1.一种显示装置，其特征在于，包括：
显示区域，其具备设置有多个晶体管的tft层、设置有多个发光元件的发光元件层和密封层；以及
边框区域，其位于所述显示区域的周围，
所述发光元件包含：第一电极、以露出所述第一电极的方式设置开口并覆盖所述第一电极的端部的边缘罩、功能层和第二电极，
第一氢吸附膜与所述边缘罩接触并设置于所述边缘罩的上层，
在相邻的发光元件中，所述第一氢吸附膜与所述晶体管重叠，且隔着所述边缘罩与所述相邻的发光元件的所述第一电极重叠，并以横跨所述相邻的发光元件的方式设置。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第一氢吸附膜以至少横跨相邻的颜色相同的发光元件的方式形成。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，
所述第一氢吸附膜形成为具有所述边缘罩的开口并且在所述第一电极的边缘之间具有开口。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第一氢吸附膜以横跨相邻的不同颜色的所述发光元件的方式形成。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
所述第一氢吸附膜的开口形成为大于所述边缘罩的开口。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第一氢吸附膜在不同颜色的所述发光元件中分别形成为直线状。
7.根据权利要求1至5中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第一氢吸附膜在两个相邻的颜色相同的所述发光元件中分别形成为岛状。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
在所述边框区域中，第二氢吸附膜以包围所述显示区域并重叠于所述第二电极的方式形成，且与所述第二电极电连接。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
在所述边框区域中，以包围所述显示区域的方式在平坦化膜中形成有槽，
在所述槽中，形成有与所述第一电极为同一层并且由同一材料形成的导电膜，所述导电膜隔着所述第二氢吸附膜与所述第二电极电连接。
10.根据权利要求8或9所述的显示装置，其特征在于，
在所述边框区域中，以重叠于所述第二氢吸附膜的方式形成有控制电路。
11.根据权利要求8至10中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第一氢吸附膜与所述第二氢吸附膜之间未电连接。
12.根据权利要求1至11中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
在所述显示区域中，形成有与所述边缘罩为同一层并且由同一材料形成的第一光电间隔物，在所述第一光电间隔物上形成有所述第一氢吸附膜。
13.根据权利要求8至11中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
在所述边框区域中，形成有与所述边缘罩为同一层并且由同一材料形成的第二光电间隔物，在所述第二光电间隔物上形成有所述第二氢吸附膜。
14.根据权利要求1至13中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第一氢吸附膜由氢吸附金属构成。
15.根据权利要求8至11中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第二氢吸附膜由氢吸附金属构成。
16.根据权利要求14或15所述的显示装置，其特征在于，
所述氢吸附金属为ti、zr、pd或mg。
17.根据权利要求1至16中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第一氢吸附膜的厚度为100nm以上且200nm以下。
18.根据权利要求8至11中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第二氢吸附膜的厚度为100nm以上且200nm以下。
19.根据权利要求1至18中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述tft层中的晶体管使用氧化物半导体来形成。
20.根据权利要求1至19中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述tft层中的晶体管为驱动晶体管。