半导体装置的制作方法

本实用新型涉及半导体装置。

背景技术：

在便携式电话等移动体通信机中，使用用于放大向基站发送的无线频率(RF：Radio Frequency)信号的功率的功率放大模块。在功率放大模块中，为了使从放大器输出的放大信号包含的高次谐波分量(具有基频的整数倍的频率的信号)衰减，使用高次谐波终止电路。例如，在专利文献1公开了设置有使放大信号的二倍波的高次谐波分量与接地短路的高次谐波终止电路的高频用发送模块。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-171137号公报

近年来，在功率放大模块中，为了减小芯片面积，有时将对相互不同的频带的信号进行放大的多个放大路径配置在同一芯片。在这样的同一芯片上，从设置在一个放大路径的高次谐波终止电路漏出的高次谐波，例如，二倍波的分量容易转移到另一个放大路径。此时，例如，如果流过一个放大路径的信号的二倍波的频带与流过另一个放大路径的信号的基波的频带接近，则流入到另一个放大路径的二倍波干扰流过该另一个放大路径的信号，有可能使功率放大的特性劣化，或者使接收灵敏度劣化。

技术实现要素：

实用新型要解决的课题

本实用新型是鉴于这样的情形而完成的，其目的在于，提供一种能够抑制多个放大路径间的信号的干扰的半导体装置。

用于解决课题的技术方案

为了达到这样的目的，本实用新型的一个方面涉及的半导体装置具备：基板，具有被供给接地电位的接地部；半导体芯片，安装在基板上，具有第一输出端子、第二输出端子、第一终止端子、以及接地端子；第一放大器，形成在半导体芯片的第一区域，将第一频带的第一输入信号放大并从第一输出端子经由第一输出导线输出第一放大信号；第二放大器，形成在半导体芯片的第二区域，将第二频带的第二输入信号放大并从第二输出端子经由第二输出导线输出第二放大信号；第一高次谐波终止电路，具有使第一放大信号包含的高次谐波分量衰减的频率特性，并具有将半导体芯片的第一终止端子和基板的接地部电连接的第一导线；以及接地导线，在半导体芯片的主面的俯视下设置在第一导线与第二输出导线之间，将半导体芯片的接地端子和基板的接地部电连接。

本实用新型的一个方面涉及的半导体装置具备：半导体芯片，具有第一输出端子、第二输出端子、以及被供给接地电位的接地部；第一放大器，形成在半导体芯片的第一区域，将第一频带的第一输入信号放大并从第一输出端子输出第一放大信号；第二放大器，形成在半导体芯片的第二区域，将第二频带的第二输入信号放大并从第二输出端子输出第二放大信号；第一高次谐波终止电路，具有使第一放大信号包含的高次谐波分量衰减的频率特性，并具有将半导体芯片的第一输出端子和接地部电连接的第一布线；以及导电部，在半导体芯片的主面的俯视下设置在第一布线与第二输出端子之间，被供给接地电位。

实用新型效果

根据本实用新型，能够提供一种能够抑制多个放大路径间的信号的干扰的半导体装置。

附图说明

图1是本实用新型的第一实施方式涉及的半导体装置包含的功率放大电路的电路图。

图2是本实用新型的第一实施方式涉及的半导体装置的概略俯视图。

图3是示出本实用新型的第一实施方式涉及的半导体装置以及比较例中的高次谐波分量的漏出的仿真结果的曲线图。

图4是本实用新型的第一实施方式的变形例涉及的半导体装置包含的功率放大电路的电路图。

图5是本实用新型的第一实施方式的变形例涉及的半导体装置的概略俯视图。

图6是本实用新型的第二实施方式涉及的半导体装置的概略俯视图。

图7是本实用新型的第二实施方式的变形例涉及的半导体装置的概略俯视图。

附图标记说明

1、2：功率放大电路，1A：第一路径，1B：第二路径，W：导电部，10A、10B、11A、11B：晶体管，20A、20B：匹配电路，30A、30B：高次谐波终止电路，31A、31B：电容器，32A、32B：电感器，100、200、300、400：半导体装置，110：基板，120：半导体芯片，130A、130B：输出端子，131A、131B：导线，140A、140B：终止端子，141A、141B：导线，150：接地端子，151：接地导线，160：中心线，161A、161B：区域，170A、170B：凸块，180、181、183：接地凸块，182：接地布线，190A、190B：凸块，191A、191B：布线。

具体实施方式

以下，参照附图对本实用新型的实施方式进行详细说明。另外，对于同一要素标注同一附图标记，并省略重复的说明。

图1是本实用新型的第一实施方式涉及的半导体装置包含的功率放大电路的电路图。图1所示的功率放大电路1例如搭载于便携式电话，用于对发送到基站的无线频率(RF：Radio Frequency)信号的功率进行放大。被放大的RF信号的通信标准例如为2G(第二代移动通信系统)、3G(第三代移动通信系统)、4G(第四代移动通信系统)、5G(第五代移动通信系统)、LTE(Long Term Evolution，长期演进)-FDD(Frequency Division Duplex，频分双工)、LTE-TDD(Time Division Duplex，时分双工)、LTE-Advanced、LTE-Advanced Pro等。另外，功率放大电路1放大的信号的通信标准并不限于此。

功率放大电路1具备将相互不同的频带的RF信号分别放大的两个放大路径。具体地，两个放大路径例如包括将低频段(第一频带)的RF信号放大的第一路径1A和将中频段(第二频带)的RF信号放大的第二路径1B。此外，功率放大电路1在第一路径1A与第二路径1B之间具备带接地电位的导电部W。另外，供给到第一路径1A以及第二路径1B的信号的频带是一个例子，并不限于此。例如，也可以是中频段和高频段、或低频段和高频段等的组合，或者还可以是LTE和5G、或4G和5G等不同的通信标准的组合。

第一路径1A包括晶体管10A、匹配电路20A、以及高次谐波终止电路30A。第二路径1B包括晶体管10B和匹配电路20B。

晶体管10A(第一放大器)、10B(第二放大器)分别进行RF信号的放大。在本实施方式中，晶体管10A、10B例如是异质结双极晶体管(HBT：Hetero junction Bipolar Transistor)等双极晶体管。

具体地，晶体管10A在集电极被供给电源电压Vcc，在基极被供给低频段的输入信号RFinA(第一输入信号)，发射极接地。由此，晶体管10A将输入信号RFinA放大，并从集电极经由匹配电路20A输出放大信号RFoutA(第一放大信号)。晶体管10B在集电极被供给电源电压Vcc，在基极被供给中频段的输入信号RFinB(第二输入信号)，发射极接地。由此，晶体管10B将输入信号RFinB放大，并从集电极经由匹配电路20B输出放大信号RFoutB(第二放大信号)。

另外，虽然省略了图示，但是在晶体管10A、10B的基极分别从偏置电路被供给偏置电流或电压。此外，第一路径1A以及第二路径1B也可以分别为包括两级或三级以上的多个晶体管且经多次对功率进行放大的结构。在该情况下，图1所示的晶体管10A、10B例如相当于最终级的晶体管。此外，晶体管10A、10B也可以代替双极晶体管而是MOSFET(Metal-oxide-semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)等场效应晶体管。在该情况下，只要将集电极、基极、发射极分别替换为漏极、栅极、源极即可。

匹配电路(MN：Matching Network，匹配网络)20A、20B分别对晶体管10A、10B的输出阻抗和匹配电路20A、20B的后级的电路的阻抗进行匹配。匹配电路20A、20B没有特别限定，例如，使用电容器、电感器或者分布常数线路等构成。

高次谐波终止电路30A(第一高次谐波终止电路)是具有使从晶体管10A的集电极输出的放大信号RFoutA包含的高次谐波分量衰减的频率特性的电路。具体地，高次谐波终止电路30A包括在晶体管10A的集电极与后述的接地部之间相互串联连接的电容器31A以及电感器32A。即，高次谐波终止电路30A包括LC串联谐振电路而构成，对于由电容器31A的电容值C以及电感器32A的自感值L确定的谐振频率为(Hz)的分量成为低阻抗。因此，通过将电容器31A以及电感器32A的常数设计为谐振频率f与低频段的放大信号的N倍波(N为2以上的整数)的频率大体一致，从而高次谐波终止电路30A作为使N倍波分量从信号线路衰减的衰减器而发挥功能。另外，以下，设高次谐波终止电路30A以二倍波分量为衰减对象而进行说明。例如，低频段的发送频带为699MHz～915MHz左右，因此二倍波的频带成为1398MHz～1830MHz左右。所谓大体一致，包含基频的整数倍的频率的±大约20％的范围。

另一方面，在第二路径1B中被放大的中频段的频带例如为1.5GHz～2.7GHz左右。因此，在第一路径1A中被放大的低频段的二倍波的频带包含于在第二路径1B中被放大的中频段的基波的频带，或者成为其附近。

在功率放大电路1中，为了减小芯片面积，对相互不同的频带的信号进行放大的第一路径1A和第二路径1B被配置于同一芯片。然而，如上所述，流过第一路径1A的信号的二倍波的频带靠近流过第二路径1B的信号的基波的频带。因此，例如，在第一路径1A的动作中从设置在第一路径1A的高次谐波终止电路30A漏出低频段的二倍波的分量并转移到第二路径1B的情况下，漏进来的二倍波分量有可能干扰流过第二路径1B的信号。关于这一点，在本实施方式中，通过在第一路径1A与第二路径1B之间设置导电部W，从而能够抑制这样的高次谐波的漏入。以下，对这些构成要素的配置进行说明。

图2是本实用新型的第一实施方式涉及的半导体装置的概略俯视图。图2所示的半导体装置100例如具备基板110和安装在该基板110的半导体芯片120。另外，在以下的说明中，关于与图1所示的功率放大电路1包含的构成要素对应的构成要素，标注与图1中的附图标记同样的附图标记，并省略说明。

基板110是搭载后述的半导体芯片120、各种元件的基板。基板110具有一个或多个接地部111。接地部111在图2中利用电路符号来示出，例如，由在基板上被供给接地电位的接地电极构成。

半导体芯片120是通过半导体工艺形成了功率放大电路1包含的晶体管的芯片。半导体芯片120具有与由相互正交的X轴和Y轴规定的XY平面平行的大致矩形的主面121。在本实施方式中，半导体芯片120通过所谓的引线接合安装，用导线与设置在基板110的各端子连接，由此，与基板110的布线等连接。具体地，半导体芯片120具有晶体管10A、10B、11A、11B、多个输出端子130A、130B、终止端子140A以及接地端子150。

如图1所示，晶体管10A、10B分别为功率放大电路1中的最终级的放大器。虽然在图1中省略了图示，但是晶体管11A、11B分别是设置在晶体管10A、10B的前级的放大器。以下，设晶体管11A、11B为初级的晶体管、晶体管10A、10B为后级的晶体管而进行说明。

第一路径1A的晶体管11A、10A和第二路径1B的晶体管11B、10B在半导体芯片120的主面121的俯视(以下，也简称为“半导体芯片的俯视”。)下相对于与Y轴平行的中心线160对称地配置。具体地，第一路径1A的晶体管11A、10A在该俯视下相对于中心线160形成在一侧(在图2中为X轴负方向侧)的区域161A(第一区域)。在区域161A内，后级的晶体管10A配置在初级的晶体管11A的Y轴负方向侧的区域。另一方面，第二路径1B的晶体管11B、10B在该俯视下相对于中心线160配置在另一侧(在图2中为X轴正方向侧)的区域161B(第二区域)。在区域161B内，后级的晶体管10B配置在初级的晶体管11B的Y轴负方向侧的区域。另外，虽然省略了图示，但是晶体管10A、10B、11A、11B也可以分别由并联连接了多个单位晶体管(即，发挥作为晶体管的功能的最小限度的结构)的晶体管组构成。

在后级的晶体管10A、10B的Y轴负方向侧，分别形成用于将放大信号输出到半导体芯片120的外部的多个输出端子130A(第一输出端子)、130B(第二输出端子)。具体地，多个输出端子130A、130B分别沿着半导体芯片120的Y轴负方向侧的一边并列配置，电连接了晶体管10A、10B的集电极。此外，多个输出端子130A、130B分别通过多个导线131A(第一输出导线)、131B(第二输出导线)引出到半导体芯片120的外部并与设置在基板110的匹配电路20A、20B的一部分电连接。由此，从各输出端子130A经由各导线131A输出低频段的放大信号RFoutA，从各输出端子130B经由各导线131B输出中频段的放大信号RFoutB。在本实施方式中，多个导线131A、131B均延伸为沿着Y轴相互平行。

如上所述，高次谐波终止电路30A是使从第一路径1A的后级的晶体管10A的集电极输出的放大信号包含的高次谐波分量衰减的电路。在本实施方式中，高次谐波终止电路30A形成在区域161A的Y轴负方向侧且形成在中心线160的附近。高次谐波终止电路30A具有与第一路径1A的多个输出端子130A并列配置的终止端子140A(第一终止端子)。

具体地，电容器31A的一端与多个输出端子130A中的任一个(在图2中为最靠近中心线160的输出端子)连接，另一端与终止端子140A连接。电容器31A在图2中用符号示出，例如，由在半导体芯片120内彼此相互重叠的多个金属层构成。电感器32A的一端与终止端子140A连接，另一端与基板110的接地部111连接。电感器32A由具有电感分量的导线141A(第一导线)构成。

接地端子150是在半导体芯片120中设置在区域161A与区域161B之间(在图2中为中心线160的附近)的端子。若半导体芯片120被安装到基板110，则接地端子150与基板110的接地部111电连接，由此，在接地端子150被供给接地电位。

在半导体装置100中，设置有相当于图1所示的导电部W的接地导线151。接地导线151的一端与半导体芯片120的接地端子150连接，并经由该接地端子150与基板110的接地部电连接。此外，接地导线151的另一端与基板110的接地部111连接。由此，在接地导线151的一端以及另一端均被供给接地电位，接地导线151起到第一路径1A与第二路径1B之间的屏蔽件的功能。具体地，接地导线151在半导体芯片120的俯视下设置在从高次谐波终止电路30A的终止端子140A引出的导线141A与从第二路径1B的多个输出端子130B引出的多个导线131B之间。另外，所谓“接地导线151设置在导线141A与导线131B之间”，意味着在半导体芯片120的主面的俯视下将导线141A的至少一部分和导线131B的至少一部分连结的线与接地导线151交叉。导线141A、接地导线151、以及多个导线131B延伸为沿着Y轴相互平行。此外，接地导线151延伸的方向(Y轴方向)上的长度优选比导线141A以及多个导线131B延伸的方向(Y轴方向)上的长度长。由此，接地导线151能够在带接地电位的同时将导线141A和多个导线131B之间隔开，能够抑制该导线间的耦合。另外，接地导线151的该长度也可以比导线141A的该长度短。

如上所述，在半导体装置100中，可抑制第一路径1A的高次谐波终止电路30A的导线141A与第二路径1B的多个导线131B的耦合。由此，可抑制二倍波从导线141A向多个导线131B的漏入。因此，根据半导体装置100，可抑制多个放大路径间的信号的干扰，其结果是，能够防止第二路径1B中的功率放大的特性的劣化、接收灵敏度的劣化。

图3是示出本实用新型的第一实施方式涉及的半导体装置以及比较例中的高次谐波分量的漏出的仿真结果的曲线图。该曲线图示出在图1所示的功率放大电路1中相对于第一路径1A的输入而在第二路径1B的输出出现的高次谐波分量的漏出的仿真结果。另外，所谓比较例，是不具备图2中的半导体装置100中的接地导线151的结构。在该曲线图中，纵轴示出S参数521(dB)，横轴示出频率(GHz)。另外，在该曲线图中，第一路径1A被设计为对低频段(基波：699MHz～915MHz、二倍波：1398MHz～1830MHz)的信号进行放大，相当于该低频段的二倍波的区域通过粗线示出。

如图3所示，在比较例中，在相当于二倍波的频带中看到局部性的漏出的增大。另一方面，可知在半导体装置100中，相当于二倍波的频带的漏出量与比较例相比被抑制。据此，可以说，通过设置接地导线151，从而可抑制二倍波的漏出。

图4是本实用新型的第一实施方式的变形例涉及的半导体装置包含的功率放大电路的电路图。另外，对于与图1所示的功率放大电路1相同的要素标注相同的附图标记并省略说明。此外，在本变形例以后，省略关于与功率放大电路1共同的事项的记述，仅对不同点进行说明。特别是，对于基于同样的结构的同样的作用效果，将不在每个实施方式中逐次提及。

图4所示的功率放大电路2的不同点在于，除了上述的功率放大电路1的结构以外，第二路径1B还具备高次谐波终止电路30B。

高次谐波终止电路30B(第二高次谐波终止电路)与高次谐波终止电路30A同样地，是具有使从晶体管10B的集电极输出的放大信号RFoutB包含的高次谐波分量衰减的频率特性的电路。具体地，高次谐波终止电路30B包括在晶体管10B的集电极与接地部之间相互串联连接的电容器31B以及电感器32B。另外，关于高次谐波终止电路30B的原理，与高次谐波终止电路30A是同样的，因此省略详细的说明。

图5是本实用新型的第一实施方式的变形例涉及的半导体装置的概略俯视图。图5所示的半导体装置200与上述的半导体装置100相比，不同点在于，在基板110以及半导体芯片120上还形成高次谐波终止电路30B。

高次谐波终止电路30B在半导体芯片120的俯视下相对于中心线160与高次谐波终止电路30A对称地配置。即，高次谐波终止电路30B形成在区域161B的Y轴负方向侧且形成在中心线160的附近。高次谐波终止电路30B具有与第二路径1B的多个输出端子130B并列配置的终止端子140B(第二终止端子)。

具体地，电容器31B的一端与多个输出端子130B中的任一个(在图5中为最靠近中心线160的输出端子)连接，另一端与终止端子140B连接。电感器32B的一端与终止端子140B连接，另一端与基板110的接地部111连接。电感器32B由具有电感分量的导线141B(第二导线)构成。

在本实施方式中，接地导线151在半导体芯片120的俯视下设置在导线141A与导线141B之间。此外，导线141A、接地导线151、以及导线141B延伸为沿着Y轴相互平行。而且，接地导线151延伸的方向上的长度优选比导线141A、141B延伸的方向上的长度长。像这样，接地导线151通过在带接地电位的同时将导线141A和导线141B之间隔开，从而抑制该导线间的耦合。由此，在半导体装置200中，除了能够抑制高次谐波从第一路径1A向第二路径1B的漏出以外，还能够抑制高次谐波从第二路径1B向第一路径1A的漏出。因此，能够防止第一路径1A以及第二路径1B双方的功率放大的特性劣化、接收灵敏度的劣化。另外，接地导线151的该长度也可以比导线141A或导线141B短。

此外，在半导体装置200中，导线141A和导线141B未必一定要平行地配置。在这些导线141A、141B平行地配置的情况下，与未平行地配置的结构相比，导线141A、141B彼此的耦合度提高，因此高次谐波的漏入量变大。因此，设置接地导线151的效果提高。

此外，高次谐波终止电路30A和高次谐波终止电路30B未必一定要相对于中心线160对称地配置。进而，关于半导体装置具备的高次谐波终止电路的数目，对各路径并不限于一个，例如，也可以在一个路径设置有两个。在该情况下，两个高次谐波终止电路可以分别设置在多个输出端子130A、130B的X轴方向的两侧。

此外，在上述的半导体装置100、200中，导线141A的另一端、导线141B的另一端、以及接地导线151的另一端可以与基板110中的同一接地电极连接，或者也可以分别与不同的接地电极连接。

此外，虽然在上述的半导体装置100、200中示出了半导体装置具备一根接地导线151的例子，但是半导体装置具备的接地导线的数目不限于一根，也可以是两根以上。

图6是本实用新型的第二实施方式涉及的半导体装置的概略俯视图。图6所示的半导体装置300与上述的半导体装置100、200相比，不同点在于，半导体芯片120通过所谓的倒装芯片安装被安装到基板110。另外，在图6以及后述的图7中，省略了基板110的图示。

具体地，半导体装置300与半导体装置200相比，代替输出端子130A、130B而具备凸块170A、170B，代替接地端子150以及接地导线151而具备接地凸块180、181以及接地布线182。

凸块170A(第一输出端子)、170B(第二输出端子)分别配置在半导体芯片120的Y轴负方向侧的一边的附近，在半导体芯片120的俯视下呈沿着X轴延伸的大致长方形。凸块170A、170B分别电连接晶体管10A、10B的集电极。由此，从凸块170A输出低频段的放大信号RFoutA，从凸块170B输出中频段的放大信号RFoutB。另外，凸块170A、170B没有特别限定，例如，可以由铜柱凸块(cupper pillar bump)构成。在以下说明的凸块中也是同样的。

高次谐波终止电路30A、30B各自的一端与凸块170A、170B连接，另一端与凸块190A、190B连接。凸块190A、190B是设置在半导体芯片120的接地部的一个具体例子，在半导体芯片120安装到基板(未图示)时，与基板侧的接地部电连接，由此被供给接地电位。此外，在本实施方式中，高次谐波终止电路30A、30B包含的电感器32A、32B分别由半导体芯片120内的布线191A(第一布线)、191B(第二布线)构成。另外，虽然在图6中用符号示出，但是布线191A、191B均延伸为沿着Y轴相互平行而形成。

接地凸块180、181以及接地布线182相当于图4所示的导电部W，与图5所示的接地导线151同样地具有屏蔽件功能。具体地，接地凸块180、181在区域161A与区域161B之间沿着中心线160并列配置。接地凸块180、181在半导体芯片120安装到基板(未图示)时与基板侧的接地部电连接，由此被供给接地电位。接地布线182沿着Y轴延伸，使得将接地凸块180和接地凸块181电连接。由此，接地布线182被配置为，在半导体芯片120的俯视下，在构成电感器32A的布线191A与构成电感器32B的布线191B之间与这些布线191A、191B相互平行。此外，接地布线182延伸的方向上的长度优选比布线191A、191B延伸的方向上的长度长。由此，接地布线182以及接地凸块180、181一起作为抑制布线191A与布线191B的耦合的屏蔽件而发挥功能。另外，接地布线182的该长度也可以比布线191A、191B的该长度短。

通过上述的结构，半导体装置300能够得到与半导体装置200同样的效果。另外，在本实施方式中，布线191A和布线191B在半导体芯片120上不连接，经由凸块190A、190B与基板中的接地电极连接。例如，在该基板由多层基板构成的情况下，布线191A和布线192B可以在多层基板中的、离半导体芯片120比较远的层中与共有的接地电极电连接。此外，在基板中，电连接布线191A、191B的接地电极与电连接接地凸块180、181的接地电极可以相同，或者也可以不同。进而，布线191A、191B的另一端也可以代替与凸块190A、190B连接而与连接晶体管10A、10B的发射极的凸块(未图示)连接。

图7是本实用新型的第二实施方式的变形例涉及的半导体装置的概略俯视图。图7所示的半导体装置400与上述的半导体装置300相比，代替两个接地凸块180、181以及接地布线182而具备一个接地凸块183。

接地凸块183是具有与图5所示的接地导线151同样的屏蔽件功能的导电部的一个具体例子。具体地，接地凸块183在区域161A与区域161B之间沿着中心线160延伸配置。接地凸块183在半导体芯片120的俯视下呈大致长方形，在半导体芯片120安装到基板(未图示)时，与基板侧的端子连接，由此被供给接地电位。接地凸块183被配置为，在半导体芯片120的俯视下，设置在布线191A与布线191B之间，并与这些布线191A、191B相互平行。此外，接地凸块183延伸的方向上的长度优选比布线191A、191B延伸的方向上的长度长。另外，接地凸块183的该长度也可以比布线191A、191B的该长度短。

像这样，具有屏蔽件功能的导电部不限于凸块和布线的组合，也可以由一个接地凸块183构成。通过这样的结构，半导体装置400也能够得到与半导体装置300同样的效果。

另外，虽然在上述的半导体装置300、400中示出了第一路径1A以及第二路径1B分别具备高次谐波终止电路30A、30B的例子，但是半导体装置具备的高次谐波终止电路也可以是任一者。例如，在半导体装置300、400具备高次谐波终止电路30A的情况下，接地布线182或接地凸块183可以设置在布线191A与凸块170B之间。

此外，与上述的半导体装置100、200同样地，在半导体装置300、400中，布线191A和布线191B未必一定要平行地配置。

此外，虽然在半导体装置300、400中将连接布线191A的另一端的凸块190A和连接布线191B的另一端的凸块190B示出为不同的凸块，但是这些凸块也可以是相同的凸块。

此外，虽然在上述的半导体装置300、400中，作为带接地电位的导电部而示出了半导体装置具备一个接地布线182或一个接地凸块183的例子，但是半导体装置具备的导电部并不限于一个，也可以是两个以上。

以上，对本实用新型的例示性的实施方式进行了说明。半导体装置100、200具备：具有被供给接地电位的接地部111的基板110；安装在基板110上，具有第一输出端子、第二输出端子、第一终止端子、以及接地端子的半导体芯片120；形成在半导体芯片120的第一区域，将第一频带的第一输入信号放大并从第一输出端子经由第一输出导线输出第一放大信号的第一放大器；形成在半导体芯片120的第二区域，将第二频带的第二输入信号放大并从第二输出端子经由第二输出导线输出第二放大信号的第二放大器；具有使第一放大信号包含的高次谐波分量衰减的频率特性，并具有将半导体芯片120的第一终止端子和基板110的接地部111电连接的第一导线的第一高次谐波终止电路；以及在半导体芯片120的主面121的俯视下，设置在第一导线与第二输出导线之间，将半导体芯片120的接地端子和基板110的接地部111电连接的接地导线151。由此，在半导体装置100、200中，可抑制第一高次谐波终止电路的第一导线与第二输出导线的耦合。因此，可抑制高次谐波从第一导线向第二输出导线的漏入，可抑制多个放大路径间的信号的干扰。

此外，也可以是，在半导体装置100、200中，接地导线151和第一导线相互平行地延伸，接地导线151延伸的方向上的长度比第一导线延伸的方向上的长度长。由此，接地导线151能够将第一导线和第二输出导线隔开，能够抑制该导线间的耦合。

此外，也可以是，在半导体装置200中，半导体芯片120还具有第二终止端子，半导体装置200还具备第二高次谐波终止电路，该第二高次谐波终止电路具有使第二放大信号包含的高次谐波分量衰减的频率特性，并具有将半导体芯片120的第二终止端子和基板110的接地部111电连接的第二导线，接地导线151在半导体芯片120的主面121的俯视下设置在第一导线与第二导线之间。由此，除了可抑制高次谐波从第一路径1A向第二路径1B的漏出以外，还可抑制高次谐波从第二路径1B向第一路径1A的漏出。因此，可抑制多个放大路径间的双方向的信号的干扰。

此外，也可以是，在半导体装置200中，接地导线151和第二导线相互平行地延伸，接地导线151延伸的方向上的长度比第二导线延伸的方向上的长度长。由此，接地导线151能够将第二导线和第一输出导线之间隔开，能够抑制该导线间的耦合。

此外，半导体装置300、400具备：具有第一输出端子、第二输出端子、以及被供给接地电位的接地部的半导体芯片120；形成在半导体芯片120的第一区域，将第一频带的第一输入信号放大并从第一输出端子输出第一放大信号的第一放大器；形成在半导体芯片120的第二区域，将第二频带的第二输入信号放大并从第二输出端子输出第二放大信号的第二放大器；具有使第一放大信号包含的高次谐波分量衰减的频率特性，并具有将半导体芯片120的第一输出端子和接地部电连接的第一布线的第一高次谐波终止电路；以及在半导体芯片120的主面121的俯视下设置在第一布线与第二输出端子之间，被供给接地电位的导电部。由此，在半导体装置300、400中，可抑制第一高次谐波终止电路的第一布线与第二输出端子的耦合。因此，可抑制高次谐波从第一布线向第二输出端子的漏入，可抑制多个放大路径间的信号的干扰。

此外，也可以是，在半导体装置300、400中，导电部和第一布线相互平行地延伸，导电部延伸的方向上的长度比第一布线延伸的方向上的长度长。由此，导电部能够将第一布线和第二输出端子之间隔开，能够抑制该布线间的耦合。

此外，也可以是，半导体装置300、400还具备第二高次谐波终止电路，该第二高次谐波终止电路具有使第二放大信号包含的高次谐波分量衰减的频率特性，并具有将半导体芯片120的第二输出端子和接地部电连接的第二布线，导电部在半导体芯片120的主面121的俯视下设置在第一布线与第二布线之间。由此，可抑制多个放大路径间的双方向的信号的干扰。

此外，导电部的形状没有特别限定，例如，如半导体装置300所示，可以包括多个凸块和将多个凸块电连接的布线。或者，如半导体装置400所示，导电部也可以由一个凸块构成。

以上说明的各实施方式用于使本实用新型容易理解，并非用于对本实用新型进行限定解释。本实用新型能够在不脱离其主旨的情况下进行变更或改良，并且本实用新型包括其等价物。即，本领域技术人员对各实施方式施加了适当的设计变更的实施方式只要具备本实用新型的特征，则也包含于本实用新型的范围。例如，各实施方式具备的各要素及其配置、材料、条件、形状、尺寸等并不限定于例示的各要素及其配置、材料、条件、形状、尺寸等，能够适当地进行变更。此外，只要技术上可行，各实施方式具备的各要素就能够进行组合，将它们组合后的产物，只要包含本实用新型的特征，就也包含于本实用新型的范围。