一种AnyLayer外层4分割曝光对位方法与流程

本发明涉及线路板制作技术领域，具体为一种anylayer外层4分割曝光对位方法。

背景技术：

anylayer设计一般采用的是：2/2mil线路、孔距线6mil、bga夹线3mil等超制程能力的设计方案。且采用的大多数是特殊超薄芯板，尺寸涨缩变异大，常规的打靶、钻孔对位方式无法满足生产需求。此类产品生产难度大，层偏、漏接、破环等品质异常无法管控，同时还存在返工率高和品质漏失风险。

技术实现要素：

为改善anylayer在制作过程中：层偏、漏接、破环等信赖度及外观异常问题，提升生产效率及产品良率，本发明提供一种产品品质好且生产效率高的anylayer外层4分割曝光对位方法。

为了实现上述目的，通过以下技术方案实现。

一种anylayer外层4分割曝光对位方法，所述方法包括，

s1：外层对位，在anylayer外层制作时，选取n-2层内层板为对位基准进行对位，通过打靶打出来的三点方向箭靶把n-2层内层线路的对位基准通过孔引导到外层板，在机钻钻孔pnl板上通过打靶打出t靶，三点方向箭靶和t靶在内层线路制作时进行叠靶设计，其中n为线路板的层数；

s2：靶位制作，所述靶位制作采用co2机台进行，包括，

s2.1：通过co2机台抓取三点方向箭靶，烧出pcb板top面上区域的sk镭射靶位；

s2.2：通过co2机台抓取上区域的sk镭射靶位，烧出上区域客户需要的laser孔、上区域用于线路对位的3个sx线路靶位和下区域的sk镭射靶位，采用自毁模式，毁掉上区域的sk镭射靶位；

s2.3：通过co2机台抓取下区域的sk镭射靶位，烧出下区域客户需要的laser孔、下区域用于线路对位的6个sx线路靶位，采用自毁模式，毁掉上区域的sk镭射靶位；

s3：靶位制作完成后，线路板上成型区内的孔依次经沉铜、填孔电镀，laser孔经沉铜、填孔电镀后连通内外层，9个sx线路靶位经沉铜、填孔电镀后各形成凹陷，各凹陷在后续用于线路制作；

s4：线路4分割曝光制作：所述线路4分割曝光采用线路ldi机台进行曝光，线路ldi机台先抓取上左区域的4个sx线路靶位进行上左区域的线路曝光，同时曝光出用于阻焊上左区域的对位光学点fid，再抓取上右区域的4个sx线路靶位进行上右区域的线路曝光，同时曝光出用于阻焊上右区域的对位光学点fid，然后再抓取下左区域的4个sx线路靶位进行下左区域的线路曝光，同时曝光出用于阻焊下左区域的对位光学点fid，最后再抓取下右区域的4个sx线路靶位进行下右区域的线路曝光，同时曝光出用于阻焊下右区域的对位光学点fid，达到线路四分割曝光制作，所述四分割曝光的分割线在pcb板的中心线上，且位于set工艺边上。

进一步地，上述s1步骤所述n-2层内层制作在co2机台制作sk镭射靶位/sx线路靶位处设计有挡铜层，所述挡铜层采用选镀流程在sk镭射靶位/sx线路靶位对应区域进行加镀铜实现。

进一步地，所述挡铜层的加镀铜厚度在10um左右。

进一步地，所述选镀流程包括如下步骤，

步骤1：线路前处理，按正常工序对线路进行前处理；

步骤2：压膜，选取选镀干膜，在n-2层除sk镭射靶位/sx线路靶位对应区域以外的区域贴上选镀干膜进行保护；

步骤3：曝光，曝光机抓取pnl上的t靶进行对位，对除sk镭射靶位/sx线路靶位对应区域以外的区域进行曝光，确保显影后未选镀位置有干膜保护；

步骤4：选镀，采用电镀工艺对n-2层在sk镭射靶位/sx线路靶位对应区域进行电镀加厚。

进一步地，上述s3步骤中的9个sx线路靶位呈田字点分布，一面的9个sx线路靶位均匀分布在田字的9个相交点上。

进一步地，上述s3步骤中的sk镭射靶位的数量为9个，9个sk镭射靶位与9个sx线路靶位采用同样的分布方法。

进一步地，所述9个sx线路靶位和9个sk镭射靶位均位于pnl的中心线上。

进一步地，所述sk镭射靶位/sx线路靶位的大小为1.75mm*1.75mm的矩形区域，n-1层与sk镭射靶位/sx线路靶位相对应的区域设计为2mm*2mm的底板矩形区域，n-2层与sk镭射靶位/sx线路靶位相对应的区域设计为2.2mm*2.2mm选镀矩形区域。

作为本发明一优选方案，所述方法还包括阻焊4分割曝光制作，所述阻焊4分割曝光制作为ldi阻焊4分割曝光制作，所述ldi阻焊4分割曝光制作为采用ldi机台进行阻焊4分割曝光制作，线路ldi机台先抓取上左区域的对位光学点fid进行上左区域的曝光，再抓取上右区域的对位光学点fid进行上右区域的曝光，然后再抓取下左区域的对位光学点fid进行下左区域的曝光，最后再抓取下右区域的对位光学点fid进行下右区域的曝光，达到阻焊四分割曝光制作，所述四分割曝光的分割线在pcb板的中心线上。

作为本发明再一优选方案，所述方法还包括阻焊4分割曝光制作，所述阻焊4分割曝光制作为ccd曝光制作，所述ccd曝光制作包括，

步骤1：菲林制作，制作四张菲林片，每张菲林片仅用于曝光四个区域中的一个区域，其他三个区域的位置直接设计为不透光的负片；

步骤2：ccd曝光机台先抓取上左区域的对位光学点fid进行上左区域的曝光，再抓取上右区域的对位光学点fid进行上右区域的曝光，然后再抓取下左区域的对位光学点fid进行下左区域的曝光，最后再抓取下右区域的对位光学点fid进行下右区域的曝光，达到阻焊四分割曝光制作，所述四分割曝光的分割线在pcb板的中心线上。

本发明anylayer外层4分割曝光对位方法与现有技术相比，其独特的靶位对位方式以及线路4分割制造方法，可将层间对位度控制在2mil以内，n-2层采用选镀技术可满足合靶设计，线路、阻焊4分割技术可直接满足客户产品的尺寸规格，可有效降低层偏、漏接、破坏等品质缺陷及外观异常问题，提升产品品质，而且采用线路、阻焊4分割技术进行线路和阻焊曝光，无需返工，有效提升制程能力，确保生产效率高。

附图说明

附图1为本发明anylayer外层4分割曝光对位方法中所述sk镭射靶位/sx线路靶位的靶孔图；

附图2为本发明anylayer外层4分割曝光对位方法中线路/阻焊对位曝光分割示意图；

附图3为本发明anylayer外层4分割曝光对位方法中sx线路靶位经沉铜、填孔电镀后的示意图。

具体实施方式

下面将结合具体实施例及附图对本发明anylayer外层4分割曝光对位方法作进一步详细描述。

参照图1，本发明一非限制实施例，一种anylayer外层4分割曝光对位方法，包括外层的板子制作和内层的板子制作。所述内层的板子制作包括n-2内层的板子制作和其它内层的板子制作，其它内层的板子制作采用常规制作方法进行，所述n-2内层的板子制作流程为：打靶——裁边圆角——选镀——钻孔——沉铜——填孔电镀——线路——aoi——棕化——压合，其中，选镀包含前处理、压膜、曝光、电镀，所述线路工序针对sk/sx靶位区域作出相应的识别标志，其它工序按常规制作方式进行。所述外层的板子制作流程为：打靶——裁边圆角——钻孔---刷磨----棕化减铜--co2镭射盲孔----沉铜-----填孔电镀----全板电镀----酸蚀减铜----刷磨-----线路（四分割曝光，针对的sk/sx靶位区域需作出相应的识别标志）-----aoi-----阻焊（四分割曝光）----文字---铣外形----电测----osp---fqc----包装---出货，其中棕化减铜工序需保证底铜小于6um，该外层线路采用四分割曝光法制作，并针对sk/sx靶位区域作出相应的识别标志，阻焊工序采用与外层线路相同的四分割曝光法进行阻焊制作。

参照图1至图3，本发明一非限制实施例，本发明anylayer外层4分割曝光对位方法，其具体对位和曝光制作方法如下：

s1：外层对位，在anylayer外层制作时，选取n-2层内层板为对位基准进行对位，通过打靶打出来的三点方向箭靶把n-2层内层线路的对位基准通过孔引导到外层板，在机钻钻孔pnl板上通过打靶打出t靶，三点方向箭靶和t靶在内层线路制作时进行叠靶设计，其中n为线路板的层数；

s2：靶位制作，所述靶位制作采用co2机台进行，包括，

s2.1：通过co2机台抓取三点方向箭靶，烧出pcb板top面上区域的sk镭射靶位，此时，该sk镭射靶位用于后续的抓取点，同时起到防呆作用；

s2.2：通过co2机台抓取上区域的sk镭射靶位，烧出上区域客户需要的laser孔、上区域用于线路对位的3个sx线路靶位和下区域的sk镭射靶位，采用自毁模式，毁掉上区域的sk镭射靶位，将已经使用后不再需要使用的上区域的sk镭射靶位毁掉，只保留新烧出的下区域sk镭射靶位，同时确保上区域的sk镭射靶位不被二次使用，影响后续线路制作，而且确保新烧出的下区域的sk镭射靶位不仅用于后续的抓取点，而且起到防呆作用；

s2.3：通过co2机台抓取下区域的sk镭射靶位，烧出下区域客户需要的laser孔、下区域用于线路对位的6个sx线路靶位，采用自毁模式，毁掉下区域的sk镭射靶位，将将已经使用后不再需要使用的下区域的sk镭射靶位毁掉，确保该下区域的sk镭射靶位不被二次使用，影响后续线路制作；

s3：靶位制作完成后，线路板上成型区内的孔依次经沉铜、填孔电镀，laser孔经沉铜、填孔电镀后连通内外层，9个sx线路靶位经沉铜、填孔电镀后各形成凹陷，详见图3，sx线路靶位孔为上大下小的倒梯形状，经沉铜和填孔电镀后，由于该sx线路靶位以n-2层内层为对准基准，其不能填镀满，在上部形成凹陷，各凹陷在后续用于线路制作；

s4：线路4分割曝光制作：所述线路4分割曝光采用线路ldi机台进行曝光，线路ldi机台先抓取上左区域的4个sx线路靶位进行上左区域的线路曝光，同时曝光出用于阻焊上左区域的对位光学点fid，再抓取上右区域的4个sx线路靶位进行上右区域的线路曝光，同时曝光出用于阻焊上右区域的对位光学点fid，然后再抓取下左区域的4个sx线路靶位进行下左区域的线路曝光，同时曝光出用于阻焊下左区域的对位光学点fid，最后再抓取下右区域的4个sx线路靶位进行下右区域的线路曝光，同时曝光出用于阻焊下右区域的对位光学点fid，达到线路四分割曝光制作，所述四分割曝光的分割线在pcb板的中心线上，且位于set工艺边上，如图2所示，图2中外围框为pnl板边，内围框为成型线，中心十字形分布线为pnl的中心线区域，同时也是对位曝光的分割线，该分割线位于各set的工艺边上，距离成型区至少保留1mm的间距，以保证四次曝光重叠位置不在成型区内，上述上左区域、上右区域、下左区域、下右区域四个不同区域分别进行一次曝光；图2中方形环块为sx镭射/sx线路靶位区域，一共9个区域，9个区域分布在田字的9个相交点区域。

参照图1，所述sk镭射靶位/sx线路靶位的靶孔图，中间内圆区域为laser孔是下孔径，经过co2镭射光线去烧表层的铜箔与pp，遇到n-2层的挡铜层（经过选镀加厚）后反射的区域。外部圆环为经过燃烧后pp区域，外部圆环外部板面为经过棕化后大铜面区域。此类靶孔需分布在pnl四个角落，距离成型区10mm以上,距离板边3mm以上，不同料号需做防呆机制。

参照图1至图3，本发明一非限制实施例，上述s1步骤所述n-2层内层制作在co2机台制作sk镭射靶位/sx线路靶位处设计有挡铜层，所述挡铜层采用选镀流程在sk镭射靶位/sx线路靶位对应区域进行加镀铜实现。

参照图1至图3，本发明一非限制实施例，所述挡铜层的加镀铜厚度在10um左右。

参照图1至图3，本发明一非限制实施例，所述选镀流程包括如下步骤，

步骤1：线路前处理，按正常工序对线路进行前处理；

步骤2：压膜，选取选镀干膜，在n-2层除sk镭射靶位/sx线路靶位对应区域以外的区域贴上选镀干膜进行保护；

步骤3：曝光，曝光机抓取pnl上的t靶进行对位，对除sk镭射靶位/sx线路靶位对应区域以外的区域进行曝光，确保显影后未选镀位置有干膜保护；

步骤4：选镀，采用电镀工艺对n-2层在sk镭射靶位/sx线路靶位对应区域进行电镀加厚。

参照图2，本发明一非限制实施例，上述s3步骤中的9个sx线路靶位呈田字点分布，一面的9个sx线路靶位均匀分布在田字的9个相交点上。

参照图2，本发明一非限制实施例，上述s3步骤中的sk镭射靶位的数量为9个，9个sk镭射靶位与9个sx线路靶位采用同样的分布方法。

参照图2，本发明一非限制实施例，所述9个sx线路靶位和9个sk镭射靶位均位于pnl的中心线上。

参照图2，本发明一非限制实施例，所述sk镭射靶位/sx线路靶位的大小为1.75mm*1.75mm的矩形区域，n-1层与sk镭射靶位/sx线路靶位相对应的区域设计为2mm*2mm的底板矩形区域，n-2层与sk镭射靶位/sx线路靶位相对应的区域设计为2.2mm*2.2mm选镀矩形区域。

参照图2，本发明一非限制实施例，所述方法还包括阻焊4分割曝光制作，所述阻焊4分割曝光制作为ldi阻焊4分割曝光制作，所述ldi阻焊4分割曝光制作原理同所述线路4分割曝光制作，具体地，所述ldi阻焊4分割曝光制作为采用ldi机台进行阻焊4分割曝光制作，线路ldi机台先抓取上左区域的对位光学点fid进行上左区域的曝光，再抓取上右区域的对位光学点fid进行上右区域的曝光，然后再抓取下左区域的对位光学点fid进行下左区域的曝光，最后再抓取下右区域的对位光学点fid进行下右区域的曝光，达到阻焊四分割曝光制作，所述四分割曝光的分割线在pcb板的中心线上。

参照图2，本发明一非限制实施例，所述方法还包括阻焊4分割曝光制作，所述阻焊4分割曝光制作为ccd曝光制作，所述ccd曝光制作包括，

步骤1：菲林制作，制作四张菲林片，每张菲林片仅用于曝光四个区域中的一个区域，其他三个区域的位置直接设计为不透光的负片；

步骤2：ccd曝光机台先抓取上左区域的对位光学点fid进行上左区域的曝光，再抓取上右区域的对位光学点fid进行上右区域的曝光，然后再抓取下左区域的对位光学点fid进行下左区域的曝光，最后再抓取下右区域的对位光学点fid进行下右区域的曝光，达到阻焊四分割曝光制作，所述四分割曝光的分割线在pcb板的中心线上。

上述实施例仅为本发明的具体实施例，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些显而易见的替换形式均属于本发明的保护范围。