本实用新型涉及音频处理技术，具体是指一种晶体管直流耦合放大电路。
背景技术：
音频处理技术多用到放大电路，以图1所示的一个二级的直流耦合放大电路为例：
电阻R1是三极管Q1的集电极负载电阻，同时也是三极管Q2的输入电阻，因此电阻R1的电压降就是三极管Q2的偏置电压b-v；三极管Q2所需的偏置电压b-v值等于三极管Q2的发射极e上电阻R2的电压降加上三极管Q2的基极b和发射极e的导通电压。
众所周知，硅三极管的b-e结等于一个二极管，二极管的导通电压约为0.6V.也就是三极管Q2的b-e结导通电压为0.6V；电阻R2为三极管Q2放大级的自反馈电阻，其阻值越大反馈量越大，而三极管Q2放大级增益越低。因此电阻R2的取值不会是高阻值，一般在数百欧姆或一百欧姆，甚至是一百欧姆以下。
以图1为例的二级放大直流耦合电路，现设电阻R2为100欧姆，三极管Q2的工作电流3mA，三极管Q2的工作电流等于R2的工作电流。根据欧姆定律，电阻R2的电压降等于0.3V，已知三极管Q2的b-e结导通电压0.6V，得知三极管Q2的偏置电压b-v为0.9V。如前所述，电阻R1的电压降就是三极管Q2的偏置电压，又从电路原理得知电阻R1的工作电流等于三极管Q1放大级的工作电流。现设三极管Q1放大级工作电流为1mA，又知三极管Q2的偏置电压为0.9V，根据欧姆定律得知电阻R1为900欧姆。因此很明显，电阻R1的电阻值受三极管Q2的偏置电压b-v约束。
作为三极管Q2的放大级输入电阻，900欧姆的电阻R1是一个低阻抗的输入；作为三极管Q1的集电极负载电阻，900欧姆的电阻R1对于小电流、小信号的三极管Q1而言是一个重负载。因此，采用上述的设定条件时，在如图1的电路图中，只能选择900欧姆的电阻R1作为负载，并且没有其它选择。
然而，在部分音响设计领域中，高阻抗输入、低阻抗输出是理想的放大电路，图1所示的二级放大直流耦合电路显然不能满足此类需求。
技术实现要素：
本实用新型的目的是弥补现有技术的不足，提供一种特别适用于音响设计领域的一种晶体管直流耦合放大电路。
为了实现上述目的，本实用新型采用了如下的技术方案。
一种晶体管直流耦合放大电路，包括作为第一放大级的三极管Q1和作为第二放大级的三极管Q2，还包括电阻R1、电阻R2、主电源V1、辅助电源V2；辅助电原V2一端和主电源V1串联，另一端和电阻R1一端连接，电阻R1另一端和三极管Q1的集电极、三极管Q2的基极分别连接，三极管Q2的发射极和电阻R2一端连接，电阻R2另一端和主电源V1连接，三极管Q1的集电极通过电阻R1连接辅助电源V2以提升三极管Q2的偏置电压b-v以及三极管Q2的输入阻抗。
作为上述技术方案的一种改进，辅助电源V2和主电源V1异极性串联。
作为上述技术方案的另一种改进，辅助电源V2和主电源V1同极性连接，两者之间通过稳压电路连接以使辅助电源V2与主电源V1保持稳定值，辅助电源V2经过稳压电路和电阻R1一端连接。
进一步的，该稳压电路为依次串联于辅助电源V2和主电源V1之间的电阻R和稳压二极管D,辅助电源V2经过电阻R之后与电阻R1连接。
作为上述技术方案的再一种改进，三极管Q2的发射极还和一个三极管Q的基极连接，三极管Q的发射极通过电阻R2与主电源V1连接。
进一步的，三极管Q是单个晶体三极管，或者是一个同极性连接的达林顿三极管。
可选的，晶体管直流耦合放大电路应用于晶体三极管功率放大器中。
可选的，晶体管直流耦合放大电路应用于场效应晶体三极管直流耦合放大电路。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于：
辅助电源提升了第二放大级的b-v电压，通过辅助电源实现了二级放大直流耦合电路的高阻抗输入、低阻抗输出的独特电路效果，而且不同电压的辅助电源还可以得到不同阻抗的第二放大级输入阻抗，实用性高，应用范围广。
下面结合说明书附图和具体实施方式对本实用新型做进一步说明。
附图说明
图1是传统的二级放大直流耦合电路的电路原理示意图。
图2是本实用新型的实施例一的电路原理示意图。
图3是本实用新型的实施例二的电路原理示意图。
图4是本实用新型的实施例三的电路原理示意图。
具体实施方式
本实用新型主要提供一种晶体管直流耦合放大电路，应用于晶体三极管功率放大器，或应用于场效应晶体三极管直流耦合放大电路中。
【实施例一】
如图2所示，一种晶体管直流耦合放大电路，包括作为第一放大级的三极管Q1和作为第二放大级的三极管Q2，还包括电阻R1、电阻R2、主电源V1、辅助电源V2；辅助电原V2一端和主电源V1串联，另一端和电阻R1一端连接，电阻R1另一端和三极管Q1的集电极、三极管Q2的基极分别连接，三极管Q2的发射极和电阻R2一端连接，电阻R2另一端和主电源V1连接，三极管Q1的集电极通过电阻R1连接辅助电源V2以提升三极管Q2的偏置电压b-v以及三极管Q2的输入阻抗。
其中，辅助电源V2和主电源V1异极性串联。
【实施例二】
如图3所示，一种晶体管直流耦合放大电路，包括作为第一放大级的三极管Q1和作为第二放大级的三极管Q2，还包括电阻R1、电阻R2、主电源V1、辅助电源V2；辅助电原V2一端和主电源V1串联，另一端和电阻R1一端连接，电阻R1另一端和三极管Q1的集电极、三极管Q2的基极分别连接，三极管Q2的发射极和电阻R2一端连接，电阻R2另一端和主电源V1连接，三极管Q1的集电极通过电阻R1连接辅助电源V2以提升三极管Q2的偏置电压b-v以及三极管Q2的输入阻抗。
其中，辅助电源V2一端和主电源V1一端同极性连接，两者另一端通过稳压电路连接以使辅助电源V2与主电源V1保持稳定值，辅助电源V2经过稳压电路和电阻R1一端连接。
较佳的，该稳压电路为依次串联于辅助电源V2和主电源V1之间的电阻R和稳压二极管D,辅助电源V2经过电阻R之后与电阻R1连接。
【实施例三】
如图4所示，一种晶体管直流耦合放大电路，包括作为第一放大级的三极管Q1和作为第二放大级的三极管Q2，还包括电阻R1、电阻R2、主电源V1、辅助电源V2；辅助电原V2一端和主电源V1串联，另一端和电阻R1一端连接，电阻R1另一端和三极管Q1的集电极、三极管Q2的基极分别连接，三极管Q2的发射极和电阻R2一端连接，电阻R2另一端和主电源V1连接，三极管Q1的集电极通过电阻R1连接辅助电源V2以提升三极管Q2的偏置电压b-v以及三极管Q2的输入阻抗。
较佳的，三极管Q2的发射极还和一个三极管Q的基极连接，三极管Q的发射极通过电阻R2与主电源V1连接。
进一步的，三极管Q是单个晶体三极管，或者是一个同极性连接的达林顿三极管。
上述各实施例在主电源V1上叠加了辅助电源V2，用以提升第二放大级的b-v电压，通过辅助电源V2实现了二级放大直流耦合电路的高阻抗输入、低阻抗输出的独特电路效果，而且不同电压的辅助电源V2可以适配不同值的电阻R1，因此作为第二放大级的三极管Q2可以得到不同的输入阻抗，实用性更高，应用范围更广。
在上述各实施例中，设定其电路参数与背景技术相同，即：电阻R2为100欧姆，三极管Q2电流为3mA，三极管Q1电流为1mA，叠加辅助电源V2前三极管Q2的b-v电压为0.9V。
若辅助电源V2采用10V的电压，或者辅助电源V2经过稳压电路在主电源V1之上以使辅助电源V2与主电源V1保持一个稳定值稳定在10V，那么叠加辅助电源V2后，三极管Q2的b-v电压升到10.9V。又已知三极管Q1电流是1mA，R1的工作电流等于三极管Q1的工作电流，根据欧姆定律得知，电阻R1适配的电阻值为10.9千欧姆，与背景技术中电路没有辅助电源V2相比电，三极管Q2的输入阻抗提升10倍有余。
在上述各实施例中，辅助电源V2可以是一个独立的电源变压器，或者是变压器上的独立绕组，或者是在主电源V1变压器绕组采用倍压整流获得。
在上述各实施例中，其所述的三极管Q1、三极管Q2、三极管Q均可采用场效应管，场效应管的栅极、源极、漏极分别与硅三极管的基极、发射极、集电极相对应。
对于本领域的技术人员来说，可根据本实用新型所揭示的结构和原理获得其它各种相应的改变以及变形，而所有的这些改变以及变形都属于本实用新型的保护范畴。