路的信号输出端连接所述AD采样电路的信号输入端，所述AD采样电路输出数字信号给MCU，逻辑处理及校准都由MCU处理；或，
所述硅基基材(1)上还制作有放大采样电路、AD采样电路、逻辑处理和校准存储电路，所述放大采样电路的信号输入端连接所述热敏电路(2)的信号输出端，所述放大采样电路的信号输出端连接所述AD采样电路的信号输入端，所述AD采样电路的信号输出端连接所述逻辑处理和校准存储电路的信号输入端，所述校准存储电路输出准确数值给MCU处理。
3.如权利要求1所述温度感应芯片，其特征在于，所述硅基基材(1)的不含所述热敏电路(2)的一面植入有焊球(01)，所述焊球(01)位于所述导电孔(11)的底部；
所述热敏电路(2)为铂、钼、钨或热敏陶瓷电阻材料。
4.如权利要求1所述温度感应芯片，其特征在于，所述硅基基材(1)上还制作有2个以上的通孔(12)，各个所述通孔(12)位于所述热敏电路(2)的一面通过封孔焊盘(3)封住。
5.如权利要求4所述温度感应芯片，其特征在于，所述硅基基材(1)上设置有用于渐次烧开融化各个所述封孔焊盘(3)的电路。
6.如权利要求5所述温度感应芯片，其特征在于，所述封孔焊盘(3)具有不同的厚度；或，所述封孔焊盘(3)使用不同的材料制作；或，所述封孔焊盘(3)具有不同的熔断电流。
7.如权利要求5所述温度感应芯片，其特征在于，所述硅基基材(1)上包括多个温度感应芯片单元，每个温度感应芯片单元包括：一组聚乙烯醇缩丁醛电极和Na+传感器电极、聚乙烯醇缩丁醛电极和K+传感器电极、一组Ag/AgCl电极和葡萄糖传感器电极和一组Ag/AgCl电极和葡萄糖传感器电极。
8.如权利要求7所述温度感应芯片，其特征在于，所述硅基基材(1)上设置有多道从所述硅基基材(1)的中心部位向边部螺旋式延伸的旋涂液堤坝(13)；
注入电极溶液时，相邻的两条旋涂液堤坝(13)之间的通道的中心部位滴入电极溶液，使用旋涂的方式将各种电极溶液分别注入有对应的通孔(12)。
9.一种温度感应电路，其特征在于，包括电路板(5)和温度感应芯片单元(4)，所述温度感应芯片单元(4)通过封装胶封装于所述电路板(5)上；
所述温度感应芯片单元(4)设置有热敏电路(2)、导电孔(11)和焊球(01)，所述热敏电路(2)和焊球(01)分别位于所述温度感应芯片单元(4)的两个面上，所述热敏电路(2)通过所述导电孔(11)连接所述焊球(01)；
所述温度感应芯片单元(4)通过所述焊球(01)焊接在所述电路板(5)的焊盘上，所述温度感应芯片单元(4)通过封装胶固定在所述电路板(5)上；
所述焊球(01)的周部，所述温度感应芯片单元(4)的侧部设置有封装胶，所述热敏电路(2)漏在所述封装胶的外表面。
10.如权利要求9所述温度感应电路，其特征在于，所述热敏电路(2)的周侧设置有封装胶凹槽(6)，所述封装胶凹槽(6)与所述温度感应芯片单元(4)的侧部连通；所述封装胶凹槽(6)内的封装胶与所述温度感应芯片单元(4)侧部的封装胶一体式设置。