一种超薄玻璃转接板的制作方法与制造工艺

本发明涉及一种玻璃转接板的制作方法，尤其涉及一种超薄玻璃转接板的制作方法。

背景技术：
在三维堆叠的芯片结构中，玻璃转接板因其优良的电绝缘性、低廉的制作成本及良好工艺兼容性，越来越成为人们的研究热点。但至玻璃上制作通孔并进行可靠地金属填充有一定的挑战性。目前已经提出了多种玻璃打孔方法，如激光打孔、干法刻蚀、湿法刻蚀和玻璃回流法等。激光打孔的缺点在于只能单个打孔，时间成本较高，且激光打孔过程中造成孔壁出现微裂纹等损伤会影响填充金属的可靠性；干法刻蚀工艺刻蚀速率慢，一般不高于1um/min，且成本较高；湿法刻蚀属于各相同性刻蚀，很难制作高密度、小尺寸的垂直通孔。另外，对于超薄玻璃转接板制作也有多种方法提出，如采用超薄玻璃(<100um)、玻璃减薄等方法。采用超薄玻璃的难点在于工艺过程中对超薄玻璃的拿持，很容易让玻璃碎掉。而是用玻璃减薄这种方法的难点在于玻璃的减薄速度很慢，且在减薄到一定程度后，减薄的过程会使得玻璃片碎掉，这就要求载片和玻璃之间的高键合质量。公开号为US20130050226的美国专利中涉及到了多种制作玻璃通孔的方法。一、玻璃衬底上下两面采用湿法刻蚀，并使上下孔位置对准，该方法刻蚀速率高，但属于各相同性刻蚀，无法制作高密度垂直互联结构；二、玻璃衬底上下两面采用喷砂法，并使上下孔位置对准，与湿法一样，该方法无法制作高密度垂直互联结构，侧壁及表面损伤较大；三、等离子体刻蚀，该方法可获得垂直的高密度的互联结构，缺点是玻璃刻蚀速率非常低，没有高选择比的刻蚀掩膜材料。公开号为US20130034688的美国专利中涉及了一种采用准分子激光器打孔的方法，该方法可在不同厚度(30-700um)的玻璃上制作高密度的玻璃通孔，缺点是玻璃通孔呈锥形，对于后续通孔无缝填充金属可造成较大影响，激光法只能单个制作通孔，很难同时制作多通孔，增加了时间成本。公开号为US20110229687的美国专利中涉及了一种类似Bosch工艺制作TSV(硅片通道)的方法。首先在玻璃表面制作掩膜层并定义开口，然后通过刻蚀-制作钝化层-去除底部钝化层-刻蚀循环步骤进行玻璃通孔制作。刻蚀步骤采用刻蚀溶液或者刻蚀剂蒸汽。采用湿法时，沉积钝化层及刻蚀底部钝化层增加了工艺步骤，且湿法刻蚀属于各相同性刻蚀，扇贝结构尺寸较大。采用蒸汽时，刻蚀速率会大大降低，影响了刻蚀效率。

技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种超薄玻璃转接板的制作方法，其具有工艺步骤少、制作效率高和制作成本低的特点，以解决现有技术中超薄玻璃转接板的制作过程中存在的上述问题。为达此目的，本发明采用以下...