太赫兹装置的制作方法

本发明涉及太赫兹装置。

背景技术：

1、近年来，由于晶体管等的电子器件的精细化在发展，电子器件的大小变成纳米尺寸，因此能够观测到称为量子效应的现象。并且，以利用该量子效应的超高速器件或新功能器件的实现为目标的开发正在被推进。

2、在这样的环境中，尝试了利用特别是频率为0.1thz～10thz的称为太赫兹带的频率区域的电磁波进行大容量通信或信息处理、或者成像或测量等。该频率区域兼具光和电波双方的特性，如果能够实现在该频带进行动作的器件，除了上述的成像、大容量通信·信息处理以外，还能够用于物性、天文、生物等的各种领域的测量等广泛的用途。

3、作为发出或者接收太赫兹带的频率的电磁波元件，例如公知有集成谐振隧道二极管和微细槽缝天线的构造的元件(例如参照专利文献1)。并且，例如专利文献2的太赫兹装置公开了将专利文献1那样的元件封装化而成的结构。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特开2016-111542号公报

7、专利文献2：日本特开2019-75544号公报

技术实现思路

1、发明要解决的技术问题

2、但是，对于现有的太赫兹装置，关于天线增益的提高还存在改善的余地。

3、本发明的目的在于提供能够使天线增益提高的太赫兹装置。

4、用于解决课题的技术方案

5、解决上述课题的太赫兹装置(terahertz device)，其包括：太赫兹元件，其具有元件主面、和朝向与上述元件主面相反侧的元件背面，发出太赫兹带的电磁波并且以与上述元件主面正交的方向作为厚度方向；和反射体，其配置在相对于上述元件主面在上述厚度方向上隔开间隔地相对的位置，具有使上述太赫兹元件向上述厚度方向发出的电磁波向与上述厚度方向交叉的方向反射的反射面。

6、依据该结构，从太赫兹元件辐射的电磁波，通过在反射体的反射面反射从而在向与太赫兹元件的厚度方向交叉的方向提高了电磁波的指向性的状态下射出到太赫兹装置的外部。由此，能够使天线增益提高。

7、解决上述课题的太赫兹装置，其包括：太赫兹元件，其具有元件主面和朝向与上述元件主面相反侧的元件背面，接收和检测太赫兹带的电磁波并且以与上述元件主面正交的方向作为厚度方向；和反射体，其具有朝向与上述厚度方向交叉的方向开口的开口部，和配置在相对于上述元件主面在上述厚度方向上隔开间隔地相对的位置的反射面，上述反射面使从上述太赫兹装置的外部经由上述开口部传播的电磁波向朝向上述太赫兹元件的方向反射。

8、依据该结构，经由开口部从与太赫兹元件的厚度方向交叉的方向传播来的电磁波，通过在反射体的反射面反射而向太赫兹元件传播。由此，能够使相对从与太赫兹元件的厚度方向交叉的方向传播的电磁波的天线增益提高。

9、发明效果

10、依据上述太赫兹装置，能够使天线增益提高。

技术特征：

1.一种太赫兹装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的太赫兹装置，其特征在于：

3.如权利要求1或2所述的太赫兹装置，其特征在于：

4.如权利要求1～3中任一项所述的太赫兹装置，其特征在于：

5.如权利要求1～4中任一项所述的太赫兹装置，其特征在于，包括：

6.如权利要求1～4中任一项所述的太赫兹装置，其特征在于，包括：

7.如权利要求6所述的太赫兹装置，其特征在于：

8.如权利要求7所述的太赫兹装置，其特征在于：

9.如权利要求6～8中任一项所述的太赫兹装置，其特征在于：

10.如权利要求9所述的太赫兹装置，其特征在于：

11.如权利要求1～4中任一项所述的太赫兹装置，其特征在于：

12.如权利要求1～4中任一项所述的太赫兹装置，其特征在于：

13.如权利要求1～4中任一项所述的太赫兹装置，其特征在于：

14.如权利要求13所述的太赫兹装置，其特征在于：

15.如权利要求1～14中任一项所述的太赫兹装置，其特征在于：

16.如权利要求1～14中任一项所述的太赫兹装置，其特征在于：

17.一种太赫兹装置，其特征在于，包括：

技术总结
本发明提供一种太赫兹装置(10)，其包括：支承基板(20)；搭载在支承基板(20)的、发出太赫兹带的电磁波的太赫兹元件(50)；和反射体(40)，其在z方向上相对于元件主面(51)在与元件背面(52)相反侧且与元件主面(51)在z方向上隔开间隔地配置，具有使太赫兹元件(50)向z方向发出的电磁波向与z方向交叉的方向反射的反射面(47a)。

技术研发人员：鹤田一魁
受保护的技术使用者：罗姆股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12