一种石英晶片谐振器及其石英晶片电极的制作方法

本实用新型涉及石英晶体器件技术领域，特别涉及一种石英晶片谐振器及其石英晶片电极。

背景技术：

谐振器就是指产生谐振频率的电子元件，具有稳定、抗干扰性能良好的特点，主要包括有石英晶片、陶瓷基座和外壳等，具有稳定、抗干扰性能好等特点，广泛应用于各种电子产品中。

在晶振的制造工艺中，需要对石英晶片贴装电极，但现有的银镀膜电极对温度变化相对敏感，在高温会引发结球现象，导致谐振器品质下降，使用金镀膜电极虽然能改善这种问题，但材料价格昂贵，不利于控制产品成本。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是如何降低银镀膜电极对温度变化的敏感度，避免银镀膜电极出现结球现象，因此，提供一种石英晶片电极。

本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：一种石英晶片电极，包括：银镀膜和金属镀膜，所述金属镀膜与所述银镀膜依次层叠设置，所述银镀膜的一面与所述金属镀膜贴合，所述银镀膜的另一面用于贴合于石英晶片上；

所述金属镀膜为铝镀膜、铂镀膜和钛镀膜中的一种。

在一个实施例中，所述银镀膜的厚度为200～300nm。

在一个实施例中，所述金属镀膜的厚度为3～10nm。

在一个实施例中，所述银镀膜通过高真空蒸镀附着在所述石英晶片上。

在一个实施例中，所述金属镀膜通过高真空蒸镀附着在所述银镀膜上。

在一个实施例中，所述银镀膜的形状为方形或圆形。

在一个实施例中，所述金属镀膜的形状为方形或圆形。

在一个实施例中，所述金属镀膜的表面积与所述银镀膜的表面积相同。

在一个实施例中，所述银镀膜与所述金属镀膜的厚度比为20～30:0.3～1。

在一种石英晶片电极的应用方式中，一种石英晶片谐振器，其特征在于，包括：权利要求1～9任一项中所述的石英晶片电极。

本实用新型的有益效果是：本实用新型提供的一种石英晶片电极，通过在所述银镀膜上设置一层致密的金属镀膜，能够隔绝空气中水、氧和氮等物质与所述银镀膜发生化学反应，能够在高温条件下，避免所述银镀膜表面出现结球的情况，维持了所述石英晶片电极的固有属性，满足了其高温低散差的条件，所述金属镀膜为铝镀膜、铂镀膜或钛镀膜，对所述银镀膜导电性能影响较小，相对于使用金镀膜作为电极，成本较低。

附图说明

图1为一个实施例的一种石英晶片电极的剖面结构示意图。

附图中，100、石英晶片；200、银镀膜；300、金属镀膜。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。以下将结合本实用新型实施例的附图，对本实用新型的技术方案做进一步描述，本实用新型不仅限于以下具体实施方式。

需要理解的是，实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件。在本实用新型的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。

如图1所示，在一个实施例中，一种石英晶片电极，包括：银镀膜200和金属镀膜300，所述金属镀膜300与所述银镀膜200依次层叠设置，所述银镀膜200的一面与所述金属镀膜300贴合，所述银镀膜200的另一面用于贴合于石英晶片100上；所述金属镀膜300为铝镀膜、铂镀膜和钛镀膜中的一种。

在本实施例中，所述石英晶片电极包括所述银镀膜200和所述金属镀膜300，所述金属镀膜300的一面贴合在所述银镀膜200上，即所述银镀膜200的一面与所述金属镀膜300贴合，所述银镀膜200远离所述铝膜的另一面用于贴合在所述石英晶片100上，形成所述石英晶片100的电极，通过向所述银镀膜200和所述金属镀膜300施加电压时，所述石英晶片100会以恒定频率振荡变形，从而制得的谐振器在稳频和选频方面具有突出的优点，通过在所述银镀膜200上贴合一层所述金属镀膜300，使得所述银镀膜200上能够隔绝空气中水、氧和氮等物质与所述银镀膜200发生化学反应，在高温条件下，能够避免所述银镀膜200表面出现结球的情况，不会增加所述银镀膜200的电阻值，维持了所述银镀膜200的固有属性，满足了所述石英晶片电极在高温条件下低散差的需求。所述金属镀膜300为铝镀膜、铂镀膜和钛镀膜中的一种，可以根据生产成本的高低进行选择，此处不做具体限定，所述铝镀膜、所述铂镀膜和所述钛镀膜对所述银镀膜200导电性能的影响较小，所述铝镀膜贴合在所述银镀膜200上、所述铂镀膜贴合在所述银镀膜200上和所述钛镀膜贴合在所述银镀膜200上三者均能够有效避免所述银镀膜200表面出现结球的情况，相对于使用金镀膜作为所述石英晶片100的电极的成本较低。

在本实施中，所述银镀膜200通过高真空蒸镀附着在所述石英晶片100上，所述金属镀膜300通过高真空蒸镀附着在所述银镀膜200上。具体的，将所述石英晶片100放在晶片加工夹具中，然后放入高真空镀膜机中，然后在所述石英晶片100上镀上一层所述银镀膜200，然后在所述银镀膜200上蒸镀一层所述金属膜，所述金属膜为所述铝镀膜、所述铂镀膜和所述钛镀膜中的任意一种。

示例性的，本实用新型提供的一种石英晶片电极，通过在所述银镀膜200上设置一层致密的金属镀膜300，能够隔绝空气中水、氧和氮等物质与所述银镀膜200发生化学反应，能够在高温条件下，避免所述银镀膜200表面出现结球的情况，维持了所述石英晶片电极的固有属性，满足了其高温低散差的条件，所述金属镀膜300为铝镀膜、铂镀膜或钛镀膜，对所述银镀膜200导电性能影响较小，相对于使用金镀膜作为电极，成本较低。

在一个实施例中，所述银镀膜200的厚度为200～300nm。具体的，通过将所述银镀膜200的厚度设置为200～300nm，可以通过调整所述银镀膜200的厚度实现微调所述石英晶片100的谐振频率，即所述石英晶片100上的所述银镀膜200的质量的增加或减少能够改变所述石英晶片100的谐振频率。相应的，所述金属镀膜300的厚度为3～10nm，可以根据对所述银镀膜200导电性能的影响进行调整，即能够防止所述银镀膜200结球，且能通过调整所述金属镀膜300的厚度进行微调所述银镀膜200的电阻，实现微调所述石英晶片100的谐振频率。

在本实施中，所述银镀膜200与所述金属镀膜300的厚度比为20～30:0.3～1。具体的，所述银镀膜200的厚度大小与所述石英晶片100的谐振频率相关，所述金属镀膜300的厚度大小与避免所述银镀膜200结球的效果相关，同时所述金属镀膜300的厚度大小间接影响所述石英晶片100的谐振频率，为了更好地避免所述银镀膜200在高温条件下不会出现结球的情况，所述银镀膜200与所述金属镀膜300的厚度比可以为30:1，为了减少所述金属镀膜300对所述银镀膜200的电阻值的影响，所述银镀膜200与所述金属镀膜300的厚度比可以为25:0.3。

为了更好地避免在高温条件下，所述银镀膜200出现结球的情况。在一个实施例中，所述金属镀膜300的表面积与所述银镀膜200的表面积相同。具体的，通过将所述金属镀膜300的表面积设置成与所述银镀膜200的表面积相同，例如，所述银镀膜200的形状为方形，相应的，所述金属镀膜300的形状为方形，且两者的形状大小相同；再例如，所述银镀膜200的形状为圆形，相应的，所述金属镀膜300的形状为圆形，且两者的形状大小相同，即所述金属镀膜300的宽度与所述银镀膜200的宽度相同，从而在所述银镀膜200上完全覆盖有所述金属镀膜300，能够起到更好的保护作用。

在一种石英晶片电极的应用方式中，一种石英晶片谐振器，包括上述实施例中的任一个实施例中所述的石英晶片电极，能够在高温条件下，更好地维持所述石英晶片谐振器的电气性能。

显然，本实用新型的上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例，而并非是对本实用新型的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型权利要求的保护范围之内。