薄膜转接板的制作方法和薄膜转接板与流程

文档序号:34218480发布日期:2023-05-19 20:24阅读:61来源:国知局
薄膜转接板的制作方法和薄膜转接板与流程

本申请涉及薄膜线路,尤其是涉及一种薄膜转接板的制作方法和薄膜转接板。


背景技术:

1、随着ic(integrated circuit,集成电路)的集成度越来越高,为匹配集成电路的高密度化需求,用于pcb(printed circuit board,印制电路板)的转接板产品的焊盘间距也越来越小。转接板在有限的布线空间内需要设计更多的i/o接口,因此需要更加精细的线路及导通孔,同时需要将表面的走线扇出到内层,需要的阶数也较高。因此转接板的板厚越来越厚且导通孔的孔径越来越小,线路越来越精细。传统的转接板已无法满足测试要求,此时就需要更加精密的转接板来满足测试需求。

2、相关技术中,使用薄膜转接板来提高单位面积中的i/o接口数量,薄膜转接板是在转接板上通过使用薄膜线路叠层的方式,来缩小产品焊盘之间的间距,薄膜线路的层数越多,所能制作的焊盘之间的间距越小。而限制薄膜线路层数的主要因素是转接板的平整度(当前转接板的平整度为50μm),由于薄膜线路是采用光刻技术制备线宽为5-25μm的线路,转接板的平整度太差会导致线路难以光刻或者线路弯曲,因此,亟需解决转接板的平整度问题。


技术实现思路

1、本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本申请提出一种薄膜转接板的制作方法,能够提高转接板的平整度。

2、本申请还提出一种使用薄膜转接板的制作方法制作的薄膜转接板。

3、根据本申请的第一方面实施例的薄膜转接板的制作方法,包括:制作转接基板;其中,所述转接基板包括焊盘;在所述转接基板上制作缓冲层;对所述缓冲层进行平整处理,并露出所述焊盘;在所述缓冲层上制作薄膜层,并引出所述焊盘。

4、根据本申请实施例的薄膜转接板的制作方法,至少具有如下有益效果:通过在转接基板上制作一层缓冲层,并将缓冲层进行平整化处理,通过缓冲层的覆盖,再继续制作薄膜层,提高了薄膜层制作时基底的平整度,从而提高了转接板整体的平整度,并可以提高薄膜层中堆叠的线路的层数,以提高i/o接口的集成度。

5、根据本申请的一些实施例,所述在所述转接基板上制作缓冲层,包括:在所述转接基板表面均匀涂覆树脂;将所述树脂进行曝光显影处理,得到所述缓冲层。

6、根据本申请的一些实施例,所述在所述转接基板表面均匀涂覆树脂的步骤,包括:将所述转接基板固定于匀胶机上;将光敏聚酰亚胺滴在所述转接基板的中心位置;使所述转接基板旋转,以使所述光敏聚酰亚胺均匀涂覆。

7、根据本申请的一些实施例,所述将光敏聚酰亚胺滴在所述转接基板的中心位置的步骤,包括:将5至15毫升的所述光敏聚酰亚胺滴在所述转接基板的中心位置。

8、根据本申请的一些实施例,所述使所述转接基板旋转,以使所述光敏聚酰亚胺均匀涂覆的步骤,包括:使所述转接基板以1500至3000转每分钟的转速旋转10至60秒,以使所述光敏聚酰亚胺均匀涂覆。

9、根据本申请的一些实施例,所述将所述树脂进行曝光显影处理,得到所述缓冲层的步骤,包括:对所述光敏聚酰亚胺进行预烘烤处理;对所述光敏聚酰亚胺进行曝光显影处理,以露出所述焊盘;对所述光敏聚酰亚胺进行烘烤固化处理,得到所述缓冲层。

10、根据本申请的一些实施例,所述对所述光敏聚酰亚胺进行预烘烤处理的步骤,包括:对所述光敏聚酰亚胺以90至130摄氏度的温度烘烤2至10分钟。

11、根据本申请的一些实施例,对所述光敏聚酰亚胺进行烘烤固化处理,得到所述缓冲层的步骤,包括:对所述光敏聚酰亚胺以180至300摄氏度的温度,在氮气氛围下烘烤30至120分钟,得到所述缓冲层。

12、根据本申请的一些实施例,所述对所述缓冲层进行平整处理,并露出所述焊盘的步骤,包括:对所述缓冲层进行化学机械研磨,直至所述缓冲层与所述焊盘齐平。

13、根据本申请的第二方面实施例的薄膜转接板,所述薄膜转接板由上述第一方面实施例所述的一种薄膜转接板的制作方法制成。

14、本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本申请的实践了解到。



技术特征:

1.一种薄膜转接板的制作方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种薄膜转接板的制作方法,其特征在于,所述在所述转接基板上制作缓冲层,包括:

3.根据权利要求2所述的一种薄膜转接板的制作方法,其特征在于,所述在所述转接基板表面均匀涂覆树脂的步骤,包括:

4.根据权利要求3所述的一种薄膜转接板的制作方法,其特征在于,所述将光敏聚酰亚胺滴在所述转接基板的中心位置的步骤,包括:

5.根据权利要求4所述的一种薄膜转接板的制作方法,其特征在于,所述使所述转接基板旋转,以使所述光敏聚酰亚胺均匀涂覆的步骤,包括:

6.根据权利要求3所述的一种薄膜转接板的制作方法,其特征在于,所述将所述树脂进行曝光显影处理,得到所述缓冲层的步骤,包括:

7.根据权利要求6所述的一种薄膜转接板的制作方法,其特征在于,所述对所述光敏聚酰亚胺进行预烘烤处理的步骤,包括:

8.根据权利要求6所述的一种薄膜转接板的制作方法,其特征在于,对所述光敏聚酰亚胺进行烘烤固化处理,得到所述缓冲层的步骤,包括:

9.根据权利要求1所述的一种薄膜转接板的制作方法,其特征在于,所述对所述缓冲层进行平整处理,并露出所述焊盘的步骤,包括:

10.一种薄膜转接板,其特征在于,所述薄膜转接板由权利要求1至9任一项所述的一种薄膜转接板的制作方法制成。


技术总结
本申请公开了一种薄膜转接板的制作方法和薄膜转接板。制作方法包括:包括:制作转接基板;其中,所述转接基板包括焊盘;在所述转接基板上制作缓冲层;对所述缓冲层进行平整处理,并露出所述焊盘;在所述缓冲层上制作薄膜层,并引出所述焊盘。通过在转接基板上制作一层缓冲层,并将缓冲层进行平整化处理,通过缓冲层的覆盖,再继续制作薄膜层,提高了薄膜层制作时基底的平整度,从而提高了转接板整体的平整度,并可以提高薄膜层中堆叠的线路的层数,以提高I/O接口的集成度。

技术研发人员:易凡,刘湘龙,林楚涛,黄贵福,胡梦海
受保护的技术使用者:广州兴森快捷电路科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/12
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