1.一种振荡器，其特征在于，其包括rc振荡器(10)及带隙基准源(30)；
所述带隙基准源(30)为所述rc振荡器(10)提供基准电流；
所述带隙基准源(30)输出基准电流的温度系数可调。
2.根据权利要求1所述的振荡器，其特征在于，
rc振荡器(10)、带隙基准源(30)在同一衬底上。
3.根据权利要求1所述的振荡器，其特征在于，
所述带隙基准源(30)输出基准电流的温度系数与rc振荡器(10)输出振荡频率的温度系数相反。
4.根据权利要求1所述的振荡器，其特征在于，
所述rc振荡器(10)、带隙基准源(30)均为采用cmos工艺制造的半导体器件。
5.根据权利要求1所述的振荡器，其特征在于，
所述带隙基准源(30)包括运算放大器、第一pmos管(m1)、第二pmos管(m2)、第三pmos管(m3)、第一pnp三极管(q1)、第二pnp三极管(q2)、第一电阻(r1)、第二电阻(r2)及第三电阻(r3)；
第一电阻(r1)、第二电阻(r2)的阻值可调；
运算放大器的输出接第一pmos管(m1)、第二pmos管(m2)及第三pmos管(m3)的栅极；
第一pmos管(m1)、第二pmos管(m2)及第三pmos管(m3)的源端同接工作电压；
第一pmos管(m1)漏端、第一pnp三极管(q1)发射极同接所述运算放大器的正输入端；
第一电阻(r1)接在所述运算放大器的正输入端同地之间；
第二pmos管(m2)漏端接所述运算放大器的负输入端；
第三电阻(r3)接在所述运算放大器的负输入端同第二pnp三极管(q2)发射极之间；
第二电阻(r2)接在所述运算放大器的负输入端同地之间；
第一pnp三极管(q1)的基极、集电极，以及第二pnp三极管(q2)的基极、集电极均接地；
第三pmos管(m3)的漏端输出基准电流。
6.根据权利要求5所述的振荡器，其特征在于，
第一电阻(r1)包括n个电阻及n-1个开关，n为大于等于2的整数，n个电阻串联在第一pnp三极管(q1)发射极同地之间，相邻两个电阻的串联点同地之间接有一个开关；
第二电阻(r2)包括m个电阻及m-1个开关，m为大于等于2的整数，m个电阻串联在第一pnp三极管(q1)发射极同地之间，相邻两个电阻的串联点同地之间接有一个开关。
7.根据权利要求5所述的振荡器，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的振荡器，其特征在于，
所述振荡器还包括低压差线性稳压器(20)；
所述低压差线性稳压器(20)为所述rc振荡器(10)及带隙基准源(30)提供工作电压源。
9.根据权利要求8所述的振荡器，其特征在于，
所述带隙基准源(30)还为所述低压差线性稳压器(20)提供基准电流及基准电压。
10.根据权利要求1所述的振荡器，其特征在于，
所述振荡器还包括数字频率比较器(40)；
所述数字频率比较器(40)的第一输入端接参考时钟，第二输入端接rc振荡器(10)的振荡输出,第一输出端输出八位校准码到所述rc振荡器(10)的电流微调模块，第二输出端为指示信号输出端；
所述数字频率比较器(40)在自校准模式时，以参考时钟的10个周期为基准开始对rc振荡器(10)的振荡输出进行计数，在参考时钟的10个周期内，如果所述rc振荡器的振荡输出计数大于160拍，则使用二叉树算法下调八位校准码,如果所述rc振荡器(10)的振荡输出计数小于160拍，则上调八位校准码，直至所述rc振荡器(10)的振荡输出计数等于160拍时,输出指示信号；
所述数字频率比较器(40)，当其第二输出端输出指示信号时，其第一输出端输出八位校准码到所述rc振荡器(10)的电流微调模块；
所述rc振荡器的电流微调模块根据所述八位校准码调整rc振荡器的振荡输出。
11.根据权利要求10所述的振荡器，其特征在于，
所述数字频率比较器(40)还设置有使能信号输入端；
当使能信号输入端接入的使能信号为上升沿或下降沿时，数字频率比较器(40)进入或退出自校准模式。