全方位高导热的电磁屏蔽材料及其制备方法与流程

文档序号:22399013发布日期:2020-09-29 18:10阅读:来源:国知局

技术特征:

1.全方位高导热的电磁屏蔽材料,具有片状结构,其特征在于,片状结构包括电磁屏蔽层,电磁屏蔽层的正反两面皆设有导热储热层,导热储热层系通过压延结合在电磁屏蔽层表面的硅胶基料,硅胶基料中含有均匀分散的导热粉体和/或储热粉体。

2.如权利要求1所述的全方位高导热的电磁屏蔽材料,其特征在于,所述片状结构水平放置时,z方向导热系数为0-15w/m•k,x方向、y方向导热系数为2-50w/m•k,拉伸强度为6.5-18mpa,储热值为0-180j/g,磁导率为35000-120000gs。

3.如权利要求1所述的全方位高导热的电磁屏蔽材料,其特征在于,所述硅胶基料采用质量百分比总和为100%的组份混合而成:

乙烯基硅油4-30%,其粘度为100-10000cps;

含氢硅油0.1-2.0%,其含氢量为0.1-0.5m/m%;

反应抑制剂0.02-1%,系1-乙炔基-1-环己醇含量为10-99.8m/m%的溶液;

铂金催化剂0.1-1%,系铂金含量为1000-5000ppm的溶液;

色母0-0.5%;

导热粉体0-94%,系氢氧化铝、α球形氧化铝、氮化铝、碳化硅、氮化硼中的一种或多种粉体,在0.3μm-120μm范围内取多种粒径的粉体复配填充而成;

储热粉体0-68%,系相变微胶囊、有机相变物-多微孔基质复合材料、聚乙二醇接枝高聚物、聚乙二醇-聚氨酯嵌段共聚物的一种或多种粉体,其粒径为10μm-120μm,其相变储热区间为35~80℃,储热值在100-300j/g。

4.如权利要求1所述的全方位高导热的电磁屏蔽材料,其特征在于,所述电磁屏蔽层为包括但不限于铜网、铝网、不锈钢网的金属网,其网孔的直径为0.04-0.15mm,其厚度为0.03-0.3mm。

5.如权利要求1所述的全方位高导热的电磁屏蔽材料,其特征在于,所述电磁屏蔽层为包括但不限于铜片、铝片、不锈钢片的金属片,其厚度为0.03-0.3mm。

6.全方位高导热的电磁屏蔽材料的制备方法,其特征在于,采用如下步骤:

s1、制备硅胶基料

取质量百分比总和为100%的下列组份——

乙烯基硅油4-30%,其粘度为100-10000cps;

含氢硅油0.1-2.0%,其含氢量为0.1-0.5m/m%;

反应抑制剂0.02-1%,系1-乙炔基-1-环己醇含量为10-99.8m/m%的溶液;

铂金催化剂0.1-1%,系铂金含量为1000-5000ppm的溶液;

色母0-0.5%;

导热粉体0-94%,系氢氧化铝、α球形氧化铝、氮化铝、碳化硅、氮化硼中的一种或多种粉体,在0.3μm-120μm范围内取多种粒径的粉体复配填充而成;

储热粉体0-68%,其储热值为100-300j/g;

上述组份搅拌均匀,获得硅胶基料;

s2、成型导热储热层

提供一平铺的下层离型膜,在下层离型膜上涂覆一层硅胶基料,再将一电磁屏蔽层叠放在硅胶基料上,然后经压延机将下层离型膜上的硅胶基料压延结合在电磁屏蔽层的反面,以在电磁屏蔽层的反面获得导热储热层;

在电磁屏蔽层的顶面在涂覆一层硅胶基料,再覆盖一平铺的上层离型膜,然后经压延机将上层离型膜覆盖的硅胶基料压延结合在电磁屏蔽层的正面,以在电磁屏蔽层的正面也获得导热储热层;

s3、烘烤坯料

电磁屏蔽层的正反两面皆获得导热储热层之后,经隧道烤箱烘烤,获得成品。

7.如权利要求6所述的全方位高导热的电磁屏蔽材料的制备方法,其特征在于,所述步骤s1中,系先行机械搅拌20min,然后再抽真空搅拌30min,获得脱泡的硅胶基料。

8.如权利要求6所述的全方位高导热的电磁屏蔽材料的制备方法,其特征在于,所述步骤s3中,烘烤温度为120℃,烘烤时间为10-30分钟。


技术总结
全方位高导热的电磁屏蔽材料,具有片状结构,片状结构包括电磁屏蔽层,电磁屏蔽层的正反两面皆设有导热储热层,导热储热层系通过压延结合在电磁屏蔽层表面的硅胶基料,硅胶基料中含有均匀分散的导热粉体和/或储热粉体。为了获得上述的全方位高导热的电磁屏蔽材料,本发明还提供一种全方位高导热的电磁屏蔽材料的制备方法,采用如下步骤:S1、制备硅胶基料;S2、成型导热储热层;S3、烘烤坯料。与现有技术相比,本发明所提供的全方位高导热的电磁屏蔽材料,在X、Y、Z轴向具有可调制的全方位导热性能,以及可调制的储热性能,而且还具有良好的操作性和电磁屏蔽功能,可广泛应用在电子产品上。

技术研发人员:胡耀池;陈继良;胡孟;谢琦林
受保护的技术使用者:东莞市弗勒特电子科技有限公司
技术研发日:2020.06.16
技术公布日:2020.09.29
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