一种晶振片的再生装置及工艺的制作方法

1.本发明属于电子元器件技术领域，具体是指一种晶振片的再生装置及工艺。


背景技术：

2.晶振片在膜厚控制领域是必不可少的控制元器件。晶振片是通过石英棒经过反复切割和研磨，形成圆片，然后在圆片上下两面镀上金属电极。目前oled制造过程中主要采用镀金电极。晶振片的工作原理就是晶振的频率会随着膜厚的增加而改变，通过测试频率的变化来确定膜厚和速率。但是，当晶振片沉积较厚膜层时，频率下降太多，震荡器不能稳定工作，产生跳频现象。此外，沉积较厚膜层时，将影响晶振片的振动模式，此时需要更换晶振片。因此，晶振片属于消耗型源器件，在使用后往往会报废掉，产生一笔很大的费用。
3.中国专利实用新型专利cn 203599144 u和中国发明专利cn 112923679a公开了通过加热装置去除晶振片上的有机薄膜，从而使晶振片频率恢复至原有频率，实现晶振片再生。采用加热再生工艺，存在以下几个问题：1、晶振片正常工作温度-20～80℃，经过高温处理后，存在退极化效应，固有频率将下降；2、晶振片较薄易碎，经过快速升降温后，容易产生内应力，使晶片产生裂纹；3、加热设备复杂，处理成本较高。
4.中国实用新型专利cn213529921 u公开了一种采用20％氟化氢氨水溶液浸泡6小时再生晶振片的方法。虽然氟化氢氨能有效去除金属镀层，但有机薄膜镀层去除效果差，而且氟化氢氨会腐蚀石英晶体，再生后晶振片精度和寿命会下降。


技术实现要素：

5.本发明所要解决的技术问题之一在于提供一种晶振片的再生装置，用于实现晶振片的再生工艺。
6.本发明所要解决的技术问题之二在于提供一种晶振片的再生工艺，该工艺的处理方法简单，再生后晶振片频率可恢复原值，能够实现晶振片重复利用。
7.本发明是这样实现的：
8.一种晶振片的再生装置，包括：依次紧邻设置的紫外光照腔室、化学试剂浸泡腔室和无水乙醇清洗腔室；所述紫外光照腔室内部设有用于放置晶振片的承载台，在所述承载台上方设置紫外灯；所述化学试剂浸泡腔室和所述无水乙醇清洗腔室的的外壳均采用304不锈钢。
9.进一步地，所述化学试剂浸泡腔室的内壁采用聚四氟乙烯作为内衬。
10.一种晶振片的再生工艺，使用如上所述的一种晶振片的再生装置，该再生工艺包括如下步骤：
11.步骤一：紫外灯光照预处理：
12.将报废晶振片置入紫外光照腔室的承载台上，紫外光从上往下直接照射晶振片；
13.步骤二：化学试剂清洗：
14.将经过紫外光照后的晶振片放入化学试剂浸泡腔室浸泡30-60min；
15.步骤三：无水乙醇清洗：
16.化学试剂清洗后，放入无水乙醇清洗腔室进行清洗，去除晶振片上残留的化学试剂；
17.步骤四：压缩空气吹干。
18.进一步地，还包括：步骤五：再生后晶振片进行频率测试，若符合要求，即可上机重复使用。
19.进一步地，所述紫外灯的紫外光照度20-50mw/cm2，波长185nm。
20.进一步地，所述步骤一中的紫外灯光照预处理，时间为5-10min。
21.进一步地，所述化学试剂浸泡腔室内的化学试剂采用甲乙酮或乙酸乙酯。
22.本发明的优点在于：
23.1、与加热再生工艺相比，本发明采用常温处理，确保再生后晶振片的固有频率不会发生变化。
24.2、本发明采用紫外灯光照预处理，使晶振片上的有机分子先反应生成不稳定基团，有利于下一步的化学试剂浸泡清洗，晶振片上的有机薄膜去除率高。
25.3、本发明采用甲乙酮或乙酸乙酯试剂清洗，不会损伤晶振片上的电极和石英晶片，不影响再生后晶振片的寿命。
26.4、本发明处理工艺简单，再生后晶振片频率可恢复原值，能够实现晶振片重复利用。
附图说明
27.下面参照附图结合实施例对本发明作进一步的描述。
28.图1是本发明的再生工艺所使用的再生装置结构示意图。
29.图2是本发明的再生工艺流程示意图。
30.附图标记：
31.1、紫外光照腔室11、承载台12、紫外灯2、化学试剂浸泡腔室21、内衬3、无水乙醇清洗腔室100、晶振片
具体实施方式
32.如图1所示，本发明的一种晶振片的再生工艺所使用的再生装置，包含三个腔室依次紧邻设置，从左到右分别为紫外光照腔室1、化学试剂浸泡腔室2和无水乙醇清洗腔室3。紫外光照腔室1内部设有用于放置晶振片100的承载台11，在所述承载台11上方设置紫外灯12。化学试剂浸泡腔室2的外壳采用304不锈钢，并且采用聚四氟乙烯为内衬21，防止腔室壁被化学试剂腐蚀。无水乙醇清洗腔室3的的外壳也采用304不锈钢。具体的再生工艺如图2所示，包括如下步骤：
33.步骤一：紫外灯uv光照预处理：
34.将报废晶振片100置入紫外光照腔室1内的承载台11上，进行紫外灯光照预处理，时间为5-10min。紫外灯12的紫外光照度20-50mw/cm2，波长185nm；
35.大多数碳氢化合物对185nm波长的紫外光具有较强的吸收能力，有机物吸收紫外光的能量后分解成离子、游离态原子、受激分子等；同时高能紫外光可以激发空气产生极强
氧化能力的臭氧、自由基等活性物种，攻击晶振片100上有机分子的化学键，发生解链，形成不稳定基团。
36.步骤二：化学试剂清洗：
37.将经过紫外光照后的晶振片放入化学试剂浸泡腔室2浸泡30-60min；化学试剂浸泡腔室内的化学试剂采用甲乙酮或乙酸乙酯；在浸泡过程中，晶振片上的经紫外光照后形成的不稳定基团发生溶解脱落。
38.步骤三：无水乙醇清洗：
39.化学试剂清洗后，放入无水乙醇清洗腔室3进行清洗，去除晶振片上残留的化学试剂。
40.步骤四：压缩空气吹干。
41.无水乙醇清洗后，采用压缩空气进行吹干。
42.步骤五：再生后的晶振片进行频率测试，若符合要求，即可上机重复使用。
43.与加热再生工艺相比，本发明采用常温处理，确保再生后晶振片的固有频率不会发生变化。本发明采用紫外灯光照预处理，使晶振片上的有机分子先反应生成不稳定基团，有利于下一步的化学试剂浸泡清洗，晶振片上的有机薄膜去除率高。本发明采用甲乙酮或乙酸乙酯试剂清洗，不会损伤晶振片上的电极和石英晶片，不影响再生后晶振片的寿命。本发明处理工艺简单，再生后晶振片频率可恢复原值，能够实现晶振片重复利用。
44.以上所述仅为本发明的较佳实施用例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换以及改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。


技术特征：
1.一种晶振片的再生装置，其特征在于：包括：依次紧邻设置的紫外光照腔室、化学试剂浸泡腔室和无水乙醇清洗腔室；所述紫外光照腔室内部设有用于放置晶振片的承载台，在所述承载台上方设置紫外灯；所述化学试剂浸泡腔室和所述无水乙醇清洗腔室的的外壳均采用304不锈钢。2.如权利要求1所述的一种晶振片的再生装置，其特征在于：所述化学试剂浸泡腔室的内壁采用聚四氟乙烯作为内衬。3.一种晶振片的再生工艺，其特征在于：使用如权利要求1或2所述的一种晶振片的再生装置，该再生工艺包括如下步骤：步骤一：紫外灯光照预处理：将报废晶振片置入紫外光照腔室的承载台上，紫外光从上往下直接照射晶振片；步骤二：化学试剂清洗：将经过紫外光照后的晶振片放入化学试剂浸泡腔室浸泡30-60min；步骤三：无水乙醇清洗：化学试剂清洗后，放入无水乙醇清洗腔室进行清洗，去除晶振片上残留的化学试剂；步骤四：压缩空气吹干。4.如权利要求3所述的一种晶振片的再生工艺，其特征在于：还包括：步骤五：再生后晶振片进行频率测试，若符合要求，即可上机重复使用。5.如权利要求3所述的一种晶振片的再生工艺，其特征在于：所述紫外灯的紫外光照度20-50mw/cm2，波长185nm。6.如权利要求5所述的一种晶振片的再生工艺，其特征在于：所述步骤一中的紫外灯光照预处理，时间为5-10min。7.如权利要求3所述的一种晶振片的再生工艺，其特征在于：所述化学试剂浸泡腔室内的化学试剂采用甲乙酮或乙酸乙酯。

技术总结
一种晶振片的再生装置及工艺，再生装置包括：依次紧邻设置的紫外光照腔室、化学试剂浸泡腔室和无水乙醇清洗腔室；紫外光照腔室内部设有用于放置晶振片的承载台，在承载台上方设置紫外灯。再生工艺包括：紫外灯光照预处理，将报废晶振片置入紫外光照腔室；化学试剂清洗，将经过紫外光照后的晶振片放入化学试剂浸泡腔室浸泡30-60min；无水乙醇清洗：化学试剂清洗后，放入无水乙醇清洗腔室进行清洗，去除晶振片上残留的化学试剂；压缩空气吹干；再生后晶振片进行频率测试，若符合要求，即可上机重复使用。本发明处理工艺简单，再生后晶振片频率可恢复原值，能够实现晶振片重复利用。能够实现晶振片重复利用。能够实现晶振片重复利用。


技术研发人员：林啟维
受保护的技术使用者：华映科技（集团）股份有限公司
技术研发日：2022.07.22
技术公布日：2022/10/27