一种精密对位电镀凸台的制作方法与流程

本发明属于电路板制作技术领域，涉及一种电路板，尤其涉及一种电路板的精密对位电镀凸台的制作方法。

背景技术：

随着技术的不断进步，对电子产品的功能要求越来越高。电路板在制备过程中需要制作凸台，现有的凸点制作方法包括印刷、电镀、喷射等，相比较，电镀法具有工艺简单、成本低、易于批量生产、凸点一致性好等优点，常规的工艺步骤为：加成线路完成→退膜→再次压膜、曝光、显影→电镀凸台→退膜、退铜。在制备过程中，再次压膜，对位凸台的位置和底部线路位置的一致性要求较高，不可以偏位，此处有二个难点：一、如果对位公差加大，有两个方案：1、凸台的尺寸变小，这样凸台的直径减小，电镀凸台时的精度、均匀性变差，且太小不利于后续工序加工；2、底部线路宽度加大，针对精密线路，本来布线空间就很小，无法进一步缩小。二、如果偏位，凸台会电镀到线路之间，使两个线路之间的间距减小，影响网络之间的绝缘值，而且凸台顶端不平，影响凸台表面的有效面积及平整性。因此常规工艺制备凸台的对位公差一般＜±30um，需要借助高精密的设备进行制作，且生产效率较低。

因此，需要研发出一种工艺简单、生产效率高的精密对位电镀凸台的制作方法来满足生产的需要。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题是提供一种工艺简单、精度高的精密对位电镀凸台的制作方法。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种精密对位电镀凸台的制作方法，其特征在于包括以下步骤：

1)完成加成线路；

2)不退膜，直接压膜；

3)对需要电镀区域曝光、显影；

4)电镀凸台；

5)退膜、退铜，即完成凸台的制作。

作为改进，所述步骤1)的加成线路的制备具体为：

a、先在覆铜的基板表面压膜；

b、对需要电镀区域进行曝光、显影；

c、电镀图形布线。

进一步，所述步骤b的曝光是对非电镀区域的干膜进行感光处理，显影是去掉电镀区域的干膜。

进一步，所述步骤3)的曝光是对非电镀区域的干膜进行感光处理，显影是去掉电镀区域的干膜。

进一步，所述步骤4)的电镀凸台是指焊盘左右直接利用第一次的干膜开窗再次做图形电镀。

最后，所述步骤5)的退膜是指去掉感光后的二次干膜。

与现有技术相比，本发明的优点在于：加成线路完成后不退膜，直接压膜后对需要电镀区域的凸台直接曝光，此时的曝光公差在±100μm左右，普通设备和工艺即可满足；电镀凸台时，焊盘左右直接利用第一次的干膜开窗再次做图形电镀，这样不会存在二次对位公差，凸台与底部焊盘尺寸1:1对接。本发明制作工艺简单、易操作，解决了传统电镀凸台对位困难、易偏位、精度无法保证的问题，制作凸台精细可控，加工精度较高，同时也大大提高了生产效率。

附图说明

图1是本发明提供的完成加成线路后的结构侧视图；

图2是图1的侧视图；

图3是图1的俯视图；

图4是对图1产品不退膜直接压膜并经曝光、显影后的结构侧视图；

图5是对图4的侧视图；

图6是图4电镀凸台后的结构侧视图；

图7是图4的俯视图；

图8是产品电镀凸台后经曝光、显影后的结构侧视图；

图9是图8的侧视图。

具体实施方式

以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。

如图1～9所示，一种精密对位电镀凸台的制作方法，包括以下步骤：

1)完成加成线路：

a、先在覆铜的基板1表面压一层干膜2；

b、对需要电镀区域进行曝光、显影；曝光是对非电镀区域的干膜2进行感光处理，显影是去掉电镀区域的干膜2；

c、电镀图形布线3；最后如图1、图2、图3；

2)不退膜，直接压一层干膜4；

3)对需要电镀区域a进行曝光、显影；曝光是对非电镀区域的干膜4进行感光处理，显影是去掉电镀区域a的干膜4，如图4，图5；

4)电镀凸台5，焊盘左右直接利用第一次的干膜2开窗再次做图形电镀，如图6；

5)退膜、退铜，即完成凸台的制作，其中退膜是指去掉感光后的二次干膜2和4，如图8、图9。

原理是这样的：加成线路完成后不退膜，直接压膜后对需要电镀区域a的凸台5直接曝光，此时的曝光公差在±100μm左右，普通设备和工艺即可满足；电镀凸台5时，焊盘左右直接利用第一次的干膜2开窗再次做图形电镀，这样不会存在二次对位公差，凸台5与底部焊盘尺寸1:1对接。

结论：本发明解决了传统电镀凸台对位困难、易偏位、精度无法保证的问题，制作凸台精细可控，加工精度较高，同时也大大提高了生产效率。

技术特征：

技术总结
一种精密对位电镀凸台的制作方法，包括以下步骤：1)完成加成线路；2)不退膜，直接压膜；3)对需要电镀区域曝光、显影；4)电镀凸台；5)退膜、退铜，即完成凸台的制作。本发明制作工艺简单、易操作，解决了传统电镀凸台对位困难、易偏位、精度无法保证的问题，制作凸台精细可控，加工精度较高，同时也大大提高了生产效率。

技术研发人员：张成立;徐光龙;王强
受保护的技术使用者：宁波华远电子科技有限公司
技术研发日：2019.07.15
技术公布日：2019.11.08