1.一种电子部件，其特征在于，具备：
支承构件，以硅为主成分；
压电膜，直接或者间接地设置在所述支承构件上；和
idt电极，包含相互隔离地排列设置的多个电极指，设置在所述压电膜的主面，
在将由所述idt电极的电极指间距规定的弹性波的波长设为λ的情况下，所述支承构件的厚度方向上的所述压电膜的膜厚为3.5λ以下，
所述支承构件具有：
高杂质浓度区域，包含杂质；和
低杂质浓度区域，与所述高杂质浓度区域相比杂质的浓度低，
所述低杂质浓度区域与所述压电膜以及所述idt电极一起构成弹性波元件，所传播的体波的声速与在所述压电膜传播的弹性波的声速相比为高速，
所述高杂质浓度区域构成半导体元件，与所述低杂质浓度区域相比远离所述压电膜。
2.根据权利要求1所述的电子部件，其特征在于，
所述压电膜的所述主面与所述高杂质浓度区域之间的距离为40λ以上。
3.根据权利要求1或2所述的电子部件，其特征在于，
所述厚度方向上的所述低杂质浓度区域的厚度为10λ以上且180μm以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的电子部件，其特征在于，
还具备：低声速膜，设置在所述支承构件与所述压电膜之间，所传播的体波的声速与在所述压电膜传播的体波的声速相比为低速。
5.根据权利要求4所述的电子部件，其特征在于，
所述低声速膜由氧化硅形成。
6.根据权利要求4或5所述的电子部件，其特征在于，
所述低声速膜的膜厚为2λ以下。