一种倒边芯片的制作方法

本实用新型涉及芯片制造技术领域，特别是涉及一种倒边芯片。

背景技术：

谐振器就是指产生谐振频率的电子元件，常用的分为石英晶体谐振器和陶瓷谐振器。产生频率的作用，具有稳定，抗干扰性能良好的特点，广泛应用于各种电子产品中。

石英晶体谐振器的频率来自石英芯片的振动，普通的石英芯片在振动时振动能量分散，振动能量难以集中。

技术实现要素：

基于此，有必要提供一种倒边芯片。

一种倒边芯片，包括芯片主体，所述芯片主体上设置有至少一层台阶，各所述台阶依次堆叠设置于所述芯片主体的表面的几何中心上，所述台阶的厚度为2um～3um，各层所述台阶的体积相异设置，各所述台阶的几何中心相互对齐，各所述台阶的体积沿着靠近所述芯片主体至远离所述芯片主体的方向逐渐减小。

在其中一个实施例中，所述台阶具有相对设置的第一面及第二面，所述第一面平行于所述第二面设置，每一所述台阶的第一面与相邻的另一所述台阶的第二面相连接。

在其中一个实施例中，所述芯片主体的几何中心设置有连接面，所述台阶设置于所述连接面上，所述连接面的表面积大于所述第一面的表面积。

在其中一个实施例中，所述芯片主体的边缘设置有固定部，所述固定部用于固定所述芯片主体。

在其中一个实施例中，还包括电极片，所述电极片设置于距离所述芯片主体最远端的所述台阶背对所述芯片主体的侧面上。

在其中一个实施例中，所述电极片为金片、银片和铝片中的一种。

在其中一个实施例中，所述台阶的数量为2层或3层。

在其中一个实施例中，所述芯片主体与所述台阶为一体成型结构。

在其中一个实施例中，所述台阶的横截面为圆形。

在其中一个实施例中，所述台阶的横截面为方形。

本实用新型的有益效果：所述芯片主体的几何中心上设置有至少一层体积大小不一的所述台阶，各所述台阶从距离所述芯片主体由近到远的方向，按照体积由大到小的顺序依次排列连接，使得所述倒边芯片的几何中心的厚度大于所述倒边芯片边缘的厚度，所述倒边芯片在振动时，振动能量能够集中在所述倒边芯片的几何中心上，减少所述倒边芯片的边缘振动。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本实用新型的一种倒边芯片的结构示意图；

图2为本实用新型的一种倒边芯片的另一视角的结构示意图。

附图标记：

10、倒边芯片；100、芯片主体；200、台阶；300、电极片。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施方式。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本实用新型的公开内容理解的更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

请一并参阅图1及图2，一种倒边芯片10，包括芯片主体100，所述芯片主体100上设置有至少一层台阶200，各所述台阶200依次堆叠设置于所述芯片主体100的表面的几何中心上，所述台阶200的厚度为2um～3um，各层所述台阶200的体积相异设置，各所述台阶200的几何中心相互对齐，各所述台阶200的体积沿着靠近所述芯片主体100至远离所述芯片主体100的方向逐渐减小。

具体地，所述台阶200设置在所述芯片主体100表面的几何中心上，各所述台阶200从距离所述芯片主体100由近到远的方向，按照体积由大到小的顺序依次排列连接，使得所述倒边芯片10的几何中心的厚度大于所述倒边芯片10边缘的厚度，所述倒边芯片10在振动时，振动能量能够集中在所述倒边芯片10的几何中心上，减少所述倒边芯片10的边缘振动。

谐振器的频率来自石英芯片的振动，没有倒边的石英芯片，能量不集中，振动从中央扩散到边沿，但边沿会影响振动，另外固定位对芯片的表面造成应力，影响芯片的振动范围，也会影响石英振动的情况及频率，而本申请利用台阶200使得能量集中，减少固定位对芯片造成的应力影响。

在一个实施例中，所述台阶200具有相对设置的第一面及第二面，所述第一面平行于所述第二面设置，每一所述台阶200的第一面与相邻的另一所述台阶200的第二面相连接。具体地，各所述台阶200依次堆叠时，各所述台阶200的横截面的几何中心对齐，使得所述倒边芯片10的重心稳定，在振动时能够具有稳定的振动频率，使得所述倒边芯片10的振动频率易于调节控制。

为了使得倒边的石英芯片的能量更为集中，在一个实施例中，各所述台阶200的横截面的形状为中心对称图形，且为轴对称图形。通过将台阶200的横截面的形状为中心对称图形，且为轴对称图形，能够使得台阶200的质量分布更为均匀，有利于能量的进一步集中。比如，各所述台阶200的横截面的形状为为圆形、正方形、正六边形、正八边形或者正多边形。

在一个实施例中，各所述台阶的横截面的形状相异设置，且各所述台阶200的横截面的形状为中心对称图形，且为轴对称图形，比如，靠近芯片主体100的台阶的截面形状为正方形，与该方形的台阶的相邻的台阶的截面形状为正六边形，与该正六边形的台阶的相邻的另一台阶的截面形状为正八边形，与该正八边形的台阶的相邻的另一台阶的截面形状为圆形，这样，一方面，即可使得倒边的石英芯片的能量更为集中，另一方面，方形台阶四个角能够凸出正六边形台阶的边缘，正六边形台阶的六个角能够凸出正八边形台阶的边缘，如此，各台阶至少有部分凸出相邻台阶的边缘，凸出相邻台阶的边缘能够储存部分能量，使得能量更为集中。

在一个实施例中，所述芯片主体100的几何中心设置有连接面，所述台阶200设置于所述连接面上，所述连接面的表面积大于所述第一面的表面积。

具体地，所述台阶200设置于所述芯片主体100上时，所述台阶200与所述连接面产生一个高度差，所述芯片主体100的振动能量能够传递给所述台阶200，使得所述倒边芯片10的振动能量能够集中。

在一个实施例中，所述芯片主体100的边缘设置有固定部，所述固定部用于固定所述芯片主体100。具体地，为了减少所述芯片主体100边缘对振动能量的分散作用，所述芯片主体100的边缘位置的高度低于所述倒边芯片10几何中心上叠加了所述台阶200后的高度，能够减少边缘振动的影响。

在一个实施例中，为了实现所述倒边芯片10的电路连通，还包括电极片300，所述电极片300设置于距离所述芯片主体100最远端的所述台阶200背对所述芯片主体100的侧面上，所述倒边芯片10使用导电银浆来固定。

在一个实施例中，为了使所述电极片300具有较好的导电效率，所述电极片300为金片、银片和铝片中的一种。

在一个实施例中，所述台阶200的数量为2层或3层。

具体地，根据需要产生的频率选择合适数量的台阶200，所需频率小于20mhz时，所述台阶200的数量大于3层；所需频率在20mhz～40mhz时，所述台阶200的数量为2层；所需频率大于40mhz时，所述台阶200的数量为1～2层；即，所述台阶200的数量越多，产生的振动频率越低。

在一个实施例中，为了使得所述芯片主体100具有较强的结构强度，所述芯片主体100与所述台阶200为一体成型结构。具体地，先用真空镀膜的方法在晶片上镀上不同厚度的铬层、金层或其他稳定性高的金属，然后使用干法刻蚀方法，组件在高真空环境下，机器产生离子，有方向性地打向石英或金属表面，并进行化学反应，造成刻蚀的效果，刻蚀石英或者金属表面，造成局部性台阶200，如倒边效果，晶体振荡能量会集中在中心，减少不要的边沿振动及减少固定位置的变化带来振动不稳定的影响。

值得说明的是，本申请在石英芯片上采用不同镀膜厚度以造成不同程度的阻挡，在同一刻蚀速度下，刻蚀石英的时间便不一样，石英表面被刻蚀的程度不一样，导致石英芯片表面具有多层体积不同的台阶200。本申请优选干法刻蚀的方法进行刻蚀，湿法刻蚀的过程中需要使用光刻胶等化学品，污染程度较高，对污水的处理成本较高。

在一个实施例中，为了使所述倒边芯片10的振动能量在所述台阶200上分布均匀，所述台阶200的横截面为圆形。

在一个实施例中，为了便于刻蚀，使得所述倒边芯片10的振动能量均匀，所述台阶200的横截面为方形。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施方式仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。