技术特征：
1.一种具有片上温度补偿的双谐振器，其特征在于：所述的具有片上温度补偿的双谐振器，包括锚点(1)，弹簧(2)，振荡器(3)，驱动电极(4)，感应电极(5)，重掺杂氧化层(6)；锚点(1)通过弹簧(2)与振荡器(3)连接，驱动电极(4)和感应电极(5)与振荡器(3)连接，振荡器(3)表面带有重掺杂氧化层(6)。2.根据权利要求1所述的具有片上温度补偿的双谐振器，其特征在于：所述的振荡器(3)至少包括一个弹簧(2)，弹簧(2)通过等离子体刻蚀硅，然后处理弹簧(2)和振荡器(3)的表面以提高温度性能而形成的。3.根据权利要求1所述的具有片上温度补偿的双谐振器，其特征在于：谐振器使用光刻和等离子体蚀刻与硅芯片的边缘不同的角度取向，以提高定时振荡器的热性能；第二参考谐振器也以不同的方向形成在晶片上。4.根据权利要求1所述的具有片上温度补偿的双谐振器，其特征在于：低频率温度系数谐振器和弹簧覆盖二氧化硅层，通过化学气相沉积或热氧生长。5.根据权利要求1所述的具有片上温度补偿的双谐振器，其特征在于：低频率温度系数谐振器和弹簧的设计能以不同于硅边缘角度位置，角度为15到40度。6.根据权利要求1所述的具有片上温度补偿的双谐振器，其特征在于：电路晶圆是cmos晶圆，或简单的多金属层互连晶圆；谐振器是单晶，或掺杂的多晶硅、外延多晶或si-ge层。7.根据权利要求1所述的具有片上温度补偿的双谐振器，其特征在于：沉积氧化层：首先在soi器件层上生长氧化层(8)，单晶硅器件层(9)能是多晶硅或者多晶硅外延层。
技术总结
一种具有片上温度补偿的双谐振器，包括锚点，弹簧，振荡器，驱动电极，感应电极，重掺杂氧化层，锚点通过弹簧与振荡器连接，驱动电极和感应电极与振荡器连接，振荡器表面带有重掺杂氧化层；分为高温振荡器和低温振荡器两段，低温振荡器与MEMS芯片边缘呈15-40度的夹角，以提高钟摆的热性能，有效提高温控灵敏度，对低温振荡器进行重掺杂，掺杂元素是硼，砷，磷元素用以提高其热性能。本实用新型的优点：通过设计双谐振器，通过频率温度补偿调整谐振器固有频率，提高压力传感器的输出精度，不仅可以应用于MEMS谐振式压力传感器，也可以应用于定时谐振器，过滤器，陀螺仪，谐振式化学传感器等领域。域。域。
技术研发人员：黄向向 杨敏 道格拉斯
受保护的技术使用者：罕王微电子（辽宁）有限公司
技术研发日：2021.12.03
技术公布日：2022/12/5