一种导电块的双层法覆铜板的制作方法

文档序号:19468344发布日期:2019-12-20 21:36阅读:462来源:国知局
一种导电块的双层法覆铜板的制作方法

本实用新型涉及覆铜板领域,尤其涉及一种导电块的双层法覆铜板。



背景技术:

覆铜板由木浆纸或玻纤布等作增强材料,浸以树脂,单面或双面覆以铜箔,经热压而成的一种产品,是电子工业的基础材料,主要用于加工制造印制电路板,传统的双层法覆铜板在使用时,由于覆铜板的强度不佳,在使用时容易发生折断的问题影响了覆铜板的使用寿命,同时,覆铜板的热学、电学和机械性能不佳,影响了双层法覆铜板的使用。



技术实现要素:

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种导电块的双层法覆铜板。

为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:

一种导电块的双层法覆铜板,包括基体,所述基体的上下表面均开设有第一粘结腔,且基体的上下表面均通过对应所述第一粘结腔铺设有纳米陶瓷粉末,位于顶部的所述纳米陶瓷粉末远离相邻所述第一粘结腔的上表面和位于底部的所述纳米陶瓷粉末远离相邻所述第一粘结腔的下表面均开设有第二粘结腔,且纳米陶瓷粉末通过第二粘结腔设置有石墨烯片,两组所述石墨烯片相互远离的外表面位置均固定安装有铜箔,两组所述铜箔相互远离的外表面均开设有两组导电纹路。

优选的,所述第一粘结腔和第二粘结腔的内部均填充有胶黏剂。

优选的,一组所述石墨烯片固定安装在对应所述纳米陶瓷粉末的上表面,另一组所述石墨烯片固定安装在对应所述纳米陶瓷粉末的下表面。

优选的,两组所述铜箔在竖直方向上平行分布,且铜箔的横截面和基体的横截面面积一致。

优选的,两组所述导电纹路以对应所述铜箔的横轴线对称方分布在前后侧位置。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:

本实用新型中,通过设置纳米陶瓷粉末使得覆铜板材料的强度、韧性和超塑性大幅度提高,避免了覆铜板在使用时发生折断的问题,延长了覆铜板的使用寿命,石墨烯片因而具有优良的导电和光学性能,提高了覆铜板的热学、电学和机械性能;

综上,覆铜板的强度得到增强,可避免覆铜板在使用时发生折断的问题使得覆铜板的使用寿命延长,同时,覆铜板的热学、电学和机械性能较好。

附图说明

图1为本实用新型提出的一种导电块的双层法覆铜板的结构示意图;

图2为本实用新型提出的一种导电块的双层法覆铜板的俯视图。

图中:1基体、2第一粘结腔、3纳米陶瓷粉末、4第二粘结腔、5胶黏剂、6石墨烯片、7铜箔、8导电纹路。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。

参照图1-2,一种导电块的双层法覆铜板,包括基体1,基体1作为覆铜板的基板结构,构成覆铜板的承重体,基体1的上下表面均开设有第一粘结腔2,且基体1的上下表面均通过对应第一粘结腔2铺设有纳米陶瓷粉末3,纳米陶瓷粉末3使得覆铜板材料的强度、韧性和超塑性大幅度提高,避免了覆铜板在使用时发生折断的问题,延长了覆铜板的使用寿命,位于顶部的纳米陶瓷粉末3远离相邻第一粘结腔2的上表面和位于底部的纳米陶瓷粉末3远离相邻第一粘结腔2的下表面均开设有第二粘结腔4,第一粘结腔2和第二粘结腔4作为覆铜板的粘结结构,且纳米陶瓷粉末3通过第二粘结腔4设置有石墨烯片6,石墨烯片6因而具有优良的导电和光学性能,提高了覆铜板的热学、电学和机械性能,两组石墨烯片6相互远离的外表面位置均固定安装有铜箔7,铜箔7构成覆铜板的表层结构,两组铜箔7相互远离的外表面均开设有两组导电纹路8,导电纹路8用于连接电路。

第一粘结腔2和第二粘结腔4的内部均填充有胶黏剂5,一组石墨烯片6固定安装在对应纳米陶瓷粉末3的上表面,另一组石墨烯片6固定安装在对应纳米陶瓷粉末3的下表面,两组铜箔7在竖直方向上平行分布,且铜箔7的横截面和基体1的横截面面积一致,两组导电纹路8以对应铜箔7的横轴线对称方分布在前后侧位置。

工作原理:基体1作为覆铜板的基板结构,构成覆铜板的承重体,第一粘结腔2和第二粘结腔4作为覆铜板的粘结结构,内部填充的胶黏剂5紧密连接相邻部件,构成覆铜板的内部结构,纳米陶瓷粉末3使得覆铜板材料的强度、韧性和超塑性大幅度提高,避免了覆铜板在使用时发生折断的问题,延长了覆铜板的使用寿命,石墨烯片6因而具有优良的导电和光学性能,提高了覆铜板的热学、电学和机械性能,铜箔7构成覆铜板的表层结构,导电纹路8用于连接电路,本实用新型中,覆铜板的强度得到增强,可避免覆铜板在使用时发生折断的问题使得覆铜板的使用寿命延长,同时,覆铜板的热学、电学和机械性能较好。

以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

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