1.一种Ka波段高性能高功率放大器芯片，其特征在于，包括第一阻抗匹配网络、第一级放大器、第二阻抗匹配网络、第二级放大器、第三阻抗匹配网络、第三级放大器、第四阻抗匹配网络、所述第一阻抗匹配网络、第一级放大器、第二阻抗匹配网络、第二级放大器、第三阻抗匹配网络、第三级放大器、第四阻抗匹配网络依次串联连接，所述第一级放大器、第二级放大器、第三级放大器的输入端和输出端均分别设有栅极偏置电路、漏极偏置电路，所述第一级放大器、第二级放大器、第三级放大器均由多个场效应管并联连接后构成，所述第一阻抗匹配网络的输入端与外电路的输出端相连，所述第四阻抗匹配网络的输出端与外电路的输入端相连。
2.根据权利要求1所述的一种Ka波段高性能高功率放大器芯片，其特征在于，所述栅极偏置电路包括电阻R1(1)、电感L1(2)，所述电阻R1(1)和电感L1(2)串联连接，电感L1(2)的下端与放大器的输入端相连，电阻R1(1)的上端接Vg端，所述电阻R1(1)和电感L1(2)之间的线路上设有电容C2(4)，所述电容C2(4)的左端接地，所述电阻R1(1)与Vg端连接的线路上设有电容C1(3)，所述电容C1(3)的右端接地。
3.根据权利要求1所述的一种Ka波段高性能高功率放大器芯片，其特征在于，所述漏极偏置电路包括微带线M1(5)、微带线M2(6)，所述微带线M1(5)和微带线M2(6)串联连接，微带线M1(5)的上端接Vd端，微带线M2(6)的下端接各级放大器的输出端，所述微带线M1(5)和微带线M2(6)之间的线路上设有电容C4(8)，电容C4(8)的左端接地，所述微带线M1(5)与Vd端连接的线路上设有电容C3(7)，所述电容C3(7)的右端接地。
4.根据权利要求1所述的一种Ka波段高性能高功率放大器芯片，其特征在于，所述第一阻抗匹配网络包括微带线M11(9)、微带线M12(10)、电容C13(11)、微带线M13(12)、微带线M14(13)，所述微带线M11(9)、微带线M12(10)、电容C13(11)、微带线M13(12)、微带线M14(13)依次串联连接，所述微带线M11(9)、微带线M12(10)之间的连接线路上设有电容C11(14)，所述电容C11(14)的下端接地，所述微带线M13(12)、微带线M14(13)之间连接的线路上设有电容C12(15)，所述电容C12(15)的下端接地，所述微带线M11(9)的左端连接外电路的输出端，微带线M14(13)的右端连接第一级放大器的输入端。
5.根据权利要求1所述的一种Ka波段高性能高功率放大器芯片，其特征在于，所述第二阻抗匹配网络包括微带线M21(16)、微带线M22(17)、微带线M25(18)、电容C24(19)、微带线M26(20)、微带线M27(21)，所述微带线M21(16)、微带线M22(17)、微带线M25(18)、电容C24(19)、微带线M26(20)、微带线M27(21)依次串联连接，所述微带线M21(16)、微带线M22(17)之间的连接线路上设有电容C21(24)，所述电容C21(24)的下端接地，所述微带线M22(17)、微带线M25(18)之间的连接线路上设有微带线M23(22)、微带线M24(25)，所述微带线M23(22)的上端设有电容C23(23)，微带线M24(25)的下端设有电容C22(26)，所述微带线M23(22)的下端、微带线M24(25)的上端均连接在微带线M22(17)和微带线M25(18)之间的线路上，所述电容C23(23)的上端、电容C22(26)的下端均接地，所述微带线M26(20)、微带线M27(21)之间的连接线路上设有电容C25(27)，所述电容C25(27)的下端接地，所述微带线M21(16)的左端连接第一级放大器的输出端，所述微带线M27(21)的右端连接第二级放大器的输入端。
6.根据权利要求1所述的一种Ka波段高性能高功率放大器芯片，其特征在于，所述第三阻抗匹配网络包括微带线M31(28)、微带线M32(29)、微带线M34(30)、电容C33(31)、微带线M35(32)、微带线M36(33)，所述微带线M31(28)、微带线M32(29)、微带线M34(30)、电容C33(31)、微带线M35(32)、微带线M36(33)依次串联连接，所述微带线M31(28)、微带线M32(29)之间的连接线路上设有电容C31(34)，所述电容C31(34)下端接地，所述微带线M32(29)、微带线M34(30)之间的连接线路上设有微带线M33(35)，所述微带线M33(35)的下端设有电容C32(36)，所述电容C32(36)的下端接地，所述微带线M35(32)、微带线M36(33)之间连接的线路上设有电容C34(37)，所述电容C34(37)下端接地，所述微带线M31(28)的左端连接第二级放大器的输出端，所述微带线M36(33)的右端连接第三级放大器的输入端。
7.根据权利要求1所述的一种Ka波段高性能高功率放大器芯片，其特征在于，所述第四阻抗匹配网络包括微带线M41(39)、微带线M42(40)、微带线M44(41)、电容C43(42)、微带线M45(43)，所述微带线M41(39)、微带线M42(40)、微带线M44(41)、电容C43(42)、微带线M45(43)依次串联连接，所述微带线M41(39)、微带线M42(40)之间的连接线路上设有电容C41(44)，所述电容C41(44)下端接地，所述微带线M42(40)、微带线M44(41)之间的连接线路上设有微带线M43(45)，所述微带线M43(45)的下端设有电容C42(46)，所述电容C42(46)下端接地，所述微带线M41(39)的左端连接第三级放大器的输出端，所述微带线M45(43)的右端连接外电路的输入端。
8.根据权利要求1所述的一种Ka波段高性能高功率放大器芯片，其特征在于，所述第一级放大器包括4个场效应管，4个场效应管并联连接，所述第二级放大器包括8个场效应管，8个场效应管并联连接，所述第三级放大器包括16个场效应管，16个场效应管并联连接。
9.根据权利要求2至3任意一项所述的一种Ka波段高性能高功率放大器芯片，其特征在于，所述电容C1(3)、电容C2(4)、电容C3(7)均为高频去耦电容。